オンセミ、ASPENCORE World Electronics Achievement AwardsとEE Awards Asiaでトップの賞を獲得

革新的な技術と業界のリーダーシップを評価する賞

インテリジェントなパワーおよびセンシン グ技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社　米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、絶縁型SiC MOSFETゲートドライバ「NCP51561」がASPENCORE World Electronics Achievement Award （WEAA）パワー半導体／ドライバ部門を受賞したことを発表しました。WEAAプログラムは、世界のエレクトロニクス産業の革新と発展に顕著な貢献をした企業や個人を表彰するものです。受賞者は、ASPENCOREのアナリストとそのグローバルなユーザーコミュニティによって選出されました。

さらにEE Awards Asiaにおいて、オンセミのトランスファーモールド・パワーインテグレーテッドモジュール（TM-PIM）がパワーIC製品部門を受賞し、また、革新的な自動車用ソリューションとインテリジェント電源製品のポートフォリオが、栄えあるEVパワー半導体サプライヤー賞を受賞しました。EE Awards Asiaは、アジアのエレクトロニクス産業において日々変化をもたらしている最高の製品、企業、業界幹部を称えるものです。

WEAA賞を受賞した「NCP51561」は、ピーク電流4.5Aソース、9Aシンクの絶縁型デュアルチャネル・ゲートドライバです。シリコンパワーMOSFETやSiCベースMOSFETデバイスの高速スイッチングに適しており、短くマッチした伝搬遅延を提供します。独立した5kVRMS（UL1577準拠）の電気的に絶縁された2つのゲートドライバチャネルは、2つのローサイドと2つのハイサイドスイッチ、またはプログラム可能なデッドタイム付きのハーフブリッジドライバとして使用できます。イネーブルピンは、両方の出力を同時にシャットダウンします。「NCP51561」は、両方のゲートドライバとイネーブル機能に対して独立した低電圧ロックアウト（UVLO）などの他の重要な保護機能を提供します。

EE Awards Asia EV Power Semiconductor Supplier Awardでは、50年にわたる技術的知識と豊富な顧客経験に基づき、革新的な車両電動化ソリューションを提供している、オンセミの業界リーダーとしての地位が評価されました。また、より技術的に柔軟で完全なハードウェア・プラットフォームを提供することで、お客様の設計・検証作業に付加価値を与えようとする姿勢も重要な要素でした。

モータドライブのシステムは、産業オートメーションやロボットなどのアプリケーションで不可欠なものとなっており、厳しい産業環境下でのエネルギー効率、精密測定、正確な制御、高い信頼性が求められています。EE Awards Asiaを受賞した「NXH25C120L2C2」、「NXH35C120L2C2/2C2E」、「NXH50C120L2C2E TM-PIM」 は、コンバータ・ブレーキ・力率改善回路と統合し、650V/1200V 25A~50A 単相および 3 相モーター駆動アプリケーション向けに設計されています。また、温度サイクル寿命が10倍に向上し、湿度や腐食性の高い環境でも使用できるよう密閉型になっています。


オンセミ （onsemi） について
オンセミ （Nasdaq: ON） は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。オンセミは、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネル ギーグリッド、産業オートメーション、5G およびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を 解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を 実現する方法をリードしています。オンセミの詳細については、www.onsemi.jp をご覧ください。Twitterで@onsemi_jpのフォローお願いします。

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