急成長中のエコ設計規格や環境エネルギーに対応する先進的なパワーMOSFETを発表

～初の900V・950V耐圧のSuperMESH(TM) 5 パワーMOSFETが
900Vで業界最高効率を達成し、950Vでアプリケーションの信頼性を高める
最大電圧定格を実現～

エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、高品
質かつ高効率の新しいパワーMOSFETファミリを発表しました。同製品ファミリは、
エコ設計規格に定められたより厳しい消費電力・電力効率の基準に対応し、
太陽光発電用のマイクロインバータやストリング・インバータ、電気自動車
といった環境エネルギー・アプリケーションに適しています。

この新製品ファミリには、最大電圧定格が950Vである業界初のスーパー・
ジャンクション型トランジスタ（MOSFET）、クラス最高の電力効率を実現する
900V耐圧製品、および省スペースの超薄型パッケージ（PowerFLAT 8x8 HV）で
提供される唯一の850V耐圧製品が含まれています。スーパー・ジャンクション
技術により、製品サイズに起因する極めて小さな電気的オン抵抗でMOSFETの
動作電圧を高め、電源全体を小型化しながらシステムの信頼性と電力効率を向上
させることができます。

STはスーパー・ジャンクション型MOSFETの主要サプライヤで、市場最高の定格電
圧を持つ製品や、900V耐圧のスーパー・ジャンクション型製品を提供しています。
今後、800V耐圧の製品も追加する予定です。

より環境に優しい世界をつくるスーパー・ジャンクション技術
STは、SuperMESH 5製品の高い効率を例証するため、超高電圧MOSFETが採用され
たアプリケーションの最初の成功例を紹介しました。イタリアの革新的な照明
メーカーであるTCI社（ http://www.tcisaronno.net ）は、同社の先進的かつ
多機能なLEDランプの最新LEDドライバのメイン・パワー・スイッチとして
STU6N95K5 （950V耐圧、IPAKパッケージ）を採用しており、優れたコスト効率お
よび小型サイズでベンチマークとなる電力効率を実現しています。STのパワー・
トランジスタ事業部 マーケティング・ディレクタであるMaurizio Giudiceは、
次の様にコメントしています。「STの最新世代のSuperMESH 5技術により、TCIは
市場最高の効率と安全マージンを達成でき、同社の顧客に魅力的な価値を提案
することができます。」

その他、STの新しいスーパー・ジャンクション型MOSFETの一般的な
アプリケーションには、薄型テレビ、PC用電源、LED照明ドライバ、HID
（High-Intensity Discharge）ランプ用電子バラストなどがあります。設計者は、
これらのMOSFETを採用することで、Energy StarやEUのErP（Energy-related
Products）指令等のエコ設計規格が規定する、より厳しい最大消費電力および
最小電力効率の制限に対応することができます。

より厳しくなったエコ設計規格の例は、最新のEnergy Star テレビジョン受信機
基準（バージョン5.3）に見ることができます。これは、50インチ以上の薄型
テレビの絶対最大電力限界を108.0Wに規定しています。また、ErP照明規制では、
あらゆるタイプのHIDランプの最小効率を2012年～2017年の間に向上させるよう
求めています。

高耐圧の新しいスーパー・ジャンクション型MOSFETは、システムの安全性と
信頼性を向上させます。これは、HIDランプ・バラストや、太陽光発電マイクロ
インバータ、電気自動車の充電スタンド等のAC電源電圧以上で動作するその他の
システムに重要なメリットです。充電スタンドは、充電時間と電気自動車の運用
コストを最小限に抑えるために、極めて高い電力変換効率を必要とします。
太陽光発電システム用DC-ACインバータでは、高効率の高電圧MOSFETを採用によ
り利用できるスイッチング周波数が上がるため、電力損失とソリューションの
サイズを抑えながら、高品質のAC電力を発電することができます。

SuperMESH(TM) 5 MOSFETの特徴
STのSuperMESH(TM) 5、技術を用いたこれらの新しいMOSFETは、第5世代スーパー・
ジャンクション・ファミリの最初の製品です。同製品ファミリには、STx21N90K5
（900V耐圧）、STx20N95K5（950V耐圧）、およびSTx6N95K5（950V耐圧）が
含まれており、様々なパッケージ・オプションが用意されています。高電圧表面
実装パッケージ（PowerFLAT 8x8 HV）に実装されたSTL23N85K5（850V耐圧）の
フットプリントは僅か64mm2で、業界標準のD2PAKパッケージより56%小型化され
ています。さらに、実装後の高さは1mmで、D2PAKよりも77%低く、超薄型設計に
使用することができます。

STP21N90K5（900V耐圧）の電源オン時およびオン・オフ時の全体的な電力効率を
示す性能指数（FOM）は、競合製品を62.5%上回っています。そのため、設計者は
STP21N90K5を使用することにより、大きく性能を向上させることができます。

[STx23N85K5]

定格電圧：850V、オン抵抗：0.275Ω、パッケージ：TO-247 /
PowerFLAT 8x8 HV
備考：PowerFLAT表面実装パッケージ（高さ1mm）、最小FOM（オン抵抗 x Qg）、
　　　超低ゲート・チャージ、全数アバランシェ試験、G-Sツェナー保護

[STx21N90K5]

定格電圧：900V、オン抵抗：0.299Ω、パッケージ：TO-220 / TO-220FP /
TO-247 / D2PAK
備考：TO-220パッケージ（900V～950V耐圧）で最小オン抵抗、最小FOM
　　　（オン抵抗 x Qg）、超低ゲート・チャージ、全数アバランシェ試験、
　　　G-Sツェナー保護

[STx20N95K5]

定格電圧：950V、オン抵抗：0.330Ω、パッケージ：TO-220 / TO-220FP /
TO-247 / D2PAK
備考：TO-220パッケージ（900V～950V耐圧）で最小オン抵抗、最小FOM
　　　（オン抵抗 x Qg）、超低ゲート・チャージ、全数アバランシェ試験、
　　　G-Sツェナー保護

[STx6N95K5]

定格電圧：950V、オン抵抗：1.25Ω、パッケージ：TO-220 / TO-220FP /
TO-247 / DPAK / IPAK
備考：最小FOM（オン抵抗 x Qg）、超低ゲート・チャージ、
　　　全数アバランシェ試験、G-Sツェナー保護

SuperMESH 5技術を採用した新製品は、サンプル出荷ならびに量産対応が可能で
す。単価は、1000個購入時に約3.50～10.00ドル（電圧・定格電流および
パッケージ・タイプに基づく）です。大量購入時の価格についてはお問い合わせ
ください。詳細は http://www.st.com/jp/analog/class/824.jsp をご覧くださ
い。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、Sense & Powerおよびマルチメディア・コンバージェンス分野の多種多様
なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。
エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアから
スマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や
遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍していま
す。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の
実現に取り組んでいます。2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい情報
はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
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