5月14日(木)AndTech「半導体CMP技術の概要と材料除去メカニズム、研磨砥粒の開発とスラリーの分散性評価技術の動向、後洗浄の特徴」WEBオンラインZoomセミナー講座を開講予定
株式会社荏原製作所 今井 正芳 氏、国立大学法人東海国立大学機構 岐阜大学 畝田 道雄 氏、日揮触媒化成株式会社 碓田 真也 氏、大塚電子株式会社 加藤 丈滋 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる半導体CMP技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「半導体CMP技術」講座を開講いたします。
半導体製造におけるCMP・洗浄工程の概説・特徴にはじまり、「素材・砥粒メーカーの視点からの砥粒の物性と機能の関係、取り扱い方と注意事項」や「接触画像解析法およびその場観察技術を用いたCMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果」、「CMPスラリーのゼータ電位を用いた分散性評価、ウェーハのゼータ電位測定法と静電相互作用の評価」について解説・紹介！
本講座は、2026年05月14日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f11e98b-a593-63b4-b280-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：半導体の微細化・高性能化に向けたCMP技術の概要と材料除去メカニズムおよび研磨砥粒の開発とスラリーの分散性評価技術の動向、後洗浄の特徴
開催日時：2026年05月14日(木) 10:30-16:50
参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f11e98b-a593-63b4-b280-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
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第1部 半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴
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講師 株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
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第2部 CMPの材料除去メカニズム ―副資材（パッド・スラリー）の可視化に基づく理解―
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講師 国立大学法人東海国立大学機構 岐阜大学 工学部 機械工学科 機械コース / 教授 畝田 道雄 氏
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第3部 シリカ系粒子の特徴と半導体研磨への応用技術
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講師 日揮触媒化成株式会社 ファイン研究所MM第一研究グループ 碓田 真也 氏
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第4部 CMPスラリーの分散性評価とウェーハとの静電相互作用
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講師 大塚電子株式会社 計測分析機器開発部 アプリケーション技術グループ 加藤 丈滋 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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・半導体技術ロードマップ～CMP装置の基礎知識～一般半導体の洗浄とCMP後の洗浄の基礎知識。
・CMP（Chemical Mechanical Polishing）の基礎原理と材料除去機構
・CMP中におけるパッド・基板・スラリーの接触界面現象
・接触画像解析による接触界面観察および評価手法
・CMPにおけるスラリー挙動と加工現象との関係
・接触面積率と材料除去レートとの関係
・CMPプロセス理解のための評価指標と解析の考え方
・砥粒に対する要求性能と課題
・シリカ砥粒の物性と機能の関係
・シリカ砥粒のハンドリングにおける課題と注意事項
・動的光散乱法/電気泳動光散乱法の基礎理論
・ウェーハのゼータ電位測定法
・スラリーの分散凝集の評価法
・ウェーハの静電相互作用の評価法
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
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本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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第1部 半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴
【講演主旨】
電子媒体であるチップ構造は、微細化一辺倒から三次元化も含めて形態の複雑化、使用される材料の変化が継続的に進められております。半導体製造工程の一つであるCMP技術においては、微細化に伴う、平坦性、欠陥抑制は更なる厳しい値が求められており、新たな構造や材料の変化にも対応しなければなりません。今回の講演では、CMP装置の基本的な構造を述べ、特にCMP後の洗浄については一般の半導体洗浄との違い、CMP独特な洗浄課題と解決策などについてわかりやすく解説します。
【プログラム】
1. はじめに・・・2030年に向けたSEMI・CMP市場
2. 半導体製造におけるCMP工程の概説
1) CMP(Chemical Mechanical Polisher/Planarization)とは
