2月20日(火) AndTech「SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向と課題・部材開発と将来展望」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定
筑波大学 数理物質系 教授 岩室氏 三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 開発部 寺島氏 大阪大学大学院 工学研究科/ネクスファイ・テクノロジー株式会社 代表取締役社長 中村氏 にご講演を頂きます。
最新パワー半導体ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならにSiCパワー半導体技術開発の動向を詳細に解説。
本講座は、2024年02月20日開講を予定いたします。 詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ee9f0b1-29df-6682-9a9f-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
テーマ：SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向と課題・部材開発と将来展望
開催日時：2024年02月20日(火) 13:00-17:15
参 加 費：44,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ee9f0b1-29df-6682-9a9f-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
ープログラム・講師ー
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第1部 5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの 技術動向と課題
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講師 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
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第2部 パワーデバイスの基本動作、及び SiC/GaNパワーデバイスの大きな可能性
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講師 三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 開発部 / 主席技師長 寺島 知秀 氏
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第3部 SiCパワーデバイスの超高電圧用途への応用
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講師 大阪大学大学院 工学研究科 SiC応用技術共同研究講座 招聘教授 ／ ネクスファイ・テクノロジー株式会社 代表取締役社長 中村 孝 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向。シリコンパワー半導体デバイスの強み、SiC/GaNパワー半導体デバイスの特徴と課題。シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術、など。
・パワーデバイスの基本的動作とその理由
・パワーデバイスにおける性能改善の方向性
・今注目されている化合物系パワー半導体とは何か？なぜ性能が良いのか？
・化合物系パワー半導体がこれから普及しているアプリケーション
SiCパワーデバイスの直列接続特性
高電圧機器の発展状況
SiCによる半導体応用の広がり
本セミナーの受講形式
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
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本件に関するお問い合わせ
株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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第1部 5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの 技術動向と課題
【講演主旨】
2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には世界主要各国がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が徐々にではあるが浸透し始めてきた。しかしながら現状では、シリコンパワーデバイスがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンパワーデバイスの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンMOSFET, IGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
【プログラム】
1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造。なぜMOSFET・IGBTがパワーデバイスの主役なのか
1-3 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか
2．最強のライバルであるシリコンMOSFET・IGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と10年後
2-2 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-3 次世代IGBTを支える三つの技術
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 なぜSiCがワイドバンドギャップ半導体のトップランナになれたのか？
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
3-4 SiC-MOSFETのコストダウン実現のための技術は？
3-5 最新SiC-MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は横型が主流。
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 縦型GaNデバイスの最新動向
5．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
【質疑応答】
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第2部 パワーデバイスの基本動作、及び SiC/GaNパワーデバイスの大きな可能性
【講演主旨】
半導体技術はSDGsを規範とした世界的な技術開発に加えて、各国の国力の要としての重要性が急速に再認識されています。このなかでパワー半導体という電力を扱う半導体技術は日本が市場での強さを保持し続けており、この技術による高効率な再生可能エネルギー生成、そして生成した電気エネルギーの高効率利用は全ての次世代技術の基盤となるもので、その予兆はすでに急拡大が始まったEVにも表れています。本講座では、パワーデバイスの使用目的、動作、歴史的発展、そして現在活発に進められているSiC/GaNデバイス開発状況を網羅しており、パワー半導体とはどのようなものであるか？について一通りの理解が得られるように構成しています。
【プログラム】
1.パワー半導体の用途
2.パワー半導体の基本動作
3.パワー半導体の発展と課題
4.パワー半導体の構造とその特長
5.パワー半導体の性能限界
6.SiCパワーデバイスの構造とその特徴
7.GaNパワーデバイスの構造とその特徴
8.パワー半導体と用途の関係（現行/次世代）
【質疑応答】
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第3部 SiCパワーデバイスの超高電圧用途への応用
【講演主旨】
SiCパワーデバイスの優れた特性を利用することにより、超高電圧機器のこれまでなかった高速動作を可能にする手法を提案し実証を行った。これにより、これまでの半導体では成し得なかった分野への半導体応用が期待できる。
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＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
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