大容量データを保存可能な業界初の4Mbit EEPROMを発表

・小型かつ低コストの8ピン・パッケージで提供される業界初の4Mbit EEPROM
・データ・ストレージの拡張により、スマート機器の機能と精度を向上
・幅広いアプリケーションに採用されているSTのシリアルEEPROM

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、業界初となるメモリ容量と、高い速度および信頼性を兼ね備えた次世代のEEPROMを発表しました。日常生活や業務で使用される機器の性能を向上させ、高い利便性や効率の実現に貢献します。

4Mbitの容量を持つ新しいEEPROMであるM95M04は、小型機器でもSPIを介して大量のデータを取得し保存することができます。スマート・メータなどの装置では高精度なデータ記録ができるため、より効果的なグリッド管理や、より簡略化された課金処理を実現します。また、携帯型医療機器では、患者のデータをより多く記録できるためケアの質が上がり、コンスーマ向けのスマート・ウェアラブル機器ではユーザ機能の拡充や精度の向上に貢献します。加えて、このようなアプリケーションでは、メモリの低消費電力を活かして、バッテリ駆動時間を延長することもできます。この他にも、産業機器制御やネットワーク・スイッチなどの通信インフラといったさまざまなアプリケーションで活用可能です。

STのメモリ事業部ジェネラル・マネージャであるBenoit Rodriguesは、次のようにコメントしています。「STは、シリアルEEPROMにおける世界的リーダーとして認知されており、今後も技術革新を推し進めていきます。当社のEEPROMは、コンスーマ機器、産業機器および車載機器など、幅広いアプリケーションに使用されています。今回発表した業界初の4Mbit EEPROMには、EEPROMの製造プロセスでは業界最先端となるST独自の110nm CMOSプロセス技術が採用されています。」

STのM95M04は、大容量データ・ストレージと優れた電力効率により、コスト重視のアプリケーションに適しています。10億回のフルメモリ読み書きサイクル限界試験に耐え、高い信頼性に定評のあるSTの幅広いポートフォリオを拡充します。512バイトの書き込みに要する時間はわずか5msで、低遅延の高速システムを可能にします。

M95M04は現在サンプル出荷中で、1000個購入時の参考価格は約2.50ドルです。

技術情報
M95M04は高密度の不揮発性ストレージで、アプリケーション・コード、キャリブレーション、ユーザ・パラメータといった記録保持データと、繰り返し上書きされるデータ記録に対応します。

大容量メモリを8ピンのSO8NパッケージおよびTSSOP8パッケージで実現しており、競合製品と比べてコスト・パフォーマンスに優れています。例えば、マイクロコントローラとFlashメモリを組み合わせたEEPROMエミュレーション・メモリや、強誘電体メモリ（FRAM）、磁気抵抗メモリ（MRAM）などの競合製品は、CMOS EEPROMと比べて消費電力が大きく、電源電圧範囲が狭くなります。

M95M04は、1.8V～5.5Vという幅広い電源電圧範囲と40年間のデータ保持期間を特徴とし、SO8Nパッケージ、TSSOP8パッケージ、または最先端のWLCSPチップ・スケール・パッケージ（8ボール）で提供されます。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2018年の売上は96.6億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。

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