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株式会社AndTech
会社概要

03月14日(木) AndTech「次世代レジストにおける技術開発動向・設計と反応機構・性能評価」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定

関西大学 工藤 宏人 氏、量子科学技術研究開発機構 山本 洋揮 氏、リソテックジャパン株式会社/大阪公立大学 関口 淳 氏、東京応化工業株式会社 太宰 尚宏 氏にご講演をいただきます。

AndTech

 株式会社AndTech(本社:神奈川県川崎市、代表取締役社長:陶山 正夫、以下 AndTech)は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるレジスト材料での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「次世代レジスト 」講座を開講いたします。

EUV用レジスト材料の反応機構と反応機構に基づいた高性能化、メタルレジスト材料の性能評価研究について紹介!
本講座は、2024年03月14日開講を予定いたします。 詳細:https://andtech.co.jp/seminars/1ee9d630-74bb-6674-9c64-064fb9a95405


  • Live配信・WEBセミナー講習会 概要


テーマ:次世代レジストにおける技術開発動向・設計と反応機構・性能評価

~フォトレジスト、EUV対応、メタルレジスト・ブロック共重合体(BCP)の自己組織化構造の活用~

開催日時:03月14日(木) 10:30-16:50

参 加 費:55,000円(税込) ※ 電子にて資料配布予定

U R L :https://andtech.co.jp/seminars/1ee9d630-74bb-6674-9c64-064fb9a95405

WEB配信形式:Zoom(お申し込み後、URLを送付)


  • セミナー講習会内容構成


 ープログラム・講師ー

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第1部 高感度化フォトレジスト材料の入門~化学増幅型レジストからメタルレジストまでの基礎から・材料の設計と開発・評価~(仮題)

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講師 関西大学  化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 工藤 宏人 氏

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第2部  EUVレジスト材料の反応機構、高性能化と メタルレジスト材料の性能評価

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講師 量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター/主幹研究員 山本 洋揮 氏

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第3部 EUVレジスト、メタルレジストの評価技術(仮題)

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講師 リソテックジャパン株式会社/大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士(工学)/大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏

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第4部 ブロック共重合体の次世代半導体リソグラフィ技術への展開

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講師 東京応化工業株式会社 開発本部 リソグラフィープロセス材料研究グループ 課長 太宰 尚宏 氏


  • 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

・レジストシステムとレジスト材料について

・化学増幅型レジストシステムについて

・極端紫外線(EUV)レジストについて

・メタルレジストについて

・最先端のレジスト材料の課題について

DSAパターニングの基礎から、必要な材料、具体的なパターニング方法、最新の開発動向など技術上の課題を解説する。


  • 本セミナーの受講形式

 WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

 詳細は、お申し込み後お伝えいたします。


  • 株式会社AndTechについて

 化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

 幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

 弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

 「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

 クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

  https://andtech.co.jp/


  • 株式会社AndTech 技術講習会一覧

一流の講師のWEB講座セミナーを毎月多数開催しております。

https://andtech.co.jp/seminars/search

 

  • 株式会社AndTech 書籍一覧

選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

https://andtech.co.jp/books

 

  • 株式会社AndTech コンサルティングサービス

経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

https://andtech.co.jp/business-consulting


  • 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech 広報PR担当 青木

メールアドレス:pr●andtech.co.jp(●を@に変更しご連絡ください)



  • 下記プログラム全項目(詳細が気になる方は是非ご覧ください)


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第1部 高感度化フォトレジスト材料の入門~化学増幅型レジストからメタルレジストまでの基礎から・材料の設計と開発・評価~(仮題)


【講演主旨】

※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。

 フォトレジスト材料は、化学増幅型システムを基盤として、露光システムの変遷と共に進化してきた。前半は、その進化の変遷について、高分子や低分子を用いたレジスト材料の開発について、基礎的な原理を交えて解説する。続いて、KrF、ArF、EB、およびEUVレジスト材料の合成例と分子設計指針について基礎から応用までを解説し、レジスト材料の基礎的な評価方法から、新規なレジスト材料の開発方法について解説する。さらに後半では、最新のレジスト材料としてEUVレジスト材料(分子レジスト、非化学増幅型レジスト、メタルレジスト)について解説する。


