AndTech　「EUVリソグラフィ技術 ～レジスト材料・光源・露光装置技術・各種構成の変遷と現状～ 」の書籍を刊行

株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫）は、次世代半導体露光技術と目されるEUVリソグラフィに特化した書籍を5月23日付で発刊いたしました。

★次世代半導体露光技術と目されるEUVリソグラフィに特化した、
　当分野に参画するうえで必読の入門書！
★EUVリソグラフィの概要・微細化の変遷にはじまり、レジスト材料・光源・露光装置技術
　およびマスクやぺリクルなどの各種構成の概要や技術的変遷について網羅的に解説！
★Beyond EUVLの展望や、日本の半導体技術復活に向けて目指すべき半導体業界の
　将来像についても、第一人者が解説！

B5判,194ページの技術書を44,000円にて販売開始。
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 極端紫外線リソグラフィー研究開発センター 教授
 (学長特別補佐（先端科学技術・異分野融合研究推進）、所長特別補佐、センター長)／博士（理学）　
渡邊　健夫 氏にご監修ををいただいております。

詳細：https://andtech.co.jp/books/1ede3350-3cf0-6dc2-93fe-064fb9a95405

   

• 書籍概要

 テーマ：EUVリソグラフィ技術
 　　　　～レジスト材料・光源・露光装置技術・各種構成の変遷と現状～
 発刊日：2023年5月23日
 価　格：44,000円(本体40,000円+消費税、送料込)
 U R L ：https://andtech.co.jp/books/1ede3350-3cf0-6dc2-93fe-064fb9a95405
 ISBN：978-4-909118-56-1
 
  

• 書籍内容構成

 ー監修（敬称略）ー
 ◆渡邊 健夫
 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 極端紫外線リソグラフィー研究開発センター 教授
 （学長特別補佐（先端科学技術・異分野融合研究推進）、所長特別補佐、センター長）／
 博士（理学）
 
 ー執筆者（敬称略、掲載順）ー
 ◆藤森 亨
 富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート
 
 ◆丸山 研
 JSR株式会社 四日市研究センター 精密電子研究所 副所長
 アドバンスリソグラフィー材料開発室 室長／博士(工学)
 
 ◆中村 剛
 東京応化工業株式会社 開発本部 先端材料開発2部 シニアエキスパート
 
 ◆工藤 宏人
 関西大学 化学生命工学部 教授／兵庫県立大学 客員教授／博士（工学）
 
 ◆関口 淳
 リソテックジャパン株式会社 ナノサイエンス研究所 所長／博士（工学）
 
 ◆溝口 計
 ギガフォトン株式会社 シニアフェロー／九州大学 客員教授／工学博士
 
 ◆長野 晃尚
 ウシオ電機株式会社 事業統括本部Industrial Process事業部EUV
 GBU技術開発統括部研究開発二課 課長／博士(工学)
 
 ◆鈴木 一明
 東京工業大学 産学協創教育コーディネータ―／九州大学 アドバイザー／博士（工学）
 
 ◆永原 誠司
 東京エレクトロン株式会社 シニアチーフエンジニア（Senior Director）／博士（工学）
 
 ◆森川 泰考
 大日本印刷株式会社 ファインデバイス事業部 第1製造本部 技術部 リーダー
 
 ◆笑喜 勉
 HOYA株式会社 プリンシパル／工学博士
 
 ◆小野 陽介
 三井化学株式会社 主任研究員／理学博士
 
 ◆石川 彰
 三井化学株式会社 主任研究員／工学博士
 
 
 ー目次ー
 
 【第１章】 EUVリソグラフィの概要
 
 【第２章】 EUVリソグラフィ・レジスト材料     
 第１節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷
 第２節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの線幅ばらつきの要因
 第３節 EUVレジスト材料における微細化と欠陥について
 第４節 EUVレジスト材料の要求特性と分子設計
 
 【第３章】 EUVレジストの透過率測定法
 
 【第４章】 EUVリソグラフィと光源開発・露光装置および検査装置
 第１節 高出力EUV光源の開発
 第２節 放電型EUVプラズマ光源技術
 第３節 EUVリソグラフィと露光装置
 第４節 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置プロセス技術
 第５節 マスク欠陥検査技術の基礎
 
 【第５章】 EUVリソグラフィとフォトマスク・ペリクル
 第１節 次世代EUV半導体プロセス向けフォトマスクの開発
 第２節 反射型マスクブランクの製造方法
 第３節 クローズドペリクルの開発
 
 【第６章】 EUVリソグラフィ技術のまとめ、並びにBeyond EUVLの展望～目指すべき半導体業界の将来像～
 
  

• 株式会社AndTechについて

 化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
 幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
 
 弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
 「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
 クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
 https://andtech.co.jp/
 
  

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• 本件に関するお問い合わせ

 株式会社AndTech 広報PR担当 青木
 メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
 
  

