先進運転支援システム(ADAS)向けに最適なメモリ、2MビットFRAMを開発

125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2Mビットの強誘電体メモリ

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、車載向けのメモリとして1.8Vの低電圧で動作する2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を開発しました。現在サンプルを提供中で、量産品は6月を予定しています。

図1 新製品の8ピンDFNパッケージ

 

 

　本製品は2Mビットのメモリ容量をもち、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースの不揮発性メモリです。この新製品は、先進運転支援システム(ADAS)などの先端車載市場において、低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。

図2 新製品の用途例(ADAS)

　FRAMは、EEPROMやフラッシュメモリと比べて「高書換え耐性」、「高速書込み」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。FRAMは、従来の不揮発性メモリを越える特性をご要求のお客様に採用されてきました。

　MB85RS2MLYは、-40℃～+125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えを保証しています。この特性は、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しています。例えば、毎日0.1秒毎に10年間データを記録（30億回以上）することも可能です。加えて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。したがって、データ書込み回数と信頼性の両方の観点から、本製品はADASのような、車の状態を常に検知し記録し続ける用途向けとして最適です。

 

図3 8ピンDFNと8ピンSOPパッケージ

 

　パッケージは、EEPROMと互換性をもった業界標準の8ピンSOPに加えて、リード無しパッケージとして5.0 x 6.0 x 0.9 mmサイズの8ピンDFN(Dual Flatpack No-leaded package)も提供しています。

　今回、125℃動作のFRAMファミリーとして2Mビット製品を紹介しましたが、当社は4Mビットのメモリ容量をもつFRAM製品も開発中です。
　富士通セミコンダクターメモリソリューションは、今後ともお客様と市場が要求するメモリ製品とソリューションを提供し続けます。

主な仕様
・製品名： MB85RS2MLY
・容量（メモリ構成）： 2Mビット（256K x 8ビット）
・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
・動作周波数： 50MHz（最大）
・動作電源電圧： 1.7V～1.95V
・動作温度範囲： -40℃～＋125℃
・書込み/読出し保証回数： 10兆回（10の13乗回）
・パッケージ： 8ピンSOP, 8ピンDFN
・品質規格： AEC-Q100グレード１準拠

関連リンク
・富士通セミコンダクターメモリソリューショントップページ:
     https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/index.html

・新製品紹介サイト:
   https://www.fujitsu.com/jp/products/devices/semiconductor/memory/fram/lineup/spi-125c-2m-mb85rs2mly.html