京都セミコンダクター　深紫外線のセンシング用途にUVセンサー2製品を開発

GaN タイプUV センサー「KPDU086SU27-H11Q」および「KPDU086SU31-H11Q」でUV-B、UV-Cの深紫外線への高感度を実現

報道関係者各位

京都セミコンダクター　深紫外線*1のセンシング用途にUVセンサー2製品を開発
GaN*2タイプUV センサー「KPDU086SU27-H11Q」および「KPDU086SU31-H11Q」でUV-B*3、UV-C*4の深紫外線への高感度を実現

世界水準の技術を強みに日本品質のものづくりで光デバイス・ソリューションをリードする株式会社 京都セミコンダクター (代表取締役社長　新家 由久、本社: 京都市伏見区、以下京セミ) は、GaN UVセンサー「KPDU086SU27-H11Q」並びに「KPDU086SU31-H11Q」の2製品を開発、発表致しました。

<開発背景>
UVセンサー「KPDU086SU27-H11Q」並びに「KPDU086SU31-H11Q」は、より高感度な特性を求める深紫外線のセンシング市場のニーズに対応するために、従来のSi*5タイプのUVセンサーより特性が優れたGaNタイプのUVセンサーを開発しました。

<製品の特長>
従来のSiタイプ のUVセンサーは広範囲な波長域に感度を持つため、紫外線の波長域に限定して感度を持たせるようにフィルターを施すことが一般的ですが、フィルターを介すことで光量が減衰してしまうという問題がありました。この度開発しましたKPDU086SU27-H11Q並びにKPDU086SU31-H11Qは紫外線の特定の波長域に感度を持つGaNを採用することでフィルターを使用せずに直接センサーの受光部で受光することが可能となり、SiタイプのUVセンサーより約3倍の高感度を得ることが可能となりました*6　。本製品は紫外線の中でもセンシングのニーズが多いUV-B、UV-Cに限定した波長領域に感度を持った製品となります。食品工場や医療機関、浄水関連機関で使用される殺菌ランプの紫外線光量モニターやオゾン検出光源の光量モニターなどにお使いいただけます。

なお、GaN UVセンサー「KPDU086SU27-H11Q」並びに「KPDU086SU31-H11Q」の量産開始は2023年4月28日を予定しています。


製品詳細はこちら
https://www.kyosemi.co.jp/products/kpdu086su27-h11q/
https://www.kyosemi.co.jp/products/kpdu086su31-h11q/


製品画像

＊1　深紫外線: λ=200～300nmの発光波長域の紫外線。UV-B、UV-Cが深紫外線と言われる
＊2　GaN: 窒化ガリウム　ガリウムの窒化物　半導体の一種
＊3　UV-B: λ=280～315nmの発光波長域の紫外線。KPDU086SU31-H11Qの感度波長域
＊4　UV-C: λ=100～280nmの発光波長域の紫外線。KPDU086SU27-H11Qの感度波長域
＊5　Si: シリコン　半導体の一種
＊6　KPDU086SU27-H11Qと弊社Si UVセンサー KPDU400F-2との比較　
https://www.kyosemi.co.jp/products/kpdu400f-2/


<京都セミコンダクターとは>
京都セミコンダクターは、1980年に光半導体の専業メーカーとして京都で創業しました。高性能、高精度を誇る光通信向けおよびセンサー向けの半導体を、ユニークなパッケージング技術をもとに日本の自社拠点で前工程から後工程の一貫体制で製造し、世界のお客様に供給しています。京都セミコンダクターは、世界水準の技術を強みに日本品質のものづくりで、光デバイス・ソリューションをリードします。
会社HP  https://www.kyosemi.co.jp/



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