01月23日(火) AndTech「EUVリソグラフィおよびレジスト開発の概要、Beyond EUVLへの将来展望」会場運営セミナー講座を開講予定
兵庫県立大学 渡邊 健夫 氏、鴨志田技術事務所 代表 鴨志田 洋一 氏(元JSR）、富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 藤森 亨 氏にご講演をいただきます。
EUVリソグラフィおよびレジスト開発の概要、Beyond EUVLへの将来展望～半導体の更なる微細化・高解像度と目指すべき半導体業界の将来像～について説明します。
本講座は、2024年01月23日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ee934b6-3df4-615c-9d66-064fb9a95405
会場運営セミナー講習会 概要
テーマ：EUVリソグラフィおよびレジスト開発の概要、Beyond EUVLへの将来展望
～半導体の更なる微細化・高解像度と目指すべき半導体業界の将来像～
開催日時：2024年01月23日(火) 13:00-17:30
参 加 費：55,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ee934b6-3df4-615c-9d66-064fb9a95405
開催形式：会場運営
兵庫県立先端科学技術支援センター【兵庫県・赤穂郡】(住所：〒678-1205 兵庫県赤穂郡上郡町光都３丁目１−１)
セミナー講習会内容構成
ープログラム・講師ー
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第1部 EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像（仮題）
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講師 兵庫県立大学 学長特別補佐 （先端研究担当）/産学連携・研究推進機構 放射光産業利用支援本部 本部長代行/高度産業科学技術研究所特別補佐/極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長/教授 渡邊 健夫 氏
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第2部 EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、 今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～
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講師 鴨志田技術事務所 代表（元JSR(株)／神奈川大学）、フォトポリマー懇話会顧問、高分子学会フェロー 鴨志田 洋一 氏
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第3部 EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発（仮題）
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講師 富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート 藤森 亨 氏
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第4部 「NewSUBARU放射光施設」見学
第1講にご登壇いただく兵庫県立大学の渡邊健夫先生のご厚意により、講演会終了後に【NewSUBARU放射光施設】の見学を実施する予定となっております。
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
・IRDS国際ロードマップの概要
・EUVリソグラフィ技術の基礎
・EUV露光光学系設計の基礎
・EUVマスク欠陥検査技術の基礎
・EUVペリクルの基礎
・EUVレジスト材料プロセス技術の基礎
・レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程
・技術・レジスト材料開発の実例を学ぶことにより、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用
・社会における半導体の位置づけ、日本の半導体産業の現状と課題、今後の展望
・リソグラフィの基礎、フォトレジスト材料の歴史、最新動向に関する知識
本セミナーの受講形式
下記の会場における、会場運営形式のセミナーとなります。詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
実施会場：兵庫県立先端科学技術支援センター【兵庫県・赤穂郡】(住所：〒678-1205 兵庫県赤穂郡上郡町光都３丁目１−１)
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「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
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本件に関するお問い合わせ
株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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第1部 EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像（仮題）
【講演主旨】
現在、講師の先生に最新のご講演主旨をご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
EUVリソグラフィ(EUVL)は2019年より7nmロジックデバイスの量産技術として適用が開始された。半導体の前工程であるEUVLは微細加工に必須の技術となっており、IRDS国際ロードマップのとおり、2037年の0.5nmロジックデバイスの量産までEUVLが適用され、MOSトランジスター構造の３次元化に大きく貢献をしている。講演では黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長であるbeyond EUVLの可能性について紹介する。また、半導体技術は国家安全保障や経済安全保障上重要な技術であり、日本の半導体復活へのシナリオについても言及します。
【プログラム】
現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
１．半導体市場動向
２．IRDS国際ロードマップの概要
３．EUVリソグラフィ技術はなぜ必要か？
４．EUVリソグラフィ技術課題
５．明期のEUVリソグラフィ技術
６．EUVL用露光機
７．EUVマスク欠陥検査技術
８．EUVペリクル評価
９．EUVレジスト材料プロセス技術
１０．EUVリソグラフィ技術の今後の展開（High NA EUVLを含む）
１１．次世代Beyond EUVリソグラフィ技術
１２．日本半導体復活に向けたシナリオ
１３．まとめ
【質疑応答】
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第2部 EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、 今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～
【講演主旨】
今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス(ME)の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路(IC)が開発されて以来、大規模集積回路(LSI)のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。
1)コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
2)投影露光方式の導入
3)化学増幅型レジスト／エキシマレーザ光源の採用
4)EUV光源の採用など
それぞれのステップで多くのイノベーションが創出され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、EVUリソグラフィを中心として、今後の効率的な技術開発への指針とする。
さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指針としたい。
【プログラム】
１． 技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1-1. 技術パラダイムシフトと産業発展
1-2. マイクロエレクトロニクス(ME)と社会
1-3. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出、
２． フォトレジストのイノベーション
2-1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
リソグラフィプロセスの確立／フォトレジスト開発の推移／ 基本的構造及び製造法の進化
2-2. ノボラック系ポジ型レジスト
基本的組成／レジストの透明性と解像度／ i-線レジスト
2-3．エキシマレーザリソグラフィ
KrFレジスト／ArFレジスト／液浸リソグラフィ
３． EUVリソグラフィ
3-1. 光源・露光機の開発
3-2. レジスト開発
開発現状と課題／LERの要因と対応
3-3．無機レジスト
感度・解像度／保存安定性
3-4．EUVLの課題
光源／露光装置／マスク／レジスト／評価装置
４． 今後の展望
4-1．高解像度化と現像プロセス
現像過程での膨潤と解像度
4-2．今後のパターン形成プロセス
4-3．ナノインプリント技術の実用化
５． 科学技術と社会(半導体と人間)
5-1. 科学技術と社会
地球規模の課題と科学技術/半導体
６． 国の安全保障の根幹を担う半導体産業
6-1．半導体産業の重要性
6-2．日本および世界の半導体産業の現状
6-3．経産省の戦略
6-4．再生のための論点
７． 効率的にイノベーションを創出するために
知的財産戦略とMOT
８． まとめ
【質疑応答】
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第3部 EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発（仮題）
【講演主旨】
現在、講師の先生に最新のご講演主旨をご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
昨今、私たちは新たなデジタル社会を迎え入れようとしている。世の中で頻繁にその言葉を耳にするSociety 5.0、IOT、AIの発展に対し、さらなる電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化が求められており、その勢いはとどまるところを知らない。その実現に不可欠なのがリソグラフィの微細化であり、それに必要なフォトレジスト材料の開発である。フォトレジスト材料の微細化の歴史および究極の微細化とまで言われているEUVリソグラフィ用フォトレジスト材料の開発について解説する。
【プログラム】
現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
1．私たちの世の中を取り巻く環境の変化
アナログからデジタルへ
2．リソグラフィ微細化の歴史
2-1 ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
2-2 EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィの延命
2-3 ArF液浸リソグラフィ延命の切札、
富士フイルムによるNegative tone imaging（NTI）技術の発明
3．EUVリソグラフィ
3-1 EUVリソグラフィの歴史
3-2 国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）出向時の
EUVリソグラフィ要素開発の経験紹介
（アウトガス問題の解決と世界アライン、メタルレジストの技術開発）
3-3 EUVレジスト最新動向、技術開発の紹介
ストカスティック因子低減と量産適用に対する開発、
NTI技術のEUVリソグラフィへの適用
【質疑応答】
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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