BEAM TechnologiesはJAXAと半導体の軌道上実証に関する共同研究を開始しました

理化学研究所発のスタートアップである株式会社BEAM Technologies（本社：東京都千代田区、代表取締役：飯村 一樹、以下「BEAM」）は、国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構（JAXA）宇宙探査イノベーションハブと、微小重力環境を活用したIII-V族化合物半導体の高品質結晶成長に関する共同研究を2026年8月31日より開始いたしました。本共同研究では、重力に起因する熱対流を抑制した条件下での結晶成長について検討を行い、地上では到達が難しい低転位化の可能性を探ります。

共同研究の背景と目的

III-V族化合物半導体は、光デバイスや電子デバイスの材料として欠かせない存在です。特に本研究で対

象とするGaSb（アンチモン化ガリウム）は、赤外線探知機や赤外線レーザー、高周波通信デバイスな

どの基板として注目されており、高い信頼性が要求される宇宙産業や環境モニタリング等において極め

て重要です。

これらの半導体デバイスのさらなる高性能化・高効率化のためには、基盤となる結晶材料の低転位化（

高品質化）が不可欠です。しかし、地上でのバルク結晶成長においては、重力による熱対流に起因して

結晶欠陥（転位）が導入されてしまうという根本的な課題がありました。

本共同研究では、熱対流が極めて小さくなる微小重力環境での結晶成長に着目し、対流を抑制した状態

における結晶欠陥の挙動と低転位化の可能性を検討します。これにより、将来的なIII-V族化合物半導体

全体の高品質化に向けた基礎データを取得することを目的としています。

研究内容と両者の役割

本共同研究では、一方向凝固法によるGaSbの結晶成長を対象に、微小重力環境下での実験条件の検討

と、成長した結晶の評価手法の確立と、微小重力が転位密度や結晶品質に与える効果を定量的に評価す

るための枠組みを構築します。

両者の役割として、JAXA宇宙探査イノベーションハブは、実験サンプルの準備および実験計画の立案

に関する技術的助言を行います。一方、BEAMはIII-V族化合物半導体に関する高度な専門性を活かし、

結晶成長条件の検討と結晶評価を担うとともに、本共同研究の成果を実用デバイスの改善へと結びつけ

る検証を進めていきます。

今後の展望

本共同研究で得られる知見・技術を地上の製造プロセスへとフィードバック・応用し、高品質なIII-V

族化合物半導体基板技術の確立を目指します。

これにより、宇宙産業をはじめとする最先端デバイスの性能向上と信頼性の向上に貢献してまい

ります。

※本リリースは、BEAMとJAXA宇宙探査イノベーションハブによる共同研究の開始をお知らせするものであり、特定の軌道上実験の実施が決定していることを示すものではありません。

会社概要

理化学研究所発のスタートアップである当社は、独自のバンドエンジニアリング技術を軸に、化合

物半導体AlGaN（アルミニウムガリウムナイトライド）において世界最高水準の出力を実現してき

ました。現在は、その結晶育成技術を応用し、AlGaNに限らず、地球の重力下では製造が困難な多

様な化合物半導体の超高品質結晶を、宇宙の微小重力環境で製造するプラットフォームの構築に取

り組んでいます。

会社名：株式会社BEAM Technologies

代表取締役：飯村 一樹

所在地：東京都千代田区二番町9番地3

設立：2022年3月

事業内容：微小重力を活用した半導体製造プラットフォーム事業

URL：https://beam-tec.co.jp/

■ 本件に関するお問い合わせ先

株式会社 BEAM Technologies 担当：田中

Email：[e-mail]