導通損失を55%低減、逆接続・逆電流防止用の理想ダイオードIC発売

～低損失なデバイスで機器の小型化に貢献～

新電元工業は、逆接続保護・逆電流防止用途に理想ダイオードIC V-Diode(TM)「MF2003SV」を発売しました。本製品はPch MOSFETと逆接続保護・逆電流防止回路を一体化することで、電子機器の低損失化に貢献します。
また従来のダイオードに対して実装面積及び、部品点数の低減が可能なため小型化にも貢献します。

近年の自動車を例にとると、電子機器（ECU：Electronic Control Unit）の高機能化や機能統合、多機能化 に伴い消費電力が増加しています。ECU入力部の逆接続保護・逆電流防止用素子には従来ダイオードが使われてきましたが、電流増加によるダイオードの損失や発熱の増加が機器の放熱対策や小型化の妨げとなってしまいます。そのため損失や発熱を抑えられる逆接続保護・逆電流防止用素子が求められています。

このようなニーズに応えるべくPch MOSFETと逆接続保護・逆電流防止回路を一体化した理想ダイオードIC V-Diode(TM)「MF2003SV」を発売しました。本製品は従来のダイオード※１に比べ、導通損失を55%低減、温度上昇を37%低減、実装面積を75%低減することが出来ます。これにより車載製品など逆接続・逆電流保護を必要とする機器や、出力ORing用途の小型化、低損失化に貢献します。

※１：D15FR4ST 40V/15A(SBD) FRパッケージ品との比較

• 用途例

(1)表示関連のECU(車載用メータ、HUD、IVIシステム等)

(2)先進運転支援システム（ADAS）関連のECU

(3)自動運転（AD）関連のECU

(4)ORingを必要とする機器の入力・出力部

• 特長

(1)損失・温度上昇の低減

Pch MOSFETを使用することで、従来のダイオード※１と比べ導通損失を55%、温度上昇を37%低減。

(2)機器の小型化に貢献する小型パッケージ
ウェッタブル・フランク対応のリードレスパッケージ、WSON8を採用し、従来のダイオード※１と比べ実装面積を75%低減。

■新電元工業株式会社について

新電元工業は、 1949年の設立以来、 パワー半導体やスイッチング電源などパワーエレクトロニクスを主な事業領域として、 独創的な技術を活かした数多くの製品を開発し、 世界各国のお客様の期待と信頼にお応えしてきました。

新電元工業は、 半導体技術、 回路技術、 実装技術を併せ持つ世界でも稀なメーカーとしてコア技術を融合し、 発展・応用させていくことで、 持続可能な社会の実現の一翼を担う製品をご提供していきます。 詳細については新電元工業のウェブサイト（ https://www.shindengen.co.jp/ ）をご覧ください。

■お問合せ先

新電元工業株式会社 営業統括部

[e-mail]