1月28日(水)AndTech WEBオンライン「半導体高集積化技術：先端リソグラフィ技術の開発動向と先端パッケージ技術の基礎・最新の微細再配線層（RDL）形成プロセス」Zoomセミナー講座を開講予定
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる「半導体高集積化技術」における課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「半導体高集積化技術（先端リソグラフィ技術／先端パッケージ技術）」講座を開講いたします。
半導体高集積化技術の両輪である【先端リソグラフィ技術】と【先端パッケージ技術】について基礎から最新技術動向まで網羅的に解説！
本講座は、2026年01月28日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f0a3e63-7acb-6102-97be-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：半導体高集積化技術：先端リソグラフィ技術の開発動向と先端パッケージ技術の基礎・最新の微細再配線層（RDL）形成プロセス
開催日時：2026年01月28日(水) 10:30-16:30
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f0a3e63-7acb-6102-97be-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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１）先端リソグラフィ技術の動向
２）先端半導体パッケージ技術の基礎
３）微細再配線層（RDL）形成プロセスの動向
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【講演主旨】
生成AIの進化とともに大量のデータ処理がデータセンターに集まり、その処理を超高速度に低消費電力、低損失に行うために半導体チップに対して大きな要求がなされています。このため微細化（先端リソグラフィ；半導体前工程）に加えて、集積化を促進する積層構造（先端パッケージ；半導体後工程）がクローズアップされています。本講演では両技術のロードマップを紹介した後、先ず先端リソグラフィ技術の開発動向を述べます。ここでは最先端工程で用いられているEUVリソグラフィ／EUVレジストを中心に、ダブル／マルチパターニング、自己組織化（DSA）リソグラフィについて解説します。続いて先端パッケージ技術の基礎を述べます。ここでは中核技術である2.5Dパッケージ技術（CoWoS等）の特徴と課題、厚膜レジストの特性等を解説します。最後に今後の微細化が求められるチップ間接続のキープロセスである再配線層（RDL）形成プロセスの現状と要求・課題、今後の展望を解説します。
【プログラム】
1. ロードマップ
1.1 リソグラフィ技術のロードマップ
1.2 半導体パッケージ技術のロードマップ
1.3 最先端デバイスの動向
2. 先端リソグラフィ技術の開発動向
2.1 ダブル/マルチパターニング
2.1.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
2.1.2 リソーエッチ（LE）プロセス
2.1.3 セルフアラインド（SA）プロセス
2.2 EUVリソグラフィ
2.2.1 EUVリソグラフィの特徴
2.2.2 EUVリソグラフィの基本と課題
2.2.3 高NA EUVリソグラフィの現状と課題
2.2.4 EUVレジスト
2.2.4.1 EUVレジストの基本
2.2.4.2 EUVレジストの課題と対策
2.2.4.2.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2.2.4.2.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
2.2.4.3 EUVレジストの動向
2.2.4.3.1 ネガレジストプロセス
2.2.4.3.2 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
2.2.4.4 EUVメタルレジスト
2.2.4.5 EUVメタルドライレジストプロセス
2.3 自己組織化（DSA）リソグラフィ
2.3.1 グラフォエピタキシー
2.3.2 ケミカルエピタキシー
3. 先端半導体パッケージ技術の基礎
3.1 Flip-Chip BGA（FC-BGA）
3.2 Fan-Out Wafer-Level Package (FOWLP)
3.2.1 Integrated Fan-Out（InFO）
3.3 2.5D パッケージ技術
3.3.1 シリコンインターポーザー型（CoWoS-S、I-CubeS）
3.3.2 有機インターポーザー型（CoWoS-R、R-Cube）
3.3.3 シリコンブリッジ型（CoWoS-L、EMIB、I-CubeE）
3.4 3DIC
3.4.1 ハイブリッドボンディング
3.5 厚膜レジストの特性
3.5.1 厚膜レジストの用途
3.5.2 厚膜レジストの性能と課題
3.5.3 厚膜レジストの材料
4. 微細再配線層（RDL）形成プロセスの現状と要求・課題、今後の展望
4.1 再配線層のロードマップ
4.2 SAP方式
4.3 ダマシンCMP方式
4.3.1 ダマシンCMP用パターン形成方法
4.3.2 有機誘電体材料の必要特性
【質疑応答】
【キーワード】
リソグラフィ、レジスト、EUVリソグラフィ、EUVレジスト、ダブルパターニング、マルチパターニング、自己組織化（DSA）リソグラフィ、パッケージ、CoWoS、厚膜レジスト、ハブリッドボンディング、再配線層（RDL）、有機誘電体材料
【講演のポイント】
半導体高集積化技術の両輪である先端リソグラフィ技術と先端パッケージ技術について、基礎から最新技術動向まで把握できます。最新のロードマップにおける位置づけ、ビジネス動向を確認できます。
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＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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