• 全目次（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

 【第1章】 EUVリソグラフィの概要～EUVリソグラフィ用材料・技術の進化と半導体業界の変遷～
 兵庫県立大学 渡邊 健夫
 
 1. 露光光学系と露光装置
 2. EUVマスク
 3. EUVレジスト
 
 
 【第2章】 EUVリソグラフィ・レジスト材料
 
 第1節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷
 富士フイルム株式会社 藤森 亨
 1. リソグラフィ微細化の歴史
 2. フォトレジスト材料の変遷
  2.1 光源にあわせて進化するレジスト材料、KrF用およびArF用化学増幅型レジスト
  2.2 化学増幅型レジストのEUVリソグラフィへの適用
  2.3 化学増幅型ネガティブトーンイメージング（ネガティブトーン現像）EUV-NTI
  2.4 微細パターン対応を鑑みた低分子型レジスト
  2.5 非化学増幅型レジスト
  2.6 さらなる性能向上に立ちはだかる本質課題、ストカスティック欠陥
  2.7 レジストアウトガス
 
 第2節 EUVリソグラフィ用フォトレジストの線幅ばらつきの要因
 JSR株式会社 丸山 研
 1. 線幅ばらつきの原因
 2. 線幅ばらつき改善のアプローチ
  2.1 主鎖切断レジスト材料
  2.2 分子レジスト材料
  2.3 ポリマーバウンドPAG型レジスト材料
  2.4 高量子収率PAGレジスト材料
  2.5 高EUV吸収原子導入レジスト材料
  2.6 金属レジスト材料
 
 第3節 EUVレジスト材料における微細化と欠陥について
 東京応化工業株式会社 中村 剛
 1. リソグラフィにおける欠陥
 2. EUVリソグラフィと欠陥
  2.1 EUVリソグラフィにおける微細化について
  2.2 EUVリソグラフィにおいての欠陥低減手法
  2.3 確率以外の欠陥要因
  2.4 プロセス要因による欠陥
 3. 今後の欠陥低減について
 
 第4節 EUVレジスト材料の要求特性と分子設計
 関西大学 工藤 宏人
 1. EUVレジスト材料に求められる物理的特性（溶解性、成膜性、耐熱性）
 2. EUVレジスト材料に求められるレジスト特性
  2.1 溶解性変化の確認
  2.2 膜減り特性
  2.3 EUVレジスト感度特性
  2.4 EUVレジスト耐エッチング性
  2.5 EUVレジスト材料の透明性
  2.6 EUVレジスト材料の化学増幅型
  2.7 EUVレジスト材料のアウトガス特性評価
  2.8 EUVレジスト材料のトレードオフ問題について
  2.9 EUVレジスト材料の開発例
   2.9.1 分子レジスト材料
   2.9.2 金属含有ナノパーテイクルを用いた高感度化レジスト材料の開発
   2.9.3 EUV高吸収元素を含有するレジスト
 
 【第3章】 EUVレジストの透過率測定法
 リソテックジャパン株式会社 関口 淳
 1. EUVレジストの透過率測定法
 2. 実験装置
  2.1 透過率測定システム
  2.2 透過率測定用メンブレン基板
 3. 実験結果
 4. HfO2添加の効果の確認
 
 【第4章】 EUVリソグラフィと光源開発・露光装置および検査装置
 第1節 高出力EUV光源の開発
 ギガフォトン株式会社 溝口 計
 1. 半導体の微細化とリソグラフィ光源の進歩
  1.1 微細化とリソグラフィの進化
  1.2 Rayleighの式と光源の短波長化の歴史
  1.3 DUV光源の狭帯域化と屈折投影光学系
  1.4 多重露光技術
  1.5 狭帯域化KrFエキシマレーザ
  1.6 狭帯域化ArFエキシマレーザ
 2．EUVリソグラフィ
  2.1 EUVリソグラフィと開発の経緯
  2.2 世界の露光装置開発と市場の現況
 3. 高出力EUV光源の開発の経緯とコンセプト
 4. 高出力EUV光源開発の進展
  4.1 変換効率の向上
  4.2 高出力CO2レーザの開発
  4.3 磁場デブリミチゲーション
 5. 量産向けEUV光源システムの開発
 
 第2節 放電型EUVプラズマ光源技術
 ウシオ電機株式会社 長野 晃尚
 1. 放電によるEUV発光プラズマの生成
  1.1 プラズマからのEUV発光
  1.2 放電によるEUV発光プラズマ生成方法の概要
   1.2.1 キャピラリー放電
   1.2.2 Zピンチ
   1.2.3 プラズマフォーカス
   1.2.4 ホローカソードトリガ放電
 2. キャピラリーZピンチ放電を利用したDPP光源
  2.1 キャピラリーZピンチ放電の概要
  2.2 キャピラリーZピンチ放電光源の開発
   2.2.1 Xeガスを用いた光源
   2.2.2 スタナンガスを用いた光源
 3. 量産向け高出力光源の開発
  3.1 レーザーアシスト型放電プラズマ光源の開発
   3.1.1 LDP光源におけるEUV発光プラズマ生成
   3.1.2 LDP光源の構成
  3.2 LDP光源の特性
   3.2.1 ダブルレーザー照射による光源性能の向上
   3.2.2 デブリシールドの性能評価
   3.2.3 モジュールの寿命実績および光源の稼働率
   3.2.4 IFでのEUVパワーのスケーラビリティ
 4. LDP光源開発の現状
  4.1 EUVマスク検査への応用
  4.2 量産用EUVマスク検査機向けLDP光源開発
   4.2.1 LDP光源の輝度
   4.2.2 LDP光源の稼働実績
 
