アプライド マテリアルズ　ロジックのスケーリングを3nmノード以降へ進める画期的なチップワイヤリング技術を発表

• ７つのプロセス技術を真空下で1システムにインテグレート、配線抵抗が半減
• 新しいマテリアルズエンジニアリングの取り組みで半導体チップの性能と消費電力を改善
• 最新システムはお客様のPPACtを可能にする企業を目指すアプライド マテリアルズの戦略を体現

アプライド マテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、社長兼CEOゲイリー・E・ディッカーソン）は6月16日（現地時間）、先端ロジック半導体のスケーリングを3nmノード以降に進める新たな配線技術を発表しました。

トランジスタの微細化は性能に寄与する反面、配線接続にはマイナスの影響を及ぼします。配線が微細化するほど電気抵抗が高まり、性能低下と消費電力増につながるからです。7nmノードから3nmノードに移行する場合、マテリアルズエンジニアリングのブレークスルーがなければ配線のビア抵抗は10倍に増え、トランジスタのスケーリングによるメリットが打ち消されてしまいます。

そこでアプライド マテリアルズは、Endura® Copper Barrier Seed IMS™と呼ばれる新しいマテリアルズ エンジニアリング ソリューションを開発しました。これは7つの異なるプロセス技術（ALD、PVD、CVD、Cu（銅）リフロー、表面処理、インターフェースエンジニアリング、計測）を高真空下で1システムに統合するインテグレーテッド マテリアルズ ソリューションです。コンフォーマルALDに代わって選択的ALDを採用したことで、ビアインターフェースに使われていた抵抗値の高いバリアをなくすことが可能となりました。さらにCuリフロー技術により、狭い形状でもボイドフリーのギャップフィルが可能です。ビアのコンタクトインターフェースにおける電気抵抗は最大50%低減し、チップの性能と電力消費が改善されるほか、3nmノード以降へのロジックスケーリングも可能となります。このプロセスシーケンスをアニメーションで説明した動画は以下のリンクからご覧いただけます。https://bit.ly/3g8HMe1

アプライド マテリアルズのシニアバイスプレジデント兼セミコンダクタプロダクトグループ ジェネラルマネージャー、プラブー・ラジャは、次のように述べています。「スマートフォンの半導体チップには数百億個ものCu配線が使われており、供給される電力の実に3分の1が配線部分で消費されています。複数のプロセス技術を真空下で統合することで、材料と構造を再構築して、より有用でバッテリー寿命の長いデバイスをお客様に提供できます。この独自のインテグレーテッド ソリューションにより、お客様は性能、消費電力、面積あたりコストに関するロードマップ達成を加速させることができます」

Endura Copper Barrier Seed IMS は、7つの異なるプロセス技術を高真空下で1システムに統合して、半導体チップの性能と電力消費を改善します

Endura Copper Barrier Seed IMSはすでに全世界の主要なファウンドリやロジックメーカーに採用されています。このシステムとロジックスケーリングに向けたその他のイノベーションの詳細は、米国時間6月16日にアプライド マテリアルズが開催した2021 Logic Master Classで紹介しています。
https://investors.appliedmaterials.com/events/event-details/2021-logic-master-class

 

アプライド マテリアルズ（Nasdaq: AMAT）は、マテリアルズ エンジニアリングのソリューションを提供するリーダーとして、世界中のほぼ全ての半導体チップや先進ディスプレイの製造に寄与します。原子レベルのマテリアル制御を産業規模で実現する専門知識により、お客様が可能性を現実に変えるのを支援します。アプライド マテリアルズはイノベーションを通じてよりよい未来を可能にします。

詳しい情報はホームページwww.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。

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このリリースは6月16日、米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。

アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：中尾 均）は1979年10月に設立。大阪支店、川崎オフィスのほか16のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。