【第1回 サイエンス・サロン】～ナノテクノロジー・新材料技術における最先端研究～を2022年6月22日（水）に開催いたします。
【第1回 サイエンス・サロン】～ナノテクノロジー・新材料技術における最先端研究～を2022年6月22日（水）に開催いたします。
次世代IoT/AI社会を実現するため、多様なデバイスや材料の創出のニーズが高まり、ナノテクノロジー・材料分野の革新技術が期待されています。本セミナーでは、ナノ加工や、半導体デバイス/材料および次世代電池材料に関する最先端の研究をご紹介いたします。
【日時】
2022年6月22日（水曜日） 9:45～17:45
【事前登録】
Zoomによるオンラインセミナー
事前登録を以下の通りお願いいたします。
↓↓↓
https://us02web.zoom.us/webinar/register/WN_n3xLUT3ZT9KncIUhOpqV8Q
【参加費】
無料
【全体プログラム】
午前の部
09:45～10:00 オープニング 主催者挨拶
10:00～11:00 講演1「ナトリウムイオン電池の開発動向」
東京理科大学 理学部 駒場 慎一 教授
11:00～11:05 休憩 （5分）
11:05～12:05 講演2「レーザアシスト熱ナノインプリントによる機能表面の創製」
東京大学 工学系研究科 長藤 圭介 准教授
午後の部
14:30～14:35 午後の部 主催者によるご挨拶
14:35～15:35 講演3「低コスト成膜技術ミスト法とその酸化物半導体成長への応用」
京都大学 藤田 静雄 名誉教授
15:35～16:35 講演4「酸化ガリウムデバイス技術の研究開発」
大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 教授
16:35～16:40 休憩 （5分）
16:40～17:40 講演5「化合物半導体技術によるエレクトロニクス・フォトニクスの融合」
香港科学大学 フォトニクス・テクノロジー・センター長 劉 紀美（KeiMay Lau）教授
17:40～17:45 閉会の挨拶
【講演内容】
午前の部
■講演１
ナトリウムイオン電池の開発動向
講演者
東京理科大学 理学部 駒場 慎一 教授
講演概要
希少金属を使わない次世代電池としてナトリウムイオン蓄電池が注目され，実用化の動きが加速している。リチウムイオン電池に迫るエネルギー密度や寿命性能を実現するための材料開発の最新情報を紹介し，今後の展望を述べる。
■講演2
レーザアシスト熱ナノインプリントによる機能表面の創製
講演者
東京大学 工学系研究科 長藤 圭介 准教授
講演概要
マイクロナノ構造表面は，光・熱・流体・力学・電子・化学バイオ物質との相互作用で，様々な機能を発現する。本講演では，その微細構造を高速で大面積に転写するためのレーザアシストナノインプリントの技術を紹介する。また、全体加熱を用いた熱ナノインプリントに対して，表面のみを加熱する方法は，加熱速度が高いだけでなく冷却速度も高めることができ，高スループットの加工が期待できる。光学素子などのアプリケーションも紹介する。
午後の部
■講演3
低コスト成膜技術ミスト法とその酸化物半導体成長への応用
講演者
京都大学 藤田 静雄 名誉教授
講演概要
環境負荷が低く安全で低コストの非真空成膜技術として、ミストデポジション法を紹介する。この技術は、対象となる膜の構成元素を含む溶液を作製し、そこに超音波を印加してミストを形成し、これを反応領域に輸送することで成膜を行う方法である。その応用例として、酸化物半導体の結晶成長について示し、パワーデバイスに適したGa2O3や深紫外発光可能なMgZnOの特徴・現状と今後の展望について述べる。
■講演4
酸化ガリウムデバイス技術の研究開発
講演者
大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 教授
講演概要
酸化ガリウム (Ga2O3) は、その非常に大きなバンドギャップに基づく優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価に製造することができるという産業的観点からの魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3の物性に関する基本的事柄について紹介した後、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況について解説する。
