4月25日(金) AndTech「先端半導体パッケージング技術に向けたハイブリッドボンディング・接合技術と周辺部材の開発 ~ポリマー/Cu接合の低温化・製造プロセス新テープ~」Zoomセミナーを開講
横浜国立大学 井上 史大 氏 三井化学 研究開発本部 ご担当者 三菱マテリアル 三田工場 技術開発室 中川 卓眞 氏 リンテック 次世代技術革新室 田久 真也 氏にご講演をいただきます。

株式会社AndTech(本社:神奈川県川崎市、代表取締役社長:陶山 正夫、以下 AndTech)は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるハイブリッド接合技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「半導体パッケージングハイブリッドボンディング・接合」講座を開講いたします。
半導体の将来を担う技術の一つとして注目度が高まっているのが後工程技術を駆使するパッケージ技術、その重要技術としてのハイブリットボンディングを紹介、世界的にも研究が進むチップレベルのハイブリッド接合技術をはじめ、チップレット技術の最新動向と課題、後工程強化に向けた取り組みなどを紹介します。
本講座は、2025年04月25日開講を予定いたします。 詳細:https://andtech.co.jp/seminars/1f000b2a-58ec-6886-bf69-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ:先端半導体パッケージング技術に向けたハイブリッドボンディング・接合技術と周辺部材の開発
~ポリマー/Cuハイブリッド接合の低温化・ハイブリッド・ボンディング対応製造プロセス向け新テープ開発~
開催日時:2025年04月25日(金) 13:00-17:35
参 加 費:60,500円(税込) ※ 電子にて資料配布予定
U R L :https://andtech.co.jp/seminars/1f000b2a-58ec-6886-bf69-064fb9a95405
WEB配信形式:Zoom(お申し込み後、URLを送付)
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
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第1部 次世代パッケージング技術に向けたハイブリッド接合技術開発の現状と今後
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講師 横浜国立大学 准教授 井上 史大 氏
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第2部 ポリマー/Cuハイブリッド接合の低温化に向けた新規接着材料の開発
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講師 三井化学株式会社 研究開発本部 ICTソリューション研究センター 半導体・実装ソリューショングループ ご担当者
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第3部 ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討
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講師 三菱マテリアル株式会社 三田工場 技術開発室 実装プロセスグループ 中川 卓眞 氏
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第4部 半導体パッケージ製造プロセス向け 新テープの開発とハイブリッド・ボンディング対応
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講師 リンテック株式会社 次世代技術革新室/室長代理 田久 真也 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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SnAgめっき及びはんだ接合プロセス
Cu接合技術
電気めっきの基礎
ナノポーラスCu構造と接合
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
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本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス:pr●andtech.co.jp(●を@に変更しご連絡ください)
下記プログラム全項目(詳細が気になる方は是非ご覧ください)
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第1部 次世代パッケージング技術に向けたハイブリッド接合技術開発の現状と今後
【講演主旨】
半導体の将来を担う技術の一つとして注目度が高まっているのが後工程技術を駆使する「チップレット集積」。チップレットはメリットが多い一方で、ビジネスや設計で課題が山積しています。またもちろん製造面でも乗り越えるべき技術課題があります。本講演では、世界的にも研究が進むチップレベルのハイブリッド接合技術をはじめ、チップレット技術の最新動向と課題、後工程強化に向けた取り組みなどを紹介します。
【プログラム】
1、チップレット集積
2、ハイブリッド接合の研究動向と課題
3、ウエハレベルハイブリッド接合
4、チップレベルハイブリッド接合
【質疑応答】
【講演のポイント】
2.1D、2.5D、3Dと幅広くチップレット技術の研究に従事してきた経験を踏まえて、語られることの少ないハイブリッド接合の世界的な開発動向から技術詳細まで語ります。
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第2部 ポリマー/Cuハイブリッド接合の低温化に向けた新規接着材料の開発
【講演主旨】
現在考案中です
【プログラム】
現在考案中です
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第3部 ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討
【講演主旨】
電子機器の小型化・高性能化に伴い、内蔵される半導体においても小型化・集積化が急激に進んでいる。現在、はんだバンプを利用した接合技術が一般的であるが、半導体の次世代接合技術として狭ピッチ相互接続に対応する為の様々な構造や接合工程が研究されている。
本講演では、SnAgはんだバンプの代替接合技術として、求められる要素を紹介すると共に、現状のCu直接接合技術の課題について紹介する。また、ナノポーラスCu(NP-Cu)構造体の形成方法及びこの構造体を用いた新規接合技術についても紹介する。
【プログラム】
1.はじめに
2. 実験方法
2.1 NP Cu めっき膜を用いた接合試験・評価
3. 評価結果・考察
3.1 DPC 法による NP Cu めっき膜の作製
3.2 脱合金法による NP Cu めっき膜の作製
3.3 NP Cu めっき膜を用いた接合試験
3.4 μ-bump 接合への適用可能性
4. ま と め
【質疑応答】
【講演のポイント】
Cu直接接合技術では、現状のSnAgプロセスに比べて、高コスト、低スループットなど量産化するための課題がたくさん存在する。ナノポーラスCu構造を利用することで現行プロセスを展開可能でき、非常に期待されている技術である。
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第4部 半導体パッケージ製造プロセス向け 新テープの開発とハイブリッド・ボンディング対応
【講演主旨】
近年開発が加速するChip on Wafer(CoW)のプロセスでは、一般的にダイシング済の薄チップをコレットと呼ばれる移載ジグで搬送して、接合されるウエーハ上に搭載するが、コレットでチップ表面に接触するため、汚染の機会が多いこと、薄チップの反りがボンディング不良をまねくこと、が課題となっている。ダイレクト・トランスファ・ボンディングは、ボンディングツールを用いて薄化チップをテープ越しに圧着させるため、この課題の解決策として期待されている。この工法に適応する、透明性、易剥離性、テープ剥離後の低残渣性を兼ね備えたテープ、およびその検証結果を紹介する。
【プログラム】
1.ダイレクト・トランスファー・ボンディングとは
1-1 ダイレクト・トランスファー・ボンディングの概要
1-2 ダイレクト・トランスファー・ボンディングのメリット
2.ダイレクト・トランスファー・ボンディング対応キャリア・テープとは
2-1 キャリア・テープに必要な特性1;透明性
2-2 キャリア・テープに必要な特性2:易剥離性
2-3 キャリア・テープに必要な特性3:低残渣性
3.テストチップを用いたボンディング評価結果
3-1 実験DOE
3-2 実験結果
3-3 考察
4.今後に向けて
4-1 エキスパンド・プロセスとの融合
4-2 まとめと今後
【質疑応答】
* 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
* 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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