新電元工業、SiC-MOSFETのサンプル出荷開始

高電圧機器の高効率化・小型化に貢献

新電元工業は、既にサンプル出荷しているSiC-SBDに続き、車載用途にも対応可能なSiC-MOSFETのサンプル出荷を開始します。

車載機器、産業機器、民生機器における電源用途では、省エネルギー化の観点から、より高効率・低損失なデバイスが求められています。

そのため、従来のシリコンMOSFETから、高速動作が可能なSiC-MOSFETへの置き換えが進んでいます。

一方で、SiC-MOSFETには、ゲート保証電圧範囲の狭さや、高温時におけるオン抵抗（Ron）の上昇による導通損失の増加といった課題もあります。

こうしたニーズと課題に対応するため、新電元工業では、車載用途にも展開可能な650V、750V、1,200V耐圧のSiC-MOSFETを開発しています。

パッケージは、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7pをご用意しました。特にTO-247-4LおよびTO-263-7pは、SiC-MOSFETの性能を最大限に引き出すケルビンソース端子構造を採用しています。

主な特長は以下の通りです：

 広いゲート保証電圧範囲により回路設計のしやすさが向上 高温時におけるRonの上昇抑制による導通損失の低減 

これにより、お客様の設計負担軽減に貢献します。

また、本製品はAEC-Q101準拠を予定しており、車載製品への搭載も可能です。

今後も、大電流対応のパワーMOSFETラインアップを拡充し、市場の多様なニーズに応えてまいります。

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広いゲート保証電圧範囲

最大定格を広くすることで回路設計のしやすさが向上

高温でも低損失を実現

実使用の温度領域でフラットなオン抵抗を実現

■用途例

サーバー電源

産機電源

民生家電

オンボードチャージャー

車載用DCDCコンバータ

PFC回路　…など

■サンプル出荷時期

2025年11月

■発売予定時期

2026年8月

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新電元工業株式会社について

新電元工業は、 1949年の設立以来、 パワー半導体やスイッチング電源などパワーエレクトロニクスを主な事業領域として、 独創的な技術を活かした数多くの製品を開発し、 世界各国のお客様の期待と信頼にお応えしてきました。

新電元工業は、 半導体技術、 回路技術、 実装技術を併せ持つ世界でも稀なメーカーとしてコア技術を融合し、 発展・応用させていくことで、 持続可能な社会の実現の一翼を担う製品をご提供していきます。 詳細については新電元工業のウェブサイト（ https://www.shindengen.co.jp/ ）をご覧ください。

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新電元工業株式会社 営業本部マーケティング部

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