■講演5
化合物半導体技術によるエレクトロニクス・フォトニクスの融合
講演者
香港科学大学 フォトニクス・テクノロジー・センター長 劉 紀美（KeiMay Lau）教授
講演概要
ここ数十年、RF（5G）、発光、光通信、パワーデバイスの需要の高まりにより、化合物半導体（主に周期表第III、V列）の成熟化が促進された。これらの半導体は現在、ディスプレイ、照明、通信用光ファイバーネットワーク、電力スイッチングなどに広く使用されている。 速度や帯域幅の優位性に加え、電子の代わりに光子を用いてデータを送ることで、エネルギー効率が大幅に向上する可能性がある。
化合物半導体を用いたフォトニック集積回路は、コストが高く、限界がある。最終的な目標は、フォトニクスとエレクトロニクスを同じシリコンプラットフォーム上で統合し、データ通信とデータ処理を1つの小さなシリコンチップ上で行い、エネルギー効率と高速性、最小限の遅延を実現することである。
【主催】
株式会社キャンパスクリエイト（電気通信大学TLO）
【会社概要】
株式会社キャンパスクリエイトは、「お客様の課題解決をオープンイノベーションで実践する広域TLO」をスローガンに、国立大学法人電気通信大学TLOとして経済産業省・文部科学省の承認・認定TLOを受けるとともに、企業様の技術ニーズに対して解決可能な大学研究者を全国から探索する、あるいは大学の技術シーズに対して活用可能な企業様を探索しマッチングする産学官連携マッチング業務を実施しています。また、企業様のオープンイノベーション支援として、企業様が関心を持っている技術分野において活用可能な大学の技術シーズを調査し、報告・ディスカッションを行いながら新規事業のテーマを固めていくコンサルティング業務などを行っています。
会社名：株式会社キャンパスクリエイト
代表者：代表取締役 髙橋 めぐみ
本社所在地：東京都調布市調布ヶ丘1-5-1 電気通信大学内
設立：1999年9月
事業内容：技術移転マネジメント事業、ソリューション事業 等
URL：https://www.campuscreate.com/
次世代IoT/AI社会を実現するため、多様なデバイスや材料の創出のニーズが高まり、ナノテクノロジー・材料分野の革新技術が期待されています。本セミナーでは、ナノ加工や、半導体デバイス/材料および次世代電池材料に関する最先端の研究をご紹介いたします。
【日時】
2022年6月22日（水曜日） 9:45～17:45
【事前登録】
Zoomによるオンラインセミナー
事前登録を以下の通りお願いいたします。
↓↓↓
https://us02web.zoom.us/webinar/register/WN_n3xLUT3ZT9KncIUhOpqV8Q
【参加費】
無料
【全体プログラム】
午前の部
09:45～10:00 オープニング 主催者挨拶
10:00～11:00 講演1「ナトリウムイオン電池の開発動向」
東京理科大学 理学部 駒場 慎一 教授
11:00～11:05 休憩 （5分）
11:05～12:05 講演2「レーザアシスト熱ナノインプリントによる機能表面の創製」
東京大学 工学系研究科 長藤 圭介 准教授
午後の部
14:30～14:35 午後の部 主催者によるご挨拶
14:35～15:35 講演3「低コスト成膜技術ミスト法とその酸化物半導体成長への応用」
京都大学 藤田 静雄 名誉教授
15:35～16:35 講演4「酸化ガリウムデバイス技術の研究開発」
大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 教授
16:35～16:40 休憩 （5分）
16:40～17:40 講演5「化合物半導体技術によるエレクトロニクス・フォトニクスの融合」
香港科学大学 フォトニクス・テクノロジー・センター長 劉 紀美（KeiMay Lau）教授
17:40～17:45 閉会の挨拶
【講演内容】
午前の部
■講演１
ナトリウムイオン電池の開発動向
講演者
東京理科大学 理学部 駒場 慎一 教授
講演概要
希少金属を使わない次世代電池としてナトリウムイオン蓄電池が注目され，実用化の動きが加速している。リチウムイオン電池に迫るエネルギー密度や寿命性能を実現するための材料開発の最新情報を紹介し，今後の展望を述べる。
