【新刊案内】酸化物半導体薄膜技術の全て 鵜飼 育弘 著 発行:(株)シーエムシー・リサーチ

Review on Technologies Related to Oxide Semiconductor Thin-Film

CMCリサーチ

材料科学や化学、半導体関連の先端技術やその市場動向に関するレポート発行やセミナー開催を行う(株)シーエムシー・リサーチ(東京都千代田区神田錦町、https://cmcre.com/)では、このたび「酸化物半導体薄膜技術の全て」と題する書籍を2019年10月10日に発行いたしましたので、お知らせします。
書籍の定価は、90,000円+消費税となっており、ご購入受付中です。書籍目次の詳細や販売については以下の弊社サイトをご覧ください。
 https://cmcre.com/archives/52376/
【新刊案内】酸化物半導体薄膜技術の全て
 https://cmcre.com/archives/52376/

◎刊行にあたって
「酸化物半導体薄膜技術の全て」と題した本書は次の章から構成される。
第1章 酸化物半導体とは
第2章 薄膜トランジスタの基礎
第3章 TFT LCDの基礎
第4章 AMOLEDの基礎
第5章 非晶質酸化物半導体TFT
第6章 結晶性酸化物 半導体TFT
第7章 AMOLEDへの応用
第8章 TFT LCDへの応用
第9章 X線ディテクタパネル

本書の目的は、大きく分けて以下の3点である。
(1) 酸化物半導体TFTの基本的性能を理解し、応用デバイスの開発および実用化につなげる。
(2) 最新技術を理解する上で必要な基礎技術を取得。
(3) デバイスを構成する部品および材料に関する最新技術とその動向の取得

本書が読者諸賢にいささかでも役立つなら著者の喜びとするところであり、同時に本書の内容について、諸賢各位に御叱責をお願いする次第である。
                                        鵜飼 育弘

■ 発 行:2019年10月10日
■ 執筆:鵜飼 育弘
■ 定 価:冊子版 90,000円 + 消費税
   ★ メルマガ会員:定価の10%引き!
■ 体 裁:A4判・並製・205頁・カラー
■ 編集発行:(株)シーエムシー・リサーチ
  ISBN 978-4-904482-66-7

◇ 酸化物半導体薄膜技術を理解するのに必要な基礎技術を解説
◇ 応用デバイスの開発および実用化につながる酸化物半導体TFTの基本的性能を解説!
◇ デバイスを構成する部品 ・ 材料に関する最新技術とその動向を紹介!
◇ 酸化物半導体薄膜技術の動向を豊富な図・写真(カラー)で紹介!
◇ 技術の基礎、最新技術から 応用の動向までを1 冊で!

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     https://cmcre.com/archives/52376/

 

【本書の構成および内容】
第1章 酸化物半導体とは
1. 酸化物半導体とは
2. 酸化物半導体の現状と展望

第2章 薄膜トランジスタの基礎
1. はじめに
2. 電界効果トランジスタと薄膜トランジスタ
3. 薄膜トランジスタの種類と開発経緯
 3.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体薄膜トランジスタ(Ⅱ-Ⅵ Compound Semiconductor TFT)
 3.2 アモルファスa-Si
 3.3 低温ポリシリコン
 3.4 高温ポリシリコン薄膜トランジスタ
 3.5 酸化物半導体薄膜トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors:MO-TFT)
 3.6 有機半導体薄膜トランジスタ(Organic Semiconductor Thin-Film Transistor:OTFT)
4. a-SiTFTのデバイス構造と電気的特性
 4.1 デバイス構造
 4.2 電圧―電流特性
 4.3 空間制限電流と応答時間
 4.4 しきい電圧(VT)のシフト
5. LTPS-TFTのデバイス構造と電気特性
 5.1 LTPS-TFTのデバイス構造
 5.2 LTPS-TFTの電気的特性
6. 酸化物半導体薄膜トランジスタ
 6.1 InGaZnO(IGZO)TFT
参考文献

