世界初、スーパー・ジャンクション型の1500V耐圧パワーMOSFETを発表

 

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、システムの電力効率を最大化すると同時に、堅牢性・安全性を拡張する新しいパワーMOSFETファミリを発表しました。MDmesh(TM) K5は、スーパー・ジャンクション技術のメリットと、1500Vのドレイン・ソース間ブレークダウン電圧を組み合わせた世界初の製品で、既にアジア、欧州、米国の主要顧客より、受注を獲得しています。

この新製品は、ダウンタイムを最小化する上で電源の堅牢性が不可欠なサーバ、溶接機、工場自動化などの産業機器に多い、補助スイッチング電源の高出力化要求に対応します。電源出力範囲が75W～230W以上であるこれらのアプリケーションにとって、卓越したダイナミック・スイッチング性能を特徴とするスーパー・ジャンクション型MOSFET技術は最適です。

STのMDmesh K5パワーMOSFETファミリは、単位面積あたりのオン抵抗（R(ds(on))）およびゲート電荷（Q(g)）を市場で最も低く抑えることにより、この技術をさらに次のレベルへ引き上げ、業界最高のFoM（Figure of Merit：性能指数）(1) を達成しています。同製品は、標準・擬似共振・アクティブクランプ方式のフライバック・コンバータや、幅広い入力電圧に対して高効率（最大96%）と高出力電源（約200W）が求められるアプリケーションで使用されるLLC(2) ハーフ・ブリッジ・コンバータなど、一般的な全ての電源トポロジに最適です。

この新製品ファミリで最初にリリースされる2品種は、低ゲート電荷のSTW12N150K5（ドレイン電流：7A、ゲート電荷：47nC）と低オン抵抗のSTW21N150K5（ドレイン電流：14A、オン抵抗：0.9Ω）です。両製品は現在量産中で、TO-247パッケージで提供されます。単価は、1000個購入時に約14ドルです。

さらに詳しい情報については、 http://www.st.com/mdmeshk5 をご覧ください。

(1) FoMは、ゲート電荷 x オン抵抗です。電源設計では、FoMの最小化が考慮されています。
(2) LLCは、「2つのインダクタ（L）と1つのキャパシタ（C）」を表しており、幅広いAC入力電圧に対して高効率（95%以上）を実現するAC-DCコンバータ・トポロジです。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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