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トムソンサイエンティフィックリサーチフロント賞に関するプレスリリース
独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構
室温強磁性半導体を用いた室温動作スピントロニクスデバイス材料を開発【産技助成Vol.58】
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 東北大学金属材料研究所 酸化チタンベースの強磁性体(注1)を用いた室温動作型の 透明スピントロニクス(注2)デバイス材料を開発。 二酸化チタン(TiO2)の優れた特性を活かした 新しいコンセプトの磁気ハイブリッドデバイスの実現が可能に。 (注1)永久磁石の材料のこと。一般的なものとしては、鉄、コバルト、ニッケル等がある。強磁性物質は外部磁場が無くても自発磁化を持つことが出来る。 (注2)固体中の電
2008年11月05日 10:02
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