最先端28nm/20nmのFD-SOI技術に関しGLOBALFOUNDRIES社と生産補完
ST独自のFD-SOI技術の量産により、
高性能・低消費電力化を推進する次世代モバイル機器をサポート
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、
テクノロジー・ロードマップを世界的にリードするGLOBALFOUNDRIES社がST独自
の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)技術を用いた
28nm/20nmデバイスの製造に合意したことを発表しました。STのFD-SOI製品の
大量生産およびタイムリーな供給は、卓越したグラフィックやマルチメディア、
高速ブロードバンド接続を低消費電力で実行するスマートフォンやタブレットの
市場要求に対応する上で、非常に重要です。
マルチメディア・コンバージェンス分野では、高い性能と優れたエネルギー効率
を両立するテクノロジーが求められています。従来のトランジスタは、形状の
縮小に伴い、バッテリの浪費や許容範囲を超える温度上昇を避けて最適な性能を
得ることが不可能になりつつあります。その解決策として、高いピーク性能、
様々な使用状況における低い動作電圧(電力供給が低下しても良好な性能を維持)
、低いスタンバイ電力を同時に実現できる完全空乏型トランジスタの採用があり
ます。
STのプレーナ型FD-SOI技術は、コスト効率に優れたソリューションを実現します。
STは28nmプロセスに基づく完全空乏型デバイスの供給に関し、大きく業界を
リードしています。
・STは、クロル工場(フランス)におけるFD-SOI製品の自社製造能力を、
GLOBALFOUNDRIES社の生産能力で補完することにより、供給力を向上させまし
た。STは、現在、製品化を進めている28nm世代のFD-SOI製品の試作品を
2012年7月に提供する予定です。
・20nm世代のFD-SOI製品は現在開発中で、2013年第3四半期までに試作品が完成
する予定です。
STのFD-SOI技術は、ST-エリクソンの次期モバイル・プラットフォームへの採用
がすでに決定しており、ST-エリクソンのNovaThor(TM)プラットフォームの最大
性能時における消費電力を35%程度低減することで、バッテリ消費を大幅に抑え
ながら、性能を向上させます。
STは、GLOBALFOUNDRIES社のその他顧客がSTのFD-SOI技術を利用できるよう計画
しており、最先端の28nm/20nmプロセスを利用した製品開発の可能性を提供しま
す。
STのデジタル部門フロント・エンド製造&プロセス技術研究開発担当コーポレー
ト・バイスプレジデントであるJoel Hartmannは、次の様にコメントしています。
「STは、従来技術に対するFD-SOIの性能および消費電力面での大きな優位性を
パートナー各社と共に実証してきました。従来のプレーナ型技術を用いた完全空乏型
トランジスタのメリットを提供するFD-SOIは、ワイヤレスおよびタブレット・
アプリケーションに最適です。GLOBALFOUNDRIES社との合意は、当社のお客様に対する
安定供給を確実にするものです。」
また、STの設計実現化・サービス担当コーポレート・バイスプレジデントである
Philippe Magarshackは、次の様にコメントしています。「28nmバルクCMOSから
28nm FD-SOIへのライブラリおよび物理IPの移行は容易に行えます。また、
FD-SOIにはMOSのヒストリー効果がないため、バルクと同様に従来のCADツールや
設計手法でデジタルSoCの設計が可能です。さらに、FD-SOIはシリコン基板に
動的にバイアスをかけることにより、高性能または超低リークを同じシリコンで
実現することができます。しかも、FD-SOIのエネルギー効率はバルクCMOSより優
れているため、低電圧で高性能な動作が可能です。」
GLOBALFOUNDRIES社の最高技術責任者(CTO)であるGregg Bartlett氏は、次の様
にコメントしています。「本発表は、最先端テクノロジーを利用した革新的
ソリューションの実現におけるコラボレーションの重要性を示しています。
当社とSTは、長年にわたる研究開発および製造におけるパートナーシップを通し
て、SOIテクノロジーに関する卓越した専門性を培ってきました。STと共にこの
次世代SOI技術を市場に提供し、モバイル革命を継続的に推し進められることを
うれしく思います。」
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、Sense & Powerおよびマルチメディア・コンバージェンス分野の多種多様
なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。
エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアから
スマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や
遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍していま
す。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の
実現に取り組んでいます。2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい情報
はSTのウェブサイト( http://www.st-japan.co.jp )をご覧ください
GLOBALFOUNDRIES社について
GLOBALFOUNDRIESは、世界で初めて包括的な半導体ファンドリ・サービスを提供
するグローバルなファンドリ企業です。2009年3月に設立された後、先端テクノ
ロジーや生産能力の独自の組み合わせによって、急速に世界最大レベルのファン
ドリ企業へと成長し、150社以上の顧客にサービスを提供しています。
GLOBALFOUNDRIESは、シンガポール、ドイツおよび米国と3大陸に製造拠点を展開
し、柔軟性と安全性を実現する唯一のファンドリ企業です。同社の300mmウェハ
工場(3ヶ所)および200mmウェハ工場(5ヵ所)は、一般的プロセス技術から
最先端プロセス技術まで、あらゆるプロセス技術に対応しています。この世界的
な製造能力は、米国・ヨーロッパ・アジアの半導体産業の中心近辺に位置する、
研究・開発・設計実現化の主要拠点によってサポートされています。
GLOBALFOUNDRIESは、Advanced Technology Investment Company(ATIC)社に
所有されています。さらに詳しい情報はGLOBALFOUNDRIESのウェブサイト
( http://www.globalfoundries.com )をご覧ください。