 第3節 EUVリソグラフィと露光装置
 東京工業大学 鈴木 一明
 1. 半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
  1.1 マスクの準備
  1.2 前工程
  1.3 後工程
 2. 露光方式の進化
 3. EUV露光装置のユニット構成
 4. 半導体露光装置の性能
  4.1 主要性能（結像性能、重ね合わせ精度、ウエハ露光処理能力）と要素性能の関係
  4.2 解像度、焦点深度
  4.3 部分的コヒーレンス理論と一次元周期構造物体の空間像コントラスト
 5. EUV露光装置の特徴
  5.1 EUV光源
  5.2 多層膜ミラー
  5.3 反射光学系
  5.4 コンタミネーション制御
  5.5 EUV マスク
  5.6 真空ステージ
   5.6.1 マスクステージ
   5.6.2 ウエハステージ
 
 第4節 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置プロセス技術
 東京エレクトロン株式会社 永原 誠司
 1. EUVレジストプロセスの課題
  1.1 デバイスとリソグラフィトレンド
  1.2 EUVリソグラフィのレジストプロセスの技術課題
 2. EUVレジスト塗布・現像技術の概要
  2.1 EUVリソグラフィ用レジスト塗布・露光・現像装置
  2.2 EUVレジスト塗布・露光・現像の基本的な流れ
 3. 化学増幅型EUVレジスト対応塗布・現像技術
  3.1 化学増幅型レジストプロセスの優位点と課題
  3.2 化学増幅型レジストプロセスのレジスト倒壊防止技術
 4. メタルオキサイドレジスト（MOR）対応塗布・現像技術
  4.1 メタルオキサイドレジストの優位点と課題
  4.2 メタルオキサイドレジストのベーク技術
  4.3 メタルオキサイドレジストのパターニング技術
  4.4 メタルオキサイドレジストの新現像技術
  4.5 メタルオキサイドレジストによる微細パターン形成例
  4.6 レジストプロセス中の補助プロセスによるメタルオキサイドレジストの増感
 
 第5節 マスク欠陥検査技術の基礎
 兵庫県立大学 渡邊 健夫
 1. EUVマスクの構造
 2. Mo/Si多層膜
 3. EUVマスクの欠陥
 
 【第5章】 EUVリソグラフィとフォトマスク・ペリクル
 第1節 次世代EUV半導体プロセス向けフォトマスクの開発
 大日本印刷株式会社 森川 泰考
 1. EUVマスクの特徴と技術課題
  1.1 EUVマスクの構造と転写の概要
  1.2 EUVマスクへの要求仕様
  1.3 EUVマスク基板への要求仕様
  1.4 遮光帯（Black Border；BB）
  1.5 EUVペリクル
 2. EUVマスクの製造工程
  2.1 データ準備工程（Mask Data Preparation；MDP）
  2.2 描画現像工程（レジストプロセス）
  2.3 エッチング工程
  2.4 計測・検査・修正工程
 3. 次世代EUVマスクの開発課題
  3.1 微細化の追求（解像度の向上）とさらなる複雑化への対応
  3.2 新材料（位相シフトマスク）の適用
  3.3 スティッチング露光への対応
  3.4 高透過率EUVペリクルの開発
 
 第2節 反射型マスクブランクの製造方法
 HOYA株式会社 笑喜 勉
 1. ガラス基板材料
 2. サブストレート加工プロセス
 3. 多層膜
 4. 吸収体
 5. 裏面導電膜
 
 第3節 クローズドペリクルの開発
 三井化学株式会社 小野 陽介 ・ 石川 彰
 1. EUVペリクルのコンセプト
  1.1 現行のEUVペリクル
  1.2 クローズドペリクル開発コンセプト
 2. クローズドペリクル用低アウトガス接着剤の開発
  2.1 接着剤開発課題：アウトガスの抑制
  2.2 コーティング接着剤の開発
   2.2.1 アウトガス評価
   2.2.2 コンタミ付着特性評価
   2.2.3 コーティング接着剤のEUV照射耐性
 3. 通気枠の設計
  3.1 通気枠の試作
  3.2 通気性評価
 
 【第6章】 EUVリソグラフィ技術のまとめ、並びにBeyond EUVLの展望～目指すべき半導体業界の将来像～
 兵庫県立大学 渡邊 健夫
 1. EUVリソグラフィ技術のまとめ
 2. Beyond EUVLの展望
 3. 日本の半導体技術復活に向けて
 
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