2月24日(木) AndTech WEBオンライン「レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎と最新技術動向」Zoomセミナー講座を開講予定
大阪大学 産業科学研究所 招聘教授、フォトポリマー学会企画委員長、フォトポリマー懇話会企画委員長 工学博士 遠藤 政孝 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech(本社:神奈川県川崎市、代表取締役社長:陶山 正夫、以下 AndTech)は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるレジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎から最新技術まで、第一人者の講師からなる「レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料」講座を開講いたします。
レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎から最新技術まで今後の展望まで含めてトータルに解説し、ビジネスの新規参入可能性分野も示唆する内容となっております。
本講座は、2022年2月24日開講を予定いたします。 詳細:https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=8836
レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎から最新技術まで今後の展望まで含めてトータルに解説し、ビジネスの新規参入可能性分野も示唆する内容となっております。
本講座は、2022年2月24日開講を予定いたします。 詳細:https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=8836
- Live配信・WEBセミナー講習会 概要
テーマ:レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎と最新技術動向
開催日時:2022年02月24日(木) 10:30-16:30
参 加 費:44,000円(税込) ※ 電子にて資料配布予定
U R L :https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=8836
WEB配信形式:Zoom(お申し込み後、URLを送付)
- セミナー講習会内容構成
ープログラム・講師ー
大阪大学 産業科学研究所 招聘教授、フォトポリマー学会企画委員長、フォトポリマー懇話会企画委員長 工学博士 遠藤 政孝 氏
- 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
・リソグラフィの基礎知識
・レジスト、微細加工用材料の基礎知識
・リソグラフィの最新技術
・レジスト、微細加工用材料の要求特性
・レジスト、微細加工用材料の課題と対策
・レジスト、微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向
- 本セミナーの受講形式
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
- 株式会社AndTechについて
化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
https://andtech.co.jp/
- 株式会社AndTech 技術講習会一覧
一流の講師のWEB講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminar_category/
- 株式会社AndTech 書籍一覧
選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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- 株式会社AndTech コンサルティングサービス
経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business_consulting/
- 本件に関するお問い合わせ
株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス:pr●andtech.co.jp(●を@に変更しご連絡ください)
- 下記プログラム全項目(詳細が気になる方は是非ご覧ください)
講演主旨
メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードのデバイスが量産されている、また、今年は3nmロジックノードのデバイス量産が予定されている。これらのデバイスの微細化を支えるリソグラフィは現在先端の量産で用いられているArF液浸、ダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられはじめている。
本講演では、リソグラフィの基礎、レジストの基礎を述べ、現在の5nmロジックノードに用いられているリソグラフィ・レジスト・微細加工用材料の最新技術をその要求特性、課題と対策をふまえて解説する。最後にこれらの3nmロジックノード以降の今後の技術展望、レジストの市場動向についてまとめる。
プログラム
1.リソグラフィの基礎
1.1 露光
1.1.1 コンタクト露光
1.1.2 ステップ&リピート露光
1.1.3 スキャン露光
1.2 照明方法
1.2.1 斜入射(輪帯)照明
1.3 マスク
1.3.1 位相シフトマスク
1.3.2 光近接効果補正(OPC)
1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
1.4 レジストプロセス
1.4.1 反射防止プロセス
1.4.2 ハードマスクプロセス
1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術
1.5 ロードマップ
1.5.1 IRDSロードマップ
1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
1.5.1.2 レジストへの要求特性
1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.5.3 最先端携帯端末へのリソグラフィ技術の適用
2.レジストの基礎
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
3.リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の最新技術
3.1 液浸リソグラフィ
3.1.1 液浸リソグラフィの基本と課題
3.1.1.1 従来 NAレンズでの液浸リソグラフィ
3.1.1.2 高NAレンズでの液浸リソグラフィ
3.1.2 液浸リソグラフィ用トップコート
3.1.3 液浸リソグラフィ用レジスト
3.1.3.1 液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
3.1.3.2 液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
3.2 ダブル/マルチパターニング
3.2.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
3.2.2 リソーエッチ(LE)プロセス用材料
3.2.3 セルフアラインド(SA)プロセス用材料
3.3 EUVリソグラフィ
3.3.1 EUVリソグラフィの基本と課題
3.3.2 EUVレジスト
3.3.2.1 EUVレジストの要求特性
3.3.2.2 EUVレジストの設計指針
3.3.2.2.1 EUVレジスト用ポリマー
3.3.2.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
3.3.2.3 EUVレジストの課題と対策
3.3.2.3.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.3.2.3.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
3.3.2.4 最新のEUVレジスト
3.3.2.4.1 分子レジスト
3.3.2.4.2 ネガレジスト
3.3.2.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
3.3.2.4.4 フッ素含有ポリマーレジスト
3.3.2.4.5 無機/メタルレジスト
3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
3.4.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
3.4.2 グラフォエピタキシー用材料
3.4.3 ケミカルエピタキシー用材料
3.4.4 高χ(カイ)ブロックコポリマー
3.4.4.1 Si含有型ブロックコポリマー
3.4.4.2 有機型ブロックコポリマー
3.5 ナノインプリントリソグラフィ
3.5.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
3.5.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
3.5.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
3.5.3.1 光硬化材料
3.5.3.2 離型剤
4.リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の今後の技術展望
5.レジストの市場動向
【質疑応答】
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* 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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