高性能・低消費電力化を推進する次世代モバイル機器をサポート
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、
テクノロジー・ロードマップを世界的にリードするGLOBALFOUNDRIES社がST独自
の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)技術を用いた
28nm/20nmデバイスの製造に合意したことを発表しました。STのFD-SOI製品の
大量生産およびタイムリーな供給は、卓越したグラフィックやマルチメディア、
高速ブロードバンド接続を低消費電力で実行するスマートフォンやタブレットの
市場要求に対応する上で、非常に重要です。
マルチメディア・コンバージェンス分野では、高い性能と優れたエネルギー効率
を両立するテクノロジーが求められています。従来のトランジスタは、形状の
縮小に伴い、バッテリの浪費や許容範囲を超える温度上昇を避けて最適な性能を
得ることが不可能になりつつあります。その解決策として、高いピーク性能、
様々な使用状況における低い動作電圧(電力供給が低下しても良好な性能を維持)
、低いスタンバイ電力を同時に実現できる完全空乏型トランジスタの採用があり
ます。
STのプレーナ型FD-SOI技術は、コスト効率に優れたソリューションを実現します。
STは28nmプロセスに基づく完全空乏型デバイスの供給に関し、大きく業界を
リードしています。
・STは、クロル工場(フランス)におけるFD-SOI製品の自社製造能力を、
GLOBALFOUNDRIES社の生産能力で補完することにより、供給力を向上させまし
た。STは、現在、製品化を進めている28nm世代のFD-SOI製品の試作品を
2012年7月に提供する予定です。
・20nm世代のFD-SOI製品は現在開発中で、2013年第3四半期までに試作品が完成
する予定です。
STのFD-SOI技術は、ST-エリクソンの次期モバイル・プラットフォームへの採用
がすでに決定しており、ST-エリクソンのNovaThor(TM)プラットフォームの最大
性能時における消費電力を35%程度低減することで、バッテリ消費を大幅に抑え
ながら、性能を向上させます。
STは、GLOBALFOUNDRIES社のその他顧客がSTのFD-SOI技術を利用できるよう計画
しており、最先端の28nm/20nmプロセスを利用した製品開発の可能性を提供しま
す。
STのデジタル部門フロント・エンド製造&プロセス技術研究開発担当コーポレー
ト・バイスプレジデントであるJoel Hartmannは、次の様にコメントしています。
「STは、従来技術に対するFD-SOIの性能および消費電力面での大きな優位性を
パートナー各社と共に実証してきました。従来のプレーナ型技術を用いた完全空乏型
トランジスタのメリットを提供するFD-SOIは、ワイヤレスおよびタブレット・
アプリケーションに最適です。GLOBALFOUNDRIES社との合意は、当社のお客様に対する
安定供給を確実にするものです。」
また、STの設計実現化・サービス担当コーポレート・バイスプレジデントである
Philippe Magarshackは、次の様にコメントしています。「28nmバルクCMOSから
28nm FD-SOIへのライブラリおよび物理IPの移行は容易に行えます。また、
FD-SOIにはMOSのヒストリー効果がないため、バルクと同様に従来のCADツールや
設計手法でデジタルSoCの設計が可能です。さらに、FD-SOIはシリコン基板に
動的にバイアスをかけることにより、高性能または超低リークを同じシリコンで
実現することができます。しかも、FD-SOIのエネルギー効率はバルクCMOSより優
れているため、低電圧で高性能な動作が可能です。」
GLOBALFOUNDRIES社の最高技術責任者(CTO)であるGregg Bartlett氏は、次の様
にコメントしています。「本発表は、最先端テクノロジーを利用した革新的
ソリューションの実現におけるコラボレーションの重要性を示しています。
当社とSTは、長年にわたる研究開発および製造におけるパートナーシップを通し
て、SOIテクノロジーに関する卓越した専門性を培ってきました。STと共にこの
次世代SOI技術を市場に提供し、モバイル革命を継続的に推し進められることを
うれしく思います。」
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、Sense & Powerおよびマルチメディア・コンバージェンス分野の多種多様
なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。
エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアから
スマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や
遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍していま
す。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の
実現に取り組んでいます。2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい情報
はSTのウェブサイト( http://www.st-japan.co.jp )をご覧ください
GLOBALFOUNDRIES社について
GLOBALFOUNDRIESは、世界で初めて包括的な半導体ファンドリ・サービスを提供
するグローバルなファンドリ企業です。2009年3月に設立された後、先端テクノ
ロジーや生産能力の独自の組み合わせによって、急速に世界最大レベルのファン
ドリ企業へと成長し、150社以上の顧客にサービスを提供しています。
GLOBALFOUNDRIESは、シンガポール、ドイツおよび米国と3大陸に製造拠点を展開
し、柔軟性と安全性を実現する唯一のファンドリ企業です。同社の300mmウェハ
工場(3ヶ所)および200mmウェハ工場(5ヵ所)は、一般的プロセス技術から
最先端プロセス技術まで、あらゆるプロセス技術に対応しています。この世界的
な製造能力は、米国・ヨーロッパ・アジアの半導体産業の中心近辺に位置する、
研究・開発・設計実現化の主要拠点によってサポートされています。
GLOBALFOUNDRIESは、Advanced Technology Investment Company(ATIC)社に
所有されています。さらに詳しい情報はGLOBALFOUNDRIESのウェブサイト
( http://www.globalfoundries.com )をご覧ください。
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