STマイクロエレクトロニクス、高効率電源向けパワーICファミリを拡充するMasterGaN7シリーズを発表

最新のGaN技術を採用し、ゲート駆動電圧を安定化するLDOと、ピン制御のシャットダウン･モードを集積

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、650Vのエンハンスメント型GaNトランジスタ（最大定格電流6A）とドライバ回路を集積した新製品「MasterGaN7」シリーズを発表し、「MasterGaN」ファミリのラインアップを拡充しました。同シリーズは、電源アダプタや充電器、産業用照明機器、太陽光発電システム用マイクロインバータなどのアプリケーションにおいて、エネルギー効率と電力密度の向上に貢献します。

 

MasterGaN7は、ハーフブリッジ構成で接続された2つの650V GaNトランジスタと、高耐圧・高周波のゲートドライバをQFNパッケージに集積しています。ピン配置と実装面積は、他のMasterGaN製品と共通です。最新世代のGaN技術によって高速動作と高効率化を実現するとともに、低ドロップアウト（LDO）レギュレータを新たに採用し、ゲート駆動電圧を安定化することで、最適なスイッチング性能を実現します。また、超高速ウェイクアップに対応したピン制御のシャットダウン･モードも備えているため、無負荷時の消費電力を最小化することができます。

 

MasterGaN7は、45nsの伝播遅延と超高速のウェイクアップ時間、短い最小オン時間により、最大2MHzのスイッチング周波数に対応します。これにより、小型の外付け磁気部品や受動部品のみで構成できるため、実装面積と部材コストの削減、および電力密度の向上に貢献します。また、ハイサイド･ドライバへの電源供給用に、ブートストラップ･ダイオードも内蔵しています。

 

MasterGaNファミリの全製品は、アクティブ･クランプ･フライバック･コンバータや非対称型ハーフブリッジ･コンバータ、反転型降圧コンバータ、LLC共振コンバータ、力率改善（PFC）コンバータ、DC-ACインバータなど、多様な回路構成に対応しています。さらに、貫通電流を防止するインターロックや低電圧ロックアウト（UVLO）、サーマル･シャットダウンなどの保護機能も集積しています。高い集積度により、システムの実装面積と部材コストの削減に加え、回路レイアウトの簡略化に貢献します。

 

MasterGaN7は、-40℃ ~ +125℃の温度範囲で動作します。同製品は現在量産中で、QFNパッケージ（9 × 9 mm）で提供されます。1,000個購入時の単価は、3.83ドルからです。

 

評価ボード「EVLMG7」も提供されており、設計者はハードウェアを迅速にセットアップして開発を開始できます。同ボードはSTのeSToreで入手可能です。

 

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

 

STマイクロエレクトロニクスについて

STは、約49,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

 

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