Bluetooth Smart(R)対応機器の設計を簡略化する小型の集積型バランを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、Bluetooth Smart(R)対応機器・モジュールの設計において、開発期間の短縮、システム性能の最大化、製品サイズの小型化を可能にする新しい集積型バランBALF-NRG-01D3を発表しました。

BALF-NRG-01D3は、STのBluetooth Smart対応ワイヤレス・ネットワーク・プロセッサであるBlueNRGのコンパニオン・チップで、アンテナとの間に外付けで必要とされる平衡化・整合回路を全て集積することで最適なパフォーマンスを実現します。これにより高度な技術が要求されるRF回路設計をより簡略化します。また、バランの入力インピーダンスがBlueNRGに整合されることにより感度と出力を最大化し、さらに内蔵の高調波フィルタで規制基準に対応します。この結果、BALF-NRG-01D3は最大15個の表面実装部品の置き換えが可能で、ディスクリートで構成されたバラン回路と比較して実装面積を最大75%小型化することができます。

BALF-NRG-01D3は、モバイル機器、ウェアラブル機器、IoT（Internet of Things）機器等に搭載されるRFフロント・エンド回路に最適なSTの集積型受動デバイス（IPD : Integrated Passive Device）の最新製品です。STのIPDプロセスでは、高品質な受動部品をガラス基板上に形成することで、高いコスト競争力、小型実装面積、低電力損失を実現しています。STのIPDファミリには、WLAN、Bluetooth(R)、ZigBee(R)、LTE等の400MHz以上の周波数を使用するRFアプリケーション向けのバランの他に、RFカプラ、ダイプレクサ、バンドパス・フィルタが含まれます。

BALF-NRG-01D3は現在量産中で、ウェハ・レベルのチップ・スケール・パッケージ（4ピン、1.4 x 0.85 x 0.67mm）で提供されます。単価は、5000個購入時に約0.15ドルです。

詳細については、 http://www.st.com//balf-nrg-nb をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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