STマイクロエレクトロニクス、モーション制御と電力変換向けにスマート保護機能を備えた高速スイッチングのGaNドライバを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、幅広い電力 / モーション制御アプリケーションにおいてGaN（窒化ガリウム）の優れた効率、熱性能、小型化を実現する、新しい高速ハーフブリッジ･ゲート･ドライバ2種を発表しました。

「STDRIVEG212」および「STDRIVEG612」は、それぞれ最大220Vおよび600Vのハイサイド電圧で動作し、エンハンスト･モードGaN HEMTに対して厳密に制御された5Vのゲート駆動信号を供給します。両製品とも、ハイサイド / ローサイドの5Vリニア･レギュレータ（LDO）、ハイサイド側のブートストラップ･ダイオード、ならびに低電圧ロックアウト（UVLO）などの保護機能をコンパクトなQFNパッケージに集積しています。

高速起動の電圧レギュレータを集積しているため、ドライバの出力電圧を安定化し、精密なゲート制御を可能にしています。また、過電流の検出時に両方のGaN HEMTをオフにするコンパレータも組み込んでいます。スマート･シャットダウン（smartSD）機能により、十分冷却されるまでオフ状態を自動的に維持し、フォルト･ピンから過電流、過熱、UVLOのレポートを取得できます。

両製品は、特にモーション制御などハード･スイッチングのアプリケーションにおいてGaN技術の利点を最大化するという特徴があります。ハイサイド / ローサイド間の伝播遅延時間はわずか50nsに収まるように厳密にマッチングされており、5µsのハイサイド起動時間と±200V/nsのdV/dt過渡電圧にも耐えられるため、回転数を増やすことができます。

内蔵LDOは大電流容量を備え、シンク側とソース側に独立したパスを提供します（シンク側は最大1.8A / 1.2Ω、ソース側は0.8A / 4.0Ω）。このゲート･ドライバの出力アーキテクチャにより、回路設計者はターンオン時とターンオフ時のインピーダンスを個別に設定でき、それぞれのdV/dtとdI/dtを最適化できます。これにより、ターンオフ･ダイオードが不要になります。この結果、部品点数の削減、ゲート･ループ･インダクタンスの低減、マージン増加によるターンオフの高速化が可能になり、不要な誘導ターンオンを防止できます。

両製品とも、20Vまで耐えられるロジック入力ピンと、停止中の消費電力を抑制する専用シャットダウン･ピンを備えており、システムの設計と集積を簡略化できます。また、両製品に対応した評価ボード「EVLSTDRIVEG212」も現在提供されています。

STDRIVEG212とSTDRIVEG612は産業機器向けの製品で、-40°C ~ +125°Cの温度範囲で動作が保証されています。どちらも現在量産中で、QFNパッケージ（4 x 5mm）で提供されます。単価は、1000個購入時に約1.25ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて

STは、約48,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

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アナログ･MEMS･センサ製品グループ

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