第3章 TFT-LCDの基礎
1. はじめに
2. 技術沿革
3. 液晶とは
4. 偏光と偏光板
5. 分子配列と表示モード
 5.1 分子配列
 5.2 表示モード
 5.3 TN-ModeLCD
6. 広視野角技術
 6.1 画素分割法(Halftone-GrayScale:HTGS法)
 6.2 IPS-ModeLCD(In-Plane Switching Mode LCD)
 6.3 VA(Vertical Alignment)モード
7. アクティブマトリックス駆動方式
8. フレーム反転駆動
 8.1 フィールドスルー現象と対策
 8.2 フレーム反転方式
 8.3 コモン電極
9. インパルス表示とホールド表示
 9.1 TFT-LCDの動画ぼやけ(motionblur)
 9.2 オーバードライブ駆動技術
 9.3 黒挿入駆動と倍速駆動
10. 表示容量とTFT特性
参考文献

第4章 AMOLEDの基礎
1. はじめに
2. 技術沿革
3. AMOLEDの特徴、要求事項、技術的課題
4. OLEDの動作原理と発光材料
 4.1 動作原理と発光効率
 4.2 発光材料とデバイス構造
5. 駆動方式とバックプレーン技術
 5.1 駆動方式
 5.2 バックプレーン技術
6. カラー化と色塗り分け技術
 6.1 3色方式
 6.2 カラーフィルタ方式
 6.3 色変換方式
7. OLEDの生産工程
 7.1 色塗り分け技術
 7.2 封止技術
8. TFT-LCDとAMOLED比較
 8.1 駆動方式
 8.2 応答時間
 8.3 視野角
 8.4 色再現範囲
 8.5 解像度
 8.6 消費電力
 8.7 モジュール厚
 8.8 寿命
参考文献

第5章 非晶質酸化物半導体TFT
1. はじめに
2. なぜa-IGZOTFTが実用化されたのか
 2.1 IGZO実用化の歴史
 2.2 なぜIGZOは実用化されたのか
 2.3 新材料実用化の必要条件
 2.4 おわりに
3. 酸化物半導体・デバイスの電子構造、材料設計と成膜条件
 3.1 電気絶縁体の種類
 3.2 バンド絶縁体
 3.3 モット絶縁体
 3.4 Anderson局在
 3.5 トポロジカル絶縁体
4. a-InGaZnO4(a-IGZO)
5. a-Ga2O3(a-GO)薄膜作製
6. Sr系酸化物半導体c-SrGeO3
7. Si酸化物の半導体はできるか?
8. まとめ
9. モルファスIGZOTFTの性能と信頼性を向上させるためのヘテロ接合チャネルエンジニアリン
 9.1 はじめに
 9.2 ホモ接合およびヘテロ接合IGZOチャネルを有するTFTの製造プロセス
 9.3 IGZO111およびHI-IGZOTFTの電気的特性とPBTS安定性
 9.4 ヘテロ接合IGZO111TFTの電気的性質とPBTS安定性
 9.5 ヘテロ接合IGZOTFTにおけるキャリア輸送機構
 9.6 結論
10. IGZO薄膜トランジスタにおける水素化効果とフレキシブルデバイス
 10.1 背景
 10.2 IGZO:Hの成膜と特性
 10.3 150℃で作製したIGZO-TFTの特性
 10.4 フレキシブル基板上へのショットキーダイオード(SDs)作製
 10.5 まとめ
 10.6 著者所見
参考文献

第6章 結晶性酸化物半導体TFT
1. 結晶性酸化物半導体の組成評価とFET特性
 1.1 はじめに
 1.2 結晶性IGZOの種類
 1.3 In-richIGZO-TFT特性とOS膜内部の材料構成
 1.4 おわりに
2. スピネル型ZnGa2O4を用いた高耐久性薄膜トランジスタの開発
 2.1 背景と研究開発目的
 2.2 実験方法
 2.3 結晶構造と光学特性
 2.4 強酸への耐性
 2.5 pHセンサ
 2.6 デバイス特性
 2.7 まとめ
 2.8 おわりに
参考文献

