1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始

高信頼性と低損失を実現

株式会社三社電機製作所（本社：大阪市）はこのたび、高速なスイッチングと低損失を実現する４ピン構造のTO-247パッケージを採用したSiC MOSFETの電流容量50A品を2022年4月より販売いたします。

従来品のモジュール製品（150A、100A）に加えて50Aのディスクリート製品を追加することにより、お客様の幅広いご要望にお応えできるようになりました。

製品写真と接続図

パワーデバイスは、車載用や産業用分野において、さまざまな用途で使用されています。SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途での省エネルギー化のキーデバイスとして期待されています。本製品は還流ダイオード機能を内蔵したSiC MOSFETチップを搭載することで不要なインダクタンスを低減し、SiC MOSFETの性能を引き出す4ピン構造を採用することで高速スイッチングと低損失を実現しています。

【製品の概要】

製品名	型式	耐電圧	電流容量	RDS(ON)	Package
SiC MOSFET	FMG50AQ120N6	1200V	50A	13mΩ(Typ) Vɢꜱ＝20V, ID=50A	TO-247-4L

【新製品の特長】

 

1. SiC MOSFETの性能を最大限に引き出す独自の低損失内部配線と、高放熱と高絶縁を両立した専用パッケージを採用
2. ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、高速スイッチングと低損失を 実現する4ピン構造を採用
3. 理想的なスイッチングを実現するために、不要なインダクタンスを低減できる還流ダイオード機能を内蔵したSiC MOSFETチップを搭載
4. SiC MOSFETの弱点といわれる短絡破壊に対し、装置の安全設計を実現する業界トップクラスの短絡耐量
5. 実使用時の高効率化を実現するチップが高温時（150℃）でも変化の少ないオン抵抗特性
6. 高周波駆動時のノイズに対し、誤動作に強い閾値の高いゲート特性（閾値電圧4.0V（Typ.））

【主な用途】

・産業用インバータ
・無停電電源装置（UPS）
・EV充電器
・各種スイッチング電源

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【環境への配慮】
本製品はRoHS※指令（2011/65/EUおよび(EU)2015/863）に準拠しています。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.

【今後の展望】
SiC MOSFET搭載製品のラインナップを拡充することで、各種電源装置の高信頼性・高効率化、および小型・低コスト化に貢献してまいります。

【三社電機製作所について】
1933年に開発した映写機用電源以来長きにわたり、「パワー半導体」と「電源機器」メーカーとして事業を展開。経営理念として掲げる「常に社会の求める製品の創造につとめ、よりよい品質によって社会の発展に貢献する」のもと研究・開発を行い、高性能、高品質な製品の創造に努めております。さらに詳しい情報は当社ウェブサイト（ https://www.sansha.co.jp/ ）をご覧ください。

【お客様からのお問い合わせ先】
株式会社三社電機製作所　営業本部　半導体営業部
〒 533-0031 大阪府大阪市東淀川区西淡路3-1-56
TEL： [phone]（平日9時～17時）
FAX： [phone]Mail： [e-mail]

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