低価格ブラック・ボックス・レコーダ向けの高速書込みメモリを発表

実績のある不揮発性メモリ技術で超高速ページ書込みを実現し、
非常用データ・ストレージの設計を簡略化
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーで、電子機器向けEEPROMの世界最大のサプライヤである
STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、予期せぬ事象の発生時
に重要なデータを保存するための、独自の超高速記録機能を搭載した新しい
EEPROMを発表しました。同製品は、突然の電源障害発生時のシステム・データの
復旧、および機器障害や事故原因の特定に役立つブラック・ボックス・レコーダ
等に適しています。

新しいEEPROMであるM35B32を採用したシステムは、大量の重要情報（2Kbit）を
1ミリ秒以内に保存可能で、システム障害や事故の発生時に即座に対応すること
ができます。電源障害等の場合、電源電圧が使用不可能なレベルに低下する前に、
システム復旧に必要な情報をこの超高速データ・ストレージに保存することが
可能です。

M35B32の主要アプリケーションは、ゲーム機、バッテリ駆動の電子機器、電気・
水道・ガスのメータ、スマートグリッド機器、産業用システムおよび医療機器等
です。他の不揮発性メモリと比較した場合、同製品の書込み速度は、標準的な
32Kbit EEPROMの約40倍高速で、Flashメモリの書込み速度に匹敵します。また、
エネルギー消費量がFlashメモリの約10分の１であるため、突然システム・
ダウンした場合でも、書込み完了までメモリを動作させる電源電圧用バックアップ・
コンデンサの容量は10分の1で済みます。そのため、低コスト化とプリント基板面積
の小型化に繋がります。M35B32のEEPROMテクノロジーは、高速FRAM技術と比較した
場合にもコストと品質の面で優れています。

M35B32のメモリ容量（32Kbit）は、イベント記録用と通常のシステムEEPROMの
2個のセクタに分割されます。セクタの容量は、各種アプリケーションの要件に
合わせ、ユーザが設定可能です。256Bという大きなページサイズにより、1回の
ページ書込みサイクルで大量のデータを書き込むことができるため、イベント
記録セクタへのアクセス時に1ミリ秒以内でこの情報をプログラムすることが
可能です。これによりシステム性能が向上し、ソフトウェアのオーバヘッドが
減少します。M35B32へのアクセスは、標準SPIシリアル接続を介して行うため、
標準的なSPIシリアル接続に対応したメモリと直接置き換えることができます。

M35B32は現在量産中で、SO8N / TSSOP8 / FPN（ 2 x 3mm、小型表面実装型）
パッケージで提供されます。単価は1,000個購入時に約0.65ドルです。大量
購入時の単価については、お問い合わせください。車載用に認定された製品は、
2012年初旬に発表予定で、ABS（アンチロック・ブレーキング・システム）等の
設計を簡略化します。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2010年の売上は
103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）: http://www.st.com

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