CGDのICEGAN HEMTがTSMCの欧州イノベーション・ゾーンで「ベスト・デモ」賞を受賞

エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）( https://camgandevices.com/ )はICeGaN(TM) GaN HEMTシステムオンチップ（SoC）がTSMCの2023年欧州テクノロジー・シンポジウムのイノベーション・ゾーンで「ベスト・デモ（Best Demo）」賞を受賞したと発表しました。

TSMCのGaNプロセス技術を使用して世界のお客様向けに量産を開始しているCGDのICeGaNは通常の複雑な外部駆動回路をGaN HEMTへモノリシックに統合しています。このコンセプトにより、PCBレベルの部品点数を低減し、パワー・トランジスタとシステム全体の堅牢性と信頼性が大幅に向上するだけでなく、ユーザーの選択したゲート・ドライバと組み合わせることが可能になります。CGDが積極的に取り組んでいる高出力、高電圧への拡張も容易になります。業界で画期的な技術のICeGaN：GaN eMode HEMTはSi MOSFETのように駆動することが可能です。ICeGaNの市場での差別化が評価され、TSMCが毎年開催している欧州最大のイベントにおけるスタートアップ企業顧客の最先端製品を展示するイノベーション・ゾーンで来場者から「ベスト・デモ」賞に選ばれました。

GiorGIA LONGOBARDI | 最高経営責任者、CGD

「CGDはTSMCが高電圧GaN業界をリードしており、業界で最も成熟した信頼性の高いプロセスを持っていると確信しています。CGDの独自技術であるICeGaN SoCの生産をTSMCに託した理由もその点にあります。結果的に、TSMCの名誉あるイノベーション賞を獲得することができ、大変嬉しく思います。今回の受賞はCGDにとって特に重要で意義深いことです。なぜなら、私たちはイノベーションを重要な価値として掲げており、技術によってリーダーの地位を獲得することを目指しているからです。また、今回の受賞は新たな地平を切り拓く革新的なGaN技術を市場に投入する上で、両社が成功を収めていることの証でもあります」。

Paul de Bot氏 | ゼネラル・マネージャー、TSMC Europe

「私たちは革新的な技術に対する賞を獲得されたCGDを心から祝福いたします。TSMCはCGDと協力し、さまざまなアプリケーションに取り組む企業に使いやすい650V ICeGaN GaNトランジスタを大量に供給できることを嬉しく思います。今後もGaNパワー半導体技術において、CGDと緊密な関係を保ちたいと考えております」。

CGDが最近市場に投入した第2世代の650V GaN ICとなるICeGaN H2シングルチップeMode GaN HEMTは多くの民生/産業用アプリケーションで鍵となる無負荷/軽負荷の動作において、記録的な低損失を実証しています。

CGDはH1ポートフォリオに加え、65Wから3kWの広い範囲で最高水準の効率性と信頼性を、TSMCの有名な欧州イベントや世界的に知られたカンファレンスで紹介してきました。CGDでは近々、ポートフォリオの拡充を予定しています。ICeGaNにはパワー・トランジスタ・チップ内にモノリシックに集積されたGaNインターフェース回路が搭載されています。その結果、使用が簡素化されるほか、特別なゲート・ドライバ、複雑で損失の多い駆動回路、負電圧供給、外部クランプ部品などが不要となり、シリコンMOSFETのような駆動が可能になります。

この革新的な設計により、極めて高い堅牢性と信頼性を備え、流通しているeMode GaN技術の中で最高水準の性能を持つデバイスが誕生しました。

Cambridge GaN Devicesについて

Cambridge GaN Devices（CGD）はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN™テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors（HVMS）グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。

TSMCについて

TSMCは1987年に設立され、お客様の製品の製造を受託する、世界トップクラスの専業ファウンドリビジネスモデルの先駆者です。業界をリードするプロセス技術と設計支援ソリューションのポートフォリオにより、世界のお客様とパートナーの盛況なエコシステムをサポートし、半導体業界にイノベーションをもたらしています。アジア、欧州、北米において事業をグローバルに展開し、世界各地で企業市民としての貢献を続けています。2022年には288種のプロセス技術を展開し、最先端で特殊な高度パッケージング技術の幅広いサービスを提供することで、532社のお客様を対象に12,698の製品を製造しました。本社は台湾の新竹に置いています。

詳しくはhttps://www.tsmc.comをご覧ください。