■講演2
レーザアシスト熱ナノインプリントによる機能表面の創製
講演者
東京大学 工学系研究科 長藤 圭介 准教授
講演概要
マイクロナノ構造表面は，光・熱・流体・力学・電子・化学バイオ物質との相互作用で，様々な機能を発現する。本講演では，その微細構造を高速で大面積に転写するためのレーザアシストナノインプリントの技術を紹介する。また、全体加熱を用いた熱ナノインプリントに対して，表面のみを加熱する方法は，加熱速度が高いだけでなく冷却速度も高めることができ，高スループットの加工が期待できる。光学素子などのアプリケーションも紹介する。
午後の部
■講演3
低コスト成膜技術ミスト法とその酸化物半導体成長への応用
講演者
京都大学 藤田 静雄 名誉教授
講演概要
環境負荷が低く安全で低コストの非真空成膜技術として、ミストデポジション法を紹介する。この技術は、対象となる膜の構成元素を含む溶液を作製し、そこに超音波を印加してミストを形成し、これを反応領域に輸送することで成膜を行う方法である。その応用例として、酸化物半導体の結晶成長について示し、パワーデバイスに適したGa2O3や深紫外発光可能なMgZnOの特徴・現状と今後の展望について述べる。
■講演4
酸化ガリウムデバイス技術の研究開発
講演者
大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 教授
講演概要
酸化ガリウム (Ga2O3) は、その非常に大きなバンドギャップに基づく優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価に製造することができるという産業的観点からの魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3の物性に関する基本的事柄について紹介した後、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況について解説する。
■講演5
化合物半導体技術によるエレクトロニクス・フォトニクスの融合
講演者
香港科学大学 フォトニクス・テクノロジー・センター長 劉 紀美（KeiMay Lau）教授
講演概要
ここ数十年、RF（5G）、発光、光通信、パワーデバイスの需要の高まりにより、化合物半導体（主に周期表第III、V列）の成熟化が促進された。これらの半導体は現在、ディスプレイ、照明、通信用光ファイバーネットワーク、電力スイッチングなどに広く使用されている。 速度や帯域幅の優位性に加え、電子の代わりに光子を用いてデータを送ることで、エネルギー効率が大幅に向上する可能性がある。
化合物半導体を用いたフォトニック集積回路は、コストが高く、限界がある。最終的な目標は、フォトニクスとエレクトロニクスを同じシリコンプラットフォーム上で統合し、データ通信とデータ処理を1つの小さなシリコンチップ上で行い、エネルギー効率と高速性、最小限の遅延を実現することである。
【主催】
株式会社キャンパスクリエイト（電気通信大学TLO）
【会社概要】
株式会社キャンパスクリエイトは、「お客様の課題解決をオープンイノベーションで実践する広域TLO」をスローガンに、国立大学法人電気通信大学TLOとして経済産業省・文部科学省の承認・認定TLOを受けるとともに、企業様の技術ニーズに対して解決可能な大学研究者を全国から探索する、あるいは大学の技術シーズに対して活用可能な企業様を探索しマッチングする産学官連携マッチング業務を実施しています。また、企業様のオープンイノベーション支援として、企業様が関心を持っている技術分野において活用可能な大学の技術シーズを調査し、報告・ディスカッションを行いながら新規事業のテーマを固めていくコンサルティング業務などを行っています。
会社名：株式会社キャンパスクリエイト
代表者：代表取締役 髙橋 めぐみ
本社所在地：東京都調布市調布ヶ丘1-5-1 電気通信大学内
設立：1999年9月
事業内容：技術移転マネジメント事業、ソリューション事業 等
URL：https://www.campuscreate.com/
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