CAMBRIDGE GAN DEVICES、モーター制御にGANの利点を実現

Qorvoの高性能BLDC/PMSMモーター・コントローラ/ドライバとCGDの使いやすいICeGaN ICを搭載した評価キットを開発

Cambridge GaN Devices Ltd.

エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices(CGD)はコネクティビティ・ソリューションと電源ソリューションの業界をリードする世界的なプロバイダのQorvo®(Nasdaq: QRVO)と提携し、モーター制御アプリケーション向けのGaNの利点を実現するリファレンス・デザインと評価キット(EVK)を開発しました。CGDはBLDC/PMSMアプリケーションにおけるGaNパワーICの普及を促進し、それによって高出力、高効率、コンパクトで信頼性の高いシステムの実現を目指しています。QorvoはCGDのICeGaN™(IC-enhanced GaN)技術を採用したPAC5556A( https://www.qorvo.com/products/p/PAC5556A )モーター/制御IC用のEVKを製造しています。



Giorgia Longobardi | CEO、CGD


「ICeGaNは他社のGaN実装と異なり、コントローラを付属せずにインターフェース回路をGaN HEMTに統合しているため、QorvoのPAC5556A 600 V高性能BLDC/PMSMモーター・コントローラ/ドライバなどの高集積モーター・コントローラ/ドライブーICと容易に組み合わせることができます。Qorvoとの提携により、モーター・コントローラやドライバ・アプリケーションにおいてGaNパワーのメリットが活用できることを嬉しく思います」。


JEff Strang氏 | ゼネラル・マネージャー、パワー・マネジメント・ビジネスユニット、Qorvo


「GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導体は電力密度と効率の面で有利なため、さまざまなモーター制御アプリケーションで積極的に検討されています。CGDのICeGaNテクノロジーはモーター制御とモーター駆動の設計者にとって重要な2つの要素である使いやすさと信頼性に優れています。Qorvoの高集積PAC5556A 600V BLDCモーター制御ソリューションとパワフルなGaNを組み合わせたときの設計エンジニアの反応を見るのが楽しみです」。


GaNにはさまざまな優位点がありますが、特筆すべきは損失が少ない点です。そのため、効率が高く、電力の供給能力の向上と発熱の低減につながります。そのため、複雑かつ大型でコストの高い熱管理ソリューションを使用する必要性がなくなり、小型で強力かつ動作寿命の長いシステムが実現します。また、GaNは低速域でもトルクが大きいため、正確な制御が可能です。さらにスイッチングが高速なため、可聴ノイズを低減することができます。この特性はシーリング・ファン、ヒート・ポンプ、冷蔵庫などの家庭用品で特に有用です。


ICeGaNは使いやすいだけでなく、他のGaNデバイスと比較していくつかの大きな優位点があります。まず、ICeGaNはゲート駆動電圧がIGBTと互換性があります。さらに、GaN IC内にミラー・クランプを統合しているため、負のターンオフ電圧が不要で、コストの低い電流ドライバを使用できます。最後に、便利な電流センス機能を備えているため、回路設計の簡素化とBOMの削減が可能です。


リファレンス・デザインはすでに提供を開始しています。EVK RD5556GaNは2024年第3四半期に提供予定です。また、6月11~13日にドイツのニュルンベルクで開催されるPCIM展示会のCGDブース(Hall 7 643)にも出展します。なお、QorvoはHall 7 406にて出展します。



Cambridge GaN Devicesについて

 

 Cambridge GaN Devices(CGD)はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN™テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors(HVMS)グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。

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会社概要

Cambridge GaN Devices Ltd.

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URL
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業種
製造業
本社所在地
Jeffreys Building, Suite 8,Cowley Road, Cambridge,United Kingdom
電話番号
-
代表者名
Giorgia Longobardi
上場
未上場
資本金
-
設立
2016年09月