【慶應義塾】フレキシブル基板上の磁性薄膜において「階段状磁場」を加えることで効率的に磁壁を発生させ、室温・低磁場での創発インダクタンスの観測に成功

－超高感度磁気センサーとして期待－

慶應義塾大学大学院理工学研究科の松島悠(修士課程2年)、張子京(博士課程3年)、畠山紘(修士課程1年)、同大学理工学部の海住英生教授らは、ブラウン大学物理学科の萧鋼教授、慶應義塾大学グローバルリサーチインスティテュート（スピントロニクス研究開発センター）の船戸匠特任助教、中国科学院大学カブリ理論科学研究所の松尾衛准教授と共同で、フレキシブル基板上の磁性薄膜において室温・低磁場での創発インダクタンスの観測とそのメカニズム解明に成功しました。今回、磁性材料としてよく用いられるパーマロイ（ニッケルと鉄の合金）磁性薄膜に対して「階段状磁場」を加えることで効率的に磁壁を発生させ、この磁壁を電流により駆動させることで、低磁場かつ巨大な創発インダクタンスの観測に成功しました。また、ランダウ・リフシッツ・ギルバート方程式と統計論を組み合わせることでそのメカニズムを解明しました。この成果は、フレキシブル磁気エレクトロニクスに新たな道を切り拓くものです。
本研究成果は1月10日（米国東部時間）に『Applied Physics Letters』（オンライン）に掲載されました。

▼全文は本学のプレスリリースをご参照ください。

https://www.keio.ac.jp/ja/press-releases/files/2024/1/11/240111-2.pdf