京都先端科学大学　松波 弘之特任教授が日本学士院賞を受賞

天皇陛下のご臨席のもと、学士院賞を授与される松波特任教授（写真提供　日本学士院）

京都先端科学大学（所在地：京都市右京区、学長：前田 正史） ナガモリアクチュエータ研究所　松波　弘之特任教授（以下、松波特任教授）が、「日本学士院賞」を受賞し、7月13日に天皇陛下のご臨席のもと、東京・上野の日本学士院で行われた授賞式に出席しました。日本学士院賞は、学術上優れた研究業績に対して授与される、わが国最高の栄誉ある賞の一つです。今回は、「電力制御用炭化ケイ素素子の開発・実用化の研究」に対して贈られました。松波特任教授は、1968年に半導体材料として炭化ケイ素（シリコンカーバイド：SiC）に着目し、研究を続けてきました。1975年にはSiCを用いた青色発光ダイオードを世界で初めて開発。そして、1987年にSiCの高品質単結晶化を実現する「ステップ制御エピタキシー（SCE）法」を発明し、高耐圧・高耐熱で、動作時の電力損失を格段に低減する革新的なSiCパワー半導体を開発しました。現在SiCパワー半導体は、電力消費の大きい発電所やデータセンター、電車や電気自動車などで広く使用されています。