高効率システムの信頼性を向上させる革新的な高電圧トランジスタを発表

パワーMOSFETのブレークダウン電圧とアバランシェ耐量を向上させ、
前世代よりオン抵抗を30%低減

パワー半導体の世界的なリーダーであるSTマイクロエレクトロニクス
（NYSE: STM、以下ST）は、従来のデバイスより高い耐圧、優れた耐久性、
低い電力損失を実現したパワーMOSFETの新ファミリを発表しました。
このファミリは、液晶モニタ、テレビ、省電力型ランプ・バラストなどに
おける高効率電源に最適です。

STx7N95K3ファミリは、ブレークダウン電圧が950Vの新しいパワーMOSFETです。
同製品ファミリは、400Vもしくはそれ以上の高電圧で動作することで電力損失を
最小化するシステムに最適で、900Vの競合製品と比較すると、安全動作領域が
拡大され、信頼性が向上しています。また、高電圧電源に使用されることが多い
2つのトランジスタ回路を1つの950V パワーMOSFETに置き換えることで、設計の
簡素化、小型化および部品点数の低減を実現します。

さらに、競合製品より高いアバランシェ定格を有しているため、アバランシェ
状態を引き起こすブレークダウン電圧を超えるサージに対して、高い回復特性を
保証します。

STx7N95K3ファミリは、印加電圧耐性の向上だけでなく、1.35Ω未満のオン抵抗
を実現することにより導通損失を最小化します。これは、前世代のMOSFETと比較
すると、デバイス・サイズ当たりのオン抵抗が30%低減したことに相当し、
電力密度の向上と電力効率の改善を可能にします。

同時に、ゲート電荷（Qg）と内部キャパシタンスを低下させることにより、
スイッチング性能を改善しています。その結果、これまでより高いスイッチング
周波数を使用することが可能となり、部品の小型化や、電力効率と電力密度を
さらに向上させます。

STx7N95K3ファミリは、STの最新世代SuperMESH3(TM)テクノロジーを採用するこ
とで、性能面におけるこれらの優位性を実現しています。発表された製品は、
TO-220FP（STF7N95K3）、標準TO-220（STP7N95K3）、TO-247（STW7N95K3）など、
業界標準パッケージに搭載されます。

今後、発表予定の製品は、950V BVDSSのSTW25N95K3 / STP13N95K3 / STD5N95K3、
および1200V BVDSSのSTP6N120K3です。STは、これらの製品に引き続き、850V、
950V、1050V、1200Vなどの範囲を含む新製品を2009年に発表する予定です。

STx7N95K3ファミリは現在量産中で、1,000個購入時の単価は約2.00ドルです。

詳細については、http://www.st-japan.co.jp/pmosをご覧ください。

また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/p2381d.html

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品や
ソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、
他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、
幅広いIP（Intellectual Property）ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、
大規模な製造力との組合わせにより、SoC（システム-オン-チップ）技術に関し
世界的リーダーとしての地位を確立しています。またSTの半導体製品は、
市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な
役目を果たしています。STは、ニューヨーク証券取引所(NYSE:STM)、
パリ証券取引所（Euronext Paris）とミラノ証券取引所に上場しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）:http://www.st.com