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デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

7時間前 Patentix株式会社 　　 　　

アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認

7時間前 Patentix株式会社 　　 　　

ダイヤモンドMOSFETを用いたDC/DCコンバータを世界で初めて実証

2026年3月18日 15時00分 株式会社Power Diamond Systems 　　 　　

京都先端科学大学 松波 弘之特任教授が日本学士院賞受賞

2026年3月13日 16時10分 京都先端科学大学 　　 　　

ダイヤモンドMOSFETで世界初の200V・1Aスイッチング動作を実現

2026年3月12日 15時00分 株式会社Power Diamond Systems 　　 　　

人工ダイヤモンド材料の増産体制を構築

2026年2月16日 09時00分 株式会社ビーマップ 　　 　　

Patentix株式会社、「J-Startup KANSAI 2025」に選定

2026年1月26日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

サン工業　EV・半導体産業を支える次世代めっき技術を「ネプコン ジャパン」で公開

2026年1月15日 14時25分 サン工業　株式会社 　　 　　

パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始

2026年1月14日 14時30分 三菱電機株式会社 　　 　　

シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明

2026年1月14日 13時30分 三菱電機株式会社