CGD、革新的なモーター制御ソリューションでQORVOと提携

提携により、Qorvoの高性能BLDC/PMSMモーター・コントローラ/ドライバとCGDの使いやすいICeGaN® ICを組み合わせた新しいEVKを開発

Cambridge GaN Devices Ltd.

エネルギー効率の高いGaNベースのパワー・デバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices(CGD)はコネクティビティ/電力ソリューションの世界的な大手プロバイダである台湾の群光電能科技股分有限公司(QRVO)と提携し、業界をリードするモーター制御/電力効率化技術を結集したPAC5556A + ICeGaN®評価キット(EVK)を提供します。提携により、Qorvoの高性能BLDC/PMSMモーター・コントローラ/ドライバとCGDの使いやすいICeGaN® ICが1つのボードに搭載され、モーター制御アプリケーションを大幅に向上します。

 

Andrea Bricconi | 最高マーケティング責任者、CGD

 

「技術力の高い両社による業界をリードするソリューションを組み合わせたこのEVKは高い電力密度を持つ小型でエネルギー効率の高いシステムの開発を可能にします。ICeGaN技術は他社のGaN実装と異なり、QorvoのPAC5556Aモーター制御ICと簡単に接続でき、BLDCやPMSMのアプリケーションでシームレスな高性能を実現します」。

 

Jeff Strang氏 | ゼネラル・マネージャー、パワー・マネジメント・ビジネスユニット、Qorvo

 

「GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導体は電力密度と効率の面で有利なため、モーター制御アプリケーションに統合されつつあります。CGDのICeGaNテクノロジーはモーター制御とモーター駆動の設計者にとって重要な2つの要素である使いやすさと信頼性に優れています。Qorvoの高集積PAC5556A 600V BLDCモーター制御ソリューションとパワフルなGaNの組み合わせはお客様から高い評価を受けています」。

 

CGDの最新世代P2 ICを搭載し、240 mΩ ICeGaNを採用したPAC5556AEVK2評価キットはヒートシンクなしで最大400Wのピーク性能を達成しています。また、55 mΩ ICeGaNを採用したPAC5556AEVK3は最小限の空冷で800Wのピーク性能を達成しています。高効率のICeGaNを採用したことにより、電力損失の低減、電力の供給能力の向上、放熱の最小化につながり、システムの小型化と信頼性向上が実現します。ICeGaNは重要な役割を担う電流センス部品とミラークランプ部品が統合されているため、ゲート・ドライバ設計が簡素化され、BOMコストも削減されます。そのため、このソリューションは実装が容易で価格競争力があり、高性能であるという特長を持っています。

 

PAC5556A + CGD GaN EVKは低速での高トルクと正確な制御を提供するため、白物家電、シーリングファン、冷蔵庫、コンプレッサ、ポンプに最適です。ターゲット市場としては特に小型かつ高効率のモーター制御システムが求められる産業用オートメーションやホーム・オートメーションが挙げられます。PAC5556AEVK2とAC5556AEVK3はQorvoのウェブサイトでご注文いただけます。なお、CGDではelectronicaのブース(C3-539)でデモを実施しています。

 

Cambridge GaN Devicesについて

 

Cambridge GaN Devices(CGD)はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN™テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors(HVMS)グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。

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会社概要

Cambridge GaN Devices Ltd.

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URL
-
業種
製造業
本社所在地
Jeffreys Building, Suite 8,Cowley Road, Cambridge,United Kingdom
電話番号
-
代表者名
Giorgia Longobardi
上場
未上場
資本金
-
設立
2016年09月