2月28日(水) AndTech「半導体基板におけるめっき技術の基礎と材料技術・課題」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定
NPOサーキットネットワーク大久保 利一 氏（元凸版印刷）第2部 関西大学 教授 新宮原 正三 氏第3部 JCU 総合研究所 執行役員 副所長 大野 晃宜 氏 にご講演をいただきます。
半導体の微細化が物理的な限界を迎えつつあり、さらなる性能向上を目的にパッケージング技術と新しい材料の技術を組み合わせる“Advanced Package（アドバンスドパッケージ）”と呼ばれる技術が注目されている。
本講演では、注目を集める“Advanced Package”技術の必要性と、それら技術において電気配線の形成に必要不可欠なめっきや硫酸銅めっき事例について解説する。
本講座は、2024年02月28日開講を予定いたします。 詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1eeb99f4-13ba-6012-bad7-064fb9a95405
テーマ：半導体基板におけるめっき技術の基礎と材料技術・課題
開催日時：2024年02月28日(水) 13:00-16:50
参 加 費：44,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1eeb99f4-13ba-6012-bad7-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
ープログラム・講師ー
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第1部 半導体実装基板におけるめっき技術の基礎
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第1部 NPOサーキットネットワーク 大久保 利一 氏（元凸版印刷）
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第2部 半導体パッケージにおける三次元微細配線の高性能めっき技術とメカニズム
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第2部 関西大学 教授 新宮原 正三 氏
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第3部 Advanced Package用硫酸銅めっきプロセスについて
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第3部 株式会社JCU 総合研究所 執行役員 副所長 大野 晃宜 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
・各種半導体実装基板には、どのようなめっき技術が使われているか。
・微細銅回路導体は、めっきでどのように形成されるか。
・部品接合のための端子の表面処理は、どのようなものがあるか。
・めっきは次世代基板の要求特性にも対応し得るポテンシャルを持つが、さらに適合性を高めるためにどうするかについての知識も得られます。
本セミナーの受講形式
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
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本件に関するお問い合わせ
株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
【第1講】 半導体実装基板におけるめっき技術の基礎
【時間】 13:00-14:15
【講師】NPOサーキットネットワーク 無所属 大久保 利一 氏
【講演主旨】
半導体実装基板の製造において、めっきは非常に重要なプロセスである。回路導体や層間接続、および部品接合のための端子の表面処理に、半導体側も含めて各種めっき技術が用いられている。半導体の進化に伴う実装基板の技術発展により、要求特性に対してめっき技術もレベルアップが望まれるが、用途によっては従来技術がそのまま使われるものもある。めっきは、「液中に分子単位の大きさで存在する金属イオンを還元して析出させる」もので、次世代の要求特性にも対応し得るポテンシャルを持つ。
このセミナーでは、代表的な半導体パッケージ基板と、そこで使われている各種めっき技術の基礎について解説する。
【講演キーワード】
半導体パッケージ 基板 インターポーザ 実装 微細回路 微細接合 電極表面処理 電解めっき 無電解めっき
【習得できる知識】
・各種半導体実装基板には、どのようなめっき技術が使われているか。
・微細銅回路導体は、めっきでどのように形成されるか。
・部品接合のための端子の表面処理は、どのようなものがあるか。
・めっきは次世代基板の要求特性にも対応し得るポテンシャルを持つが、さらに適合性を高めるためにどうするか。
【講演のポイント】
既存から先端の各種半導体実装基板に適用されている、各種めっき技術をわかりやすく解説する。めっきは、次世代製品にも必ず適用され得る重要技術である。「ブラックボックス」のイメージを払拭してほしい。
【プログラム】
1．はじめに
1-1 「めっき技術」の展望
1-2 各種半導体実装基板等で用いられるめっき技術
2．主な半導体実装基板と製造プロセス
2-1 FC-BGA
2-2 シリコンインターポーザ
2-3 リードフレーム
3．導体形成のための各種めっきプロセス
3-1 電解銅めっき
3-2 無電解銅めっき
4．接合のための各種めっきプロセス
4-1 接合のための表面処理の目的
4-2 各種電解めっき （Ni/Auめっき、はんだめっき、Agめっき 他）
4-3 各種無電解めっき （Ni/Auめっき、置換Snめっき 他）
5. おわりに これからは管理技術が一層重要に
【第2講】 半導体パッケージにおける三次元微細配線の高性能めっき技術とメカニズム
【時間】 14:30-15:45
【講師】関西大学 システム理工学部機械工学科 教授 新宮原 正三 氏
【講演主旨】
半導体３次元実装技術のための無電解めっきによるバリアメタル堆積及びCu埋め込み技術について解説を行う。
【プログラム】
1．めっき技術の基礎
1-1 電解Cuめっき技術とは
1-2 無電解めっき技術とは
2．無電解バリアメタルめっき技術
2-1 無電解バリアメタル技術の経緯
2-2 拡散バリア性評価技術
2-3 薄膜密着性評価技術
2-4 Co合金めっき技術
3．無電解Cuめっきによるボトムアップ堆積技術
3-1 無電解Cuめっき浴の還元剤
3-2 添加剤（抑制剤）の効果
3-3 ボトムアップ堆積による形状制御
4. 電解Cuめっきによるボトムアップ堆積技術
4-1 Cuめっき浴への各種添加剤の効果（抑制剤、促進剤）
4-2 室温放置及び熱処理による結晶粒成長と添加剤
4-3 微細孔へのCuボトムアップ堆積
５．TSVへの無電解バリアメタル及びその上のダイレクトCu電解めっき技術
【第3講】 Advanced Package用硫酸銅めっきプロセスについて
【時間】 16:00-16:50
【講師】株式会社JCU 総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長 大野 晃宜 氏
【講演主旨】
近年、人工知能（AI）や高機能モバイル端末の普及により、より高い計算性能や多種多様な機能を統合した高機能デバイスが求められている。これらを実現するために日々、半導体技術の微細化技術は「ムーアの法則」にのっとり発展をしてきた。しかしながら昨今では、半導体の微細化が物理的な限界を迎えつつあり、さらなる性能向上を目的にパッケージング技術と新しい材料の技術を組み合わせる“Advanced Package（アドバンスドパッケージ）”と呼ばれる技術が注目されている。
本講演では、注目を集める“Advanced Package”技術の必要性と、それら技術において電気配線の形成に必要不可欠な硫酸銅めっき（基礎も含め）について解説する。
【講演キーワード】
半導体後工程、Advanced Package、3D、2.xD、インターポーザ、硫酸銅めっき、RDL、TSV、Pillar、ハイブリット接合
【習得できる知識】
・Advanced Package技術における表面処理（硫酸銅めっき）に関する知識
・硫酸銅めっきの基礎知識
【講演のポイント】
半導体後工程のAdvanced Package技術には、様々な用途で硫酸銅めっきが使用されるが、必要とされる性能が異なる。
それらの異なる性能や特徴について当社製品を交えて解説する。また、硫酸銅めっきの基礎についても解説する。
【プログラム】
１． Advanced Package技術の必要性
２．Advanced Package用硫酸銅めっき
2-1 RDL用
2-2 Mega（Tall） Pillar用
2-3 TSV用
2-4 Hybrid Bonding用
３．硫酸銅めっきの基礎
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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