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6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の成膜に成功

2026年5月13日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

Si基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜の成膜に成功

2026年5月13日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

「びわこ半導体構想」本格始動に向けての事務局設立のお知らせ

2026年5月13日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

立命館大学発スタートアップ Patentix、シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で総額約 1億5,000万円 の資金調達を実施

2026年4月6日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

2026年3月31日 16時20分 Patentix株式会社 　　 　　

アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認

2026年3月31日 16時20分 Patentix株式会社 　　 　　

Patentix株式会社、「J-Startup KANSAI 2025」に選定

2026年1月26日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

Patentix,第40回ネプコン展に初出展

2026年1月13日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

奥野製薬工業、「びわこ半導体構想」に参画

2025年11月18日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

FZ法を用いたr-GeO₂バルク結晶の育成に世界で初めて成功

2025年10月31日 09時00分 Patentix株式会社