太陽電池・通信・民生アプリケーションの省電力設計を可能にする第6世代パワーMOSFETファミリを拡充

定格電圧が増加した最新のSTripFET(TM) VI DeepGATEパワーMOSFETが、
DC-DCアプリケーションに優れたオン抵抗とスイッチング性能を提供
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
な主要半導体メーカーで、パワー半導体の主要サプライヤであるSTマイクロ
エレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、第6世代のSTripFET(TM)技術を採用
した高効率パワー・トランジスタ・ファミリを拡充しました。これにより、
様々なアプリケーションにおいて、先進的な省電力性を実現するさらなる選択肢
を設計者に提供します。

STripFET VI DeepGATE技術を用いた最新のパワーMOSFETの耐圧は最大80Vで、
太陽電池（マイクロ・インバータ）、通信、ネットワークおよびサーバ用電源に
使用することができます。高い定格電圧が通信アプリケーション（48V）に
おける信頼性の高い動作を可能にするため、事業者は効率の改善により回線運用
コストの低減が可能になります。さらに、コンスーマ機器用電源の消費
エネルギーが減少し動作温度が低下するため、ユーザにおける快適性の向上と
機器の長寿命化につながります。

今回発表された製品は、STP260N6F6 / STH260N6F6-2（60V耐圧）、STP210N75F6
/ STH210N75F6-2（75V耐圧）およびSTL75N8LF6（80V耐圧）の5製品です。
これらの製品は、STの最新世代DeepGATE(TM)トレンチMOSFET構造を採用しており、
この種の製品としては業界で最も低いオン抵抗（ダイ面積当り）を実現して
います。そのため、小型の業界標準パッケージにこれらの低損失製品を実装する
ことが可能になり、顧客はシステムの大幅な効率向上と同時に、プリント基板
サイズの最小化と全体的な部品コスト低減を実現できます。

主な特徴
・ブレークダウン電圧：60V / 80V
・オン抵抗：0.0016Ω（STH260N6F6-2）
・定格電流：180A（STx260F6N6）
・100%アバランシェ評価済み

STP260N6F6およびSTP210N75F6は現在入手可能で、TO-220パッケージ（スルー
ホール型）にて提供されます。単価は1000個購入時に約3.20ドルです。また、
STH210N75F6-2およびSTH260N6F6-2は、H(2)PAK-2パッケージ（表面実装型）にて
提供されます。単価は1,000個購入時に約3.50ドルです。STL75N8LF6は、実装
面積の低減と共に電力処理能力を最適化したPowerFLATパッケージ（5 x 6mm）で
提供され、2011年第3四半期にサンプル出荷を予定しています。単価は1000個
購入時に約1.50ドルです。大量購入時の単価については、お問い合わせください。

詳細については、 http://www.st-japan.co.jp/jp/analog/class/824.jsp
をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2010年の売上は
103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）: http://www.st.com

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