車載用電源の小型化と環境負荷の軽減を実現する新しいパワーMOSFETを発表

 

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、車載アプリケーション向けに、高耐圧Nチャネル・パワーMOSFETの新製品ファミリを発表しました。AEC-Q101に準拠するこれらの新製品には、STの最先端のスーパー・ジャンクション技術「MDmesh(TM) DM2」ならびにボディ・ダイオードの高速リカバリ特性を実現するライフタイム・コントロール・プロセスが採用されています。また、ブレークダウン電圧範囲は400～650Vで、各種パッケージ（D2PAK、TO-220、TO-247）で提供されます。

ブレークダウン電圧が400Vおよび500Vの製品は、この電圧範囲の製品として業界で初めてAEC-Q101に準拠しました。また、600Vおよび650Vの製品は、競合製品よりも高い性能を実現しています。いずれも、集積された高速ボディ・ダイオード、滑らかな整流動作、およびバックトゥーバック型のゲート・ソース間ツェナー保護を必要とする車載アプリケーション向けに設計されており、フル・ブリッジ型のゼロ電圧スイッチング・トポロジに理想的な製品となっています。

STの新しいパワーMOSFETは、逆回復時間（Trr） / 逆回復電荷（Qrr）とソフトネス・ファクタに関し、車載用半導体市場ではトップクラスの性能を提供する一方、大電流下でのターンオフ・エネルギー（Eoff）にも非常に優れているため、車載用電源の効率が改善されます。さらに、高性能な高速ボディ・ダイオードがEMIに起因する問題を軽減するため、パッシブ・フィルタを小型化することができます。この様にMDmesh(TM) DM2技術は、電力浪費の削減、効率の最大化、最終製品の小型化により、環境負荷の低い電源設計を実現します。

技術的特徴
・高速リカバリ・ボディ・ダイオード
・超低ゲート電荷と入力静電容量 :ゲート電荷44nC、入力静電容量1850pF（500V耐圧・D2PAKパッケージ）
・低オン抵抗
・最高クラスの逆回復時間（Trr）:120ns@28A（600V耐圧・TO-247パッケージ）、135ns@48A（650V耐圧・同パッケージ）
・ゲートからソースへのツェナー保護

単価は、1000個購入時に約3ドル～10ドルで、ブレークダウン電圧とパッケージタイプにより異なります。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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