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STマイクロエレクトロニクス
会社概要

革新的パッケージ技術によりアンテナ・カプラを小型化し、高い接続信頼性とバッテリ長寿命化を実現

STマイクロエレクトロニクス

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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、広く
普及している3G対応ワイヤレス機器用アンテナ向けに電力制御用ICの新製品を
2品種発表しました。これらの新製品は、従来の部品に比べ、83%以上小型化
されています。また、電力効率の向上により、機器のバッテリを最大限長寿命化
するため、機器を常時使用しているユーザやビジネス・ユーザのニーズを
サポートします。

今日のマルチバンドに対応した多機能な携帯電話、スマートフォン、タブレット、
3G USBドングル等は、環境の変化に合わせて常にトランミッタの電力を調整し、
ネットワークとの接続を最適化しています。この動作により、ネットワーク接続
の信頼性が確保され、アンテナ電力を調整することでバッテリを最大限長寿命化
します。また、アンテナ・カプラがアンテナによって放射される電力をモニタし、
この恒常的な調整を実行します。大部分のカプラが順方向のアンテナ放射電力
のみを測定するのに対し、STの双方向デバイスは反射電力も測定するため、
制御機能と効率が向上します。

CPL-WB-00D3とDCPL-WB-00D3は、シングルおよびデュアル・アンテナ・
システム用に開発された、シングル・パスとデュアル・パスのアンテナ・カプラ
です。両製品には、ST独自のIPD(Integrated Passive Device)技術が採用され、
他のカプラでは外付けで必要となる2個の減衰器が集積されています。そのため、
回路設計を簡略化すると共に、コストと基板スペースを低減します。また、
代替技術であるLTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic)テクノロジーと
比較した場合、絶縁ガラス基板加工とウェハ・レベルのパッケージングが、
製品全体の低背化とフットプリントの小型化を実現しています。

CPL-WB-00D3とDCPL-WB-00D3は、IPDインダクタを搭載したSTの小型双方向カプラ
の最新製品で、そのサイズは従来の1.7 x 1.4mmから1.3 x 1.0mmまで小型化
されています。このパッケージの小型化により、3G対応機器内の基板スペースに
余裕が生まれます。両製品は、低挿入損失、優れた指向性、広い動作周波数範囲
を特徴としており、GSM/EDGEからWCDMA/TD-SCDMAまで、3Gネットワークの全規格
に対応しています。

CPL-WB-00D3とDCPL-WB-00D3の主な特徴
・定格入力/出力インピーダンス:50Ω
・動作周波数範囲:824MHz~2170MHz
・挿入損失:0.2dB未満
・カップリング因子:34dB(標準値)
・指向性 :25dB(標準値)
・サイズ
 ・CPL-WB-00D3:1300μm x 1000μm x 690μm
 ・DCPL-WB-00D3:1670μm x 1,440μm x 650μm

CPL-WB-00D3とDCPL-WB-00D3は現在量産中で、単価は1000個購入時に約0.215ドルと
約0.305ドルです。大量購入時の単価については、お問い合わせください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な技術
力と設計ノウハウ、そして幅広いIP(Intellectual Property)ポートフォリオ、
戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、
マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2010年の売上は
103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: http://www.st-japan.co.jp
STグループ(英語): http://www.st.com

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
APMグループ
TEL: 03-5783-8250 FAX: 03-5783-8216

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会社概要

STマイクロエレクトロニクス

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URL
http://www.st.com/jp
業種
製造業
本社所在地
東京都港区港南2-15-1 品川インターシティA棟
電話番号
03-5783-8220
代表者名
マルコ・カッシス
上場
未上場
資本金
-
設立
-
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