2) CMPの研磨部の基本構成
a) 原理
b) 研磨ヘッドの種類と歴史
c) エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
d) 装置構成（研磨部、洗浄部、搬送部）
3. 半導体業界の洗浄工程について
1) 工程数（Logic, NAND, DRAM)
4. 一般洗浄とCMP後の洗浄
5. Cu洗浄と腐食
6. 今後のCMP後洗浄
7. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
CMP, 研磨ヘッド, エンドポイント, 半導体洗浄, CMP後洗浄, Cu腐食
【講演のポイント】
●先端CMP装置の基礎と、平坦性のトレンドについてわかりやすく解説します。
●講演者は、数十年にわたり半導体洗浄プロセス技術に関わっており、一般の半導体洗浄プロセス技術とCMP後の洗浄技術の大きな差について気付き、そのあたりを経験から詳しく解説します。
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第2部 CMPの材料除去メカニズム ―副資材（パッド・スラリー）の可視化に基づく理解―
【講演主旨】
CMP（Chemical Mechanical Polishing）は半導体基板や各種基板の最終平坦化工程として広く用いられているが，スラリー中の砥粒がどのように基板へ作用して材料除去が生じるかについては十分に理解されていない．本講演では，接触画像解析法およびその場観察技術を用いて，CMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果を紹介する．さらに，これらの結果をもとに，スラリーのみならずパッドを含めた副資材の接触状態と材料除去との関係について考察し，CMPにおける材料除去メカニズムについて解説する．
【プログラム】
1．CMP（Chemical Mechanical Polishing）の基礎
1.1 CMPプロセスの概要
1.2 材料除去機構に関する従来の考え方
1.3 CMPプロセスにおける未解明課題
2．CMPにおける接触界面現象
2.1 パッド・基板・スラリーの接触状態
2.2 スラリー流れ場と材料除去挙動
3．接触界面観察技術
3.1 接触画像解析法の原理
3.2 その場観察装置の構成
3.3 CMP界面観察のための実験手法
4．CMP加工中の接触界面挙動の可視化
4.1 接触界面観察結果
4.2 スラリー流動の観察結果
4.3 接触面積率の評価
5．スラリー挙動と材料除去の関係
5.1 接触面積率と除去レートの関係
5.2 パッド特性と加工特性
5.3 CMPにおける材料除去メカニズムの考察
6．まとめと今後の展望
【質疑応答】
【キーワード】
・CMP（Chemical Mechanical Polishing）
・CMPプロセス
・スラリー流れ場
・接触界面観察
・接触画像解析
・エバネッセント場観察
・接触面積率
・材料除去メカニズム
・精密研磨
【講演のポイント】
CMP中の接触界面をその場観察し，接触画像解析によりスラリーとパッドの接触状態を可視化した研究成果を紹介する．接触面積率やスラリー挙動の解析結果をもとに，CMPにおける材料除去メカニズムを実験的に示すとともに，加工現象の理解に有用な評価手法について解説する点が特徴である．
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第3部 シリカ系粒子の特徴と半導体研磨への応用技術
【講演主旨】
微細化・高性能化が進む半導体製造プロセスにおいて、平坦化プロセスであるCMPの重要性と、砥粒に対する要求は高まり続けている。本講座では砥粒の物性と機能の関係、砥粒の取り扱い方と注意事項について、素材・砥粒メーカーの視点から解説する。
【プログラム】
1. 半導体CMPの概略
2. 砥粒に対する要求性能と課題
3. シリカ砥粒の物性と機能の関係
4. シリカ砥粒のハンドリングにおける課題と注意事項
5. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
半導体CMP、砥粒、コロイダルシリカ、研磨速度、欠陥
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第4部 CMPスラリーの分散性評価とウェーハとの静電相互作用
【講演主旨】
半導体ウェーハの研磨プロセスに用いられるCMPスラリーの分散性は、ウェーハの高品質化や欠陥の抑制に欠かせません。CMPスラリーの分散性の評価法として、光散乱法を用いた粒子径およびゼータ電位測定技術の概要と評価事例を紹介します。ゼータ電位は、CMPスラリーにおける分散性に寄与するだけではなく、研磨時の研磨レートや研磨後の洗浄時にも有効なパラメータです。本講座では、CMPスラリーのゼータ電位を用いた分散性評価に加えて、ウェーハのゼータ電位測定法と静電相互作用の評価について紹介します。
【プログラム】
1. CMPスラリーの分散性およびウェーハのゼータ電位測定法
1.1 スラリーの分散と凝集
1.2 粒子径測定～動的光散乱法の基礎～
1.3 ゼータ電位測定～電気泳動光散乱法の基礎～
1.4 ウェーハのゼータ電位測定法
1.5 光散乱装置の概要
2. CMPスラリーの評価事例
2.1 CMPスラリーの分散性評価(塩濃度、添加剤、砥粒、pH)
2.2 静電相互作用の評価(研磨パッド、ウェーハ)
3. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
CMPスラリー、ナノ粒子、分散、凝集、光散乱、ゼータ電位、DLVO理論、静電相互作用
【講演のポイント】
CMPスラリー分散条件の検討に有効な、光散乱法を用いた粒子径、ゼータ電位の測定法の基礎とその評価事例を紹介し、本評価技術を用いて、より高品質なスラリーの開発やスラリーの品質管理にお役立ていただきたいです。
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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