AI半導体向け材料の生産能力を拡大
～ 絶縁接着フィルムと放熱シート、約150億円投資 ～
NCFは、高性能半導体に搭載されるHBM※2と呼ばれるメモリーを、接続しながら多段積層するために使用されます。NCFには接着力とデバイスの接続信頼性に加え、サブミクロン単位の厚み精度が要求されます。当社はNCFの前身にあたるダイボンディングフィルムの開発・製造で長年培った技術、及び経験を生かし、要求される品質を実現しています。
TIMは、高性能半導体の放熱用に使用されます。TIMには、発熱するチップの熱を素早く放熱する熱伝導性と、繰り返しの温度変化に耐える信頼性、及びチップと冷却器※3の微小な凹凸に密着する柔軟性が求められます。当社は、独自技術を使い、柔軟なシート材に特殊な形※4で黒鉛粒子を加えることで、要求される性能を達成しております。
現在、高性能半導体を前工程で進化させることは、技術とコストの両面から限界が近づいているとも言われます。そのため近年では、後工程で複数のチップを高密度に実装し、高機能化を実現する2.xD、3Dパッケージ※5がキーテクノロジーとなっています。
当社は、パッケージングソリューションセンター（PSC）※6、及びJOINT2※6コンソーシアムを活用して、次世代に向けた半導体パッケージ材料の研究開発を推進しています。今後も、国内外の半導体関連企業とグローバルに共創し、高性能半導体の進化を、最先端の材料で支えていきます。
NCF
TIM
※1 情報元：Gartner（AI半導体市場の金額規模として）
※2 High Bandwith Memory（広帯域幅メモリー）の略。メモリーチップの積み重ね、及びTSV（貫通電極）を前提としたメモリ規格。
従来のメモリーより帯域幅が広く、大量の情報を高速に処理できる。
※3 チップが高温になる高性能半導体などの、パッケージ上部に取り付けられる金属製の放熱板。
※4 独自の製造技術により、黒鉛粒子をシート面に対し垂直に配向させている。これによりシートを介して素早く熱を伝えることができる。
※5 2.5Dはインターポーザー上にICチップを並列配置する技術。3DはTSV（シリコン貫通電極）を用いてチップを積層する技術。
※6 後工程材料、評価・実装技術のオープンイノベーション・研究開発拠点。先端半導体パッケージの製造装置（ウェハーを分断するダイシン
グから、チップマウント、パッケージ封止、検査・評価にいたるまで）をフルラインナップで備える。当社が設立した半導体関連企業14社か
らなる次世代半導体パッケージのコンソーシアム「JOINT2」もPSCを拠点に活動している。
以上
【Resonac（レゾナック）グループについて】
レゾナックグループは、2023年1月に昭和電工グループと昭和電工マテリアルズグループ（旧日立化成グループ）が統合してできた新会社です。半導体・電子材料の売上高は、約3,400億円に上り、特に半導体の「後工程」材料では世界No.1の企業です。２社統合により、材料の機能設計はもちろん、自社内で原料にまでさかのぼって開発を進めています。新社名の「Resonac」は、英語の「RESONATE：共鳴する・響き渡る」と、Chemistryの「C」の組み合せです。今後さらに共創プラットフォームを生かし、国内外の半導体メーカー、材料・装置メーカーとともに技術革新を加速させます。詳しくはウェブサイトをご覧ください。
株式会社レゾナック・ホールディングス https://www.resonac.com/jp/
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