​【セミナーご案内】5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題　3月17日（火）開催　主催：(株)シーエムシー・リサーチ

先端技術情報や市場情報を提供している(株)シーエムシー・リサーチ（千代田区神田錦町： https://cmcre.com/ ）では、 各種材料・化学品などの市場動向・技術動向のセミナーや書籍発行を行っておりますが、 このたび「5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」と題するセミナーを、 講師に岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授）をお迎えし、2020年3月17日（火）10:30より、 『ちよだプラットフォームスクエア』 B1F （千代田区錦町）で開催いたします。 受講料は、 一般：45,000円（+税）、 弊社メルマガ会員：40,000円（+税）、 アカデミック価格は24,000円となっております（資料・昼食付）。
セミナーの詳細とお申し込みは、 弊社の以下URLをご覧ください！
　https://cmcre.com/archives/54550/
質疑応答の時間もございますので、 是非奮ってご参加ください。

本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説します。近年、世界各国で自動車電動化開発が大きく進展しています。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEV, PHV（プラグインハイブリッド車）シフトへ舵を切りました。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEVやPHV開発がいよいよ本格化し始めました。EV, PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されています。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えません。SiC/GaNパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説いたします。

1）セミナーテーマ及び開催日時 
テーマ：5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
開催日時：2020年3月17日（火）10:30～16:30
会 場：ちよだプラットフォームスクウェア B1F
　　〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21
参 加 費：45,000円（+税） ※ 資料・昼食付
　　＊ メルマガ登録者は 40,000円（+税）
　　＊ アカデミック価格は 24,000円（+税）
講 師：岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

【セミナーで得られる知識】
SiCパワーデバイスの特長と課題。過去30年のパワーデバイス開発の流れ。パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

2）申し込み方法 
シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイト
  https://cmcre.com/archives/54550/
からお申し込みください。
折り返し、 聴講券、 会場地図、 請求書を送付いたします。 

3）セミナープログラムの紹介 
1．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 高周波動作のメリットは
　1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か

2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2 特性向上への挑戦
　2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4 最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

3．SiC パワーデバイスの現状と課題
　3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2 SiCのSiに対する利点
　3-3 SiC-MOSFETプロセス
　3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
　3-6 最新SiC-MOSFET技術

4．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-5 縦型GaNデバイスの最新動向

5．高温対応実装技術
　5-1 高温動作ができると何がいいのか
　5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3 ますます重要度を増す

4）講師紹介
【講師略歴】
1998年 博士（工学）（早稲田大学）。富士電機（株）に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【活 動】
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2017 Steering Committee Member。電気学会優秀技術活動賞グループ著作賞（2011 年）。

【著 書】
1) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装（科学情報出版（株））（2019年9月発刊）
2) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント（監修）（S&T出版）（2018年1月発刊）
3) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）
4) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない－ (編集委員)（電気学会）（2008年12月発刊）


5）セミナー対象者や特典について 
★ アカデミック価格：学校教育法にて規定された国、 地方公共団体、 および学校法人格を有する大学、 大学院の教員、 学生に限ります。 
★ 2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、 2人目は無料、3名目以降はメルマガ価格の半額となります。 

【セミナー対象者】
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

☆詳細とお申し込みはこちらから↓
　https://cmcre.com/archives/54550/


6）関連セミナーのご案内 
（1）テラヘルツ波のセンシング・イメージング応用と光源・検出器の基本 ～ 安全安心・医療医薬への展開 ～
　　開催日時：2020年2月27日（木）10:30～16:30
　　https://cmcre.com/archives/53360/

（2）これで分かる最新5Gスマートフォンに応用するFPC技術の基礎から応用まで
　　開催日時：2020年3月6日（金）10:30～16:30
　　https://cmcre.com/archives/56149/

（3）5G＆beyond 関連通信デバイスの分解・分析
　　開催日時：2020年3月19日（木）10:30～16:30
　　https://cmcre.com/archives/55978/

（4）EV用パワーエレクトロニクスが演習で理解できる一日速習セミナー
　　開催日時：2020年4月20日（月）10:30～16:30
　　https://cmcre.com/archives/54729/

（5）5GおよびBeyond 5Gで求められる部品・材料の技術動向と応用展開
　　開催日時：2020年4月21日（火）10:30～16:30
　　https://cmcre.com/archives/56132/

（6）5G、及びBeyond 5Gで求められるノイズ対策・電磁波シールド・吸収材料の設計・技術
　　開催日時：2020年4月22日（水）10:30～16:30
　　https://cmcre.com/archives/55873/

☆開催予定のセミナー一覧はこちらから！↓
　https://cmcre.com/archives/category/seminar/seminar_cmc_f/


7）関連書籍のご案内

☆発行書籍の一覧はこちらから↓
https://cmcre.com/archives/category/cmc_all/

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