【プログラム】

※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。

  1.レジスト材料(基礎)

     1.1 原理

     1.2 合成例

     1.3 最新の化学増幅型

    2.ポジ型レジスト材料(基礎)

     2.1 合成方法

     2.2 評価方法

    3.ネガ型レジスト材料(基礎)

     3.1 合成方法

     3.2 評価方法

    4.高分子レジスト材料と低分子レジスト(基礎と応用)

     4.1 合成方法

     4.2 評価方法

    5.EUVレジスト材料の評価方法と開発方法の実例(基礎と応用)

    6.最新型レジスト材料(メタルレジスト、EB、EUV用レジスト材料)(応用と発展)

【質疑応答】


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第2部 EUVレジスト材料の反応機構、高性能化と メタルレジスト材料の性能評価


【講演主旨】

 コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。


【プログラム】

 1.はじめに

 1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷

 1.2 EUVリソグラフィの現状と課題

 1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム

2.EUV/EBレジストの反応機構

 2.1 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構

 2.2 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化

 2.3 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性

 2.4 EUV/EB化学増幅型レジストの問題点

 2.5 EUV/EBレジストの設計指針

3.メタルレジスト材料の性能評価

 3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要

 3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成

 3.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化

 3.4 メタルレジスト材料の性能評価

4.今後の課題

【質疑応答】


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第3部 EUVレジスト、メタルレジストの評価技術(仮題)


【講演主旨】

※現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。

 EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法についても、解説します。


【プログラム】

※現在講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。

1.EUVLの概要

 1.1 EUVLの概要

 1.2 EUVL用レジスト

2.アウトガス評価技術

 2.1 EUVLレジストのアウトガス評価方法

 2.2 EUVLレジストのアウトガス評価装置

3.EUVレジストの評価技術

 3.1 EUV透過率測定

 3.2 ナノパーティクル添加レジストの高感度化

 3.3 屈折率nk測定

 3.4 EUV2光束干渉露光

4.EUVメタルレジストの評価技術

 4.1 メタルレジストの概要

 4.2 EUVメタルレジストのアウトガス分析

 4.3 EUVメタルレジストの問題点

5.EUVフォトレジストと電子線レジストの感度

【質疑応答】


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第4部 ブロック共重合体の次世代半導体リソグラフィ技術への展開


【講演主旨】

 フォトリソグラフィにおいて解像可能な最小の配線幅は露光光源の波長に比例するため、微細化に向け露光光源の短波長化が進んでいる。Sub-10nmの解像性を実現するため既存フォトリソグラフィに代わる技術開発が期待され、EUV露光技術を中心とし量産適用に向け研究開発が進んでいる。一方で分子の自己組織化などのボトムアップ技術を用い極微細パターンを形成する技術して注目を浴びているのがブロック共重合体(BCP)の自己組織化構造を利用したDSAによるリソグラフィ技術であり、研究レベルから工業化に向け大きな進歩を遂げている。本講演ではBCPを用いたDSAパターニング技術について紹介するとともに、BCPの次世代微細加工用レジストへの展開を見据えた最近の研究例について紹介する。


【プログラム】

1.DSA技術の基礎

2.DSAパターン形成に必要な材料

3.自己組織化から誘導自己組織化へ

4.DSA技術のメリット

5.DSA技術の課題

6.次世代DSA技術 High-chi材料

【質疑応答】


* 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

* 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以 上

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URL
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業種
サービス業
本社所在地
神奈川県川崎市多摩区登戸2833-2 パークサイドヴィラ102
電話番号
044-455-5720
代表者名
陶山 正夫
上場
未上場
資本金
300万円
設立
2009年08月
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