第7章 AMOLEDへの応用
1. はじめに
2. 電子注入層材料としてのC12A7エレクトライド
 2.1 エレクトライドとは
 2.2 C12A7エレクトライド
3. アモルファス電子化物でIGZOに最適なOLED構造の実現
 3.1 OLED用電子流入層
 3.2 OLEDの性能
 3.3 旭硝子のC12A7エレクトライドとZSO(NewTAOS)ターゲット
 3.4 製造プロセスの提案:LCDの製造プロセスを適用
 3.5 OLEDの特性改善
4. 正孔注入・輸送材料
5. 有害元素フリーの高効率青色発光体を実現
6. OLEDマイクロLED
 6.1 はじめに
 6.2 高効率技術
 6.3 著者所見
参考文献

第8章 TFT-LCDへの応用
1. 半導体エネルギー研究所のメモリ画素を有する液晶ディスプレイパネル(PixelAI))
 1.1 はじめに
 1.2 半導体エネルギー研究所(SEL)の取り組み
 1.3 CAAC-IGZOの特徴
 1.4 液晶ディスプレイのピクセルAI
 1.5 パネル仕様と結果
 1.6 ソースドライバ
 1.7 結論
 1.8 著者所見
2. シャープのフリーフォームディスプレイ
 2.1 はじめに
 2.2 ゲートドライバのモノリシック化
 2.3 画素内へのゲートドライバ回路
 2.4 狭額縁フリーフォームディスプレイ
3. シャープIGZO
 3.1 第5世代IGZO
 3.2 8k映像モニター
参考文献

第9章 X線ディテクタパネル
1. a-SiTFTとSeを用いたX線ディテクタパネル
 1.1 はじめに
 1.2 X線検出方式と変換膜
 1.3 直接変換用TFTアレイ
 1.4 変換プロセスとディテクタパネルの構成
2. 国内に於けるX線ディテクタパネルのび製品化
3. LDGのIGZO-TFTを用いたX線ディテクタパネル
 3.1 LGDのOxide DXD
 3.2 Oxide DXDの構造と等価回路
 3.3 Oxide DXDの特性
4. X線フラットパネルディテクタの市場
参考文献

おわりに

謝辞

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 EV World partⅡ Matching among the Elemental(Co and Li) resources,
 Cathode and Anode material and the Li-ion battery Production. 2018-2030.
 ■ 発 刊:2019年9月10日
 ■ 調査・執筆:菅原 秀一
 ■ 定 価:本体価格 90,000円 + 消費税
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 ■ 体 裁:A4判・並製・267頁(カラー印刷)
 ■ 編集発行:(株)シーエムシー・リサーチ
 ISBN 978-4-904482-65-0

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(3)3Dプリンター・造形材料の市場動向と最新業界レポート
 Market Trends of 3D printer and its material
 ■ 発 刊:2019年8月30日
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 ■ 体 裁:A4判・並製・239頁
 ■ 編集発行:(株)シーエムシー・リサーチ
  ISBN 978-4-904482-64-3

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(4)リチウムイオン電池&全固体電池製造技術
 ■ 発 刊:2019年6月30日
 ■ 定 価:冊子版 90,000円 + 消費税
  PDF版(CD) 90,000円 + 消費税
  セット(冊子+CD) 100,000円 + 消費税
  ★ メルマガ会員:定価の10%引き!
 ■ 体 裁:A4判・並製・本文244頁
 ■ 編集発行:(株)シーエムシー・リサーチ
  ISBN 978-4-904482-63-6

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(5)骨格筋研究を核とした筋スマート社会
 Aiming “Smart and Healthy Society” Based on Skeletal Muscle Researches
 ■ 発 刊:2019年6月14日
 ■ 監 修:長森 英二
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 ■ 体 裁:A4判・並製・362頁
 ■ 監 修:菅野了次(東京工業大学)
 ■ 編集発行:(株)シーエムシー・リサーチ
  ISBN 978-4-904482-51-3

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代表者名
初田 竜也
上場
未上場
資本金
-
設立
1984年04月