パワー半導体「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」サンプル提供開始

電力損失を最大で約19％低減、産業用機器向けインバーターの低消費電力化に貢献

三菱電機株式会社

2026年5月19日 16時00分

　三菱電機株式会社は、工作機械や産業用ロボット等を制御するインバーターや大容量モータードライブ装置（※1）などに使用されるパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用NXタイプ 1.2kV IGBT（※2）モジュール」10機種のサンプル提供を6月15日から順次開始します。最新の第8世代IGBTを搭載することで電力損失を最大で従来製品比約19％低減（※3）し、産業用機器向けインバーターなどの低消費電力化に貢献します。

　なお、本製品は「PCIM Expo & Conference 2026」（6月9日～11日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）や、日本、中国等で開催される展示会へ出展予定です。

　近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大しています。なかでも産業用パワー半導体モジュールは、工場の工作機械や産業用ロボットに使用されるモーター等を効率的に運転や制御をするインバーターなどに使用されています。脱炭素社会の実現に向けて、産業用機器においては、さらなる低消費電力化の重要性が高まっており、これらに使用されるパワー半導体モジュールにおいても、より高効率・高出力な製品が求められています。

　当社のパワー半導体モジュールは、1990年にIGBTを搭載して以降、優れた性能と高い信頼性が評価され、民生分野、自動車分野、産業分野、電力分野、鉄道分野など、さまざまな用途で採用されています。特に製品の性能に大きく貢献するIGBTについては、低電力損失化・高信頼性を目指して開発を続け、最新世代として、独自のSDA構造（※4）やCPL構造（※5）を採用した第8世代のIGBTを開発しました。

　今回、サンプル提供を開始する「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」は、最新の第8世代IGBTを搭載しインバーターの低消費電力化に貢献します。また、IGBTとダイオードのチップ配置の最適化により、従来製品と同一のパッケージで、従来製品比1.25倍（※6）の定格電流1000A品を新たにラインアップし、インバーターの高出力化に貢献します。この他、産業用NXタイプのパッケージを継続採用することで、従来製品との入れ替えが容易となり、インバーターの開発期間の短縮にも貢献します。

　当社は、今後も拡大が見込まれるパワー半導体の需要に対して、市場ニーズに合わせた製品を迅速かつ安定的に供給することで、各分野のパワーエレクトロニクス機器の省エネ化を加速させ、GX（Green Transformation）に貢献していきます。

■新製品の特長

1．最新の第8世代IGBTを搭載し、電力損失を最大で従来製品比約19％低減、インバーターの低消費電力化に貢献

・独自のSDA（※4）構造の採用により、高速スイッチング動作の課題であるノイズ発生の要因となるdv/dt（※7）を抑制。第7世代IGBTと比較してスイッチング速度の上昇が可能となり、ターオン時の電力損失を低減

・独自のCPL構造（※5）の採用により、IGBTの破壊につながるターンオフ時の過電圧を抑制し、IGBTチップの薄厚化を実現。ターンオン、ターンオフおよび導通時の電力損失を低減

・これらにより、従来の第7世代IGBT搭載製品と比較して電力損失を最大で約19％低減（※3）し、インバーターの低消費電力化に貢献

2．従来製品比1.25倍の最大定格電流1000A品を新規ラインアップし、インバーターの高出力化に貢献

・IGBTとダイオードのチップ配置の最適化により、従来製品と同一パッケージで従来製品比1.25倍（※6）の定格電流1000A品を新たにラインアップ。インバーターの高出力化に貢献

3．従来製品とのパッケージ互換により、インバーターの開発期間の短縮に貢献

・産業用NXタイプのパッケージを継続採用し、外形サイズや端子位置などを同一としたことで、現在採用されている従来製品からの入れ替えが容易となり、インバーターの開発期間の短縮に貢献

■製品仕様

■製品担当

三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所

〒819-0192 福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号

■三菱電機グループについて

　三菱電機グループは、「Our Philosophy」のもと、サステナビリティを経営の根幹に据え、社会・顧客・株主・従業員をはじめとしたステークホルダーからの信頼を重んじてまいります。また、「収益性」「資本効率」「成長性」を追求するとともに、顧客と繋がり続けて社会課題を解決する新たな価値を創出し、企業価値の持続的向上を図ります。1921年の創業以来、100年を超える歴史を有し、社会システム、エネルギーシステム、防衛・宇宙システム、FAシステム、自動車機器、ビルシステム、空調・家電、デジタルイノベーション、半導体・デバイスといった事業を展開しています。世界に200以上のグループ会社と約15万人の従業員を擁し、2025年度の連結売上高は5兆8,947億円でした。詳細は、オフィシャルウェブサイトをご覧ください。

■ウェブサイト

パワー半導体デバイスウェブサイト

https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/powerdevices/

※1　工場の工作機械やクレーン等に使用されるモーターの回転数や電力供給能力などを効率的に

　　制御する役割を担うインバーター・コンバーター回路で構成されたインバーター装置

※2　Insulated Gate Bipolar Transistor：高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

※3　従来製品CM800DX-24T1（第7世代IGBT搭載）との比較。2level, Vcc = 600 V, Io = 350

　　 Arms, M=1, PF=1, Fc=2kHz, fo=50Hz条件での当社シミュレーション結果を基に算出

※4　Split Dummy Active：ゲートのダミートレンチを上下２段に分割することでゲート容量を

　　最適化した構造

※5　Controlling carrier Plasma Layer：チップの裏面に深いn層を形成することでダイナミック

　　動作時のキャリア制御を行う構造