4月18日(木) AndTech　WEBオンライン「パワー半導体用SiC単結晶成長・ウェハ加工技術の開発動向」Zoomセミナーを開講予定

国立研究開発法人・産業技術総合研究所・つくば西事業所・エネルギー環境領域・先進パワーエレクトロニクス研究センター・ウェハプロセスチーム・チーム長：加藤　智久　氏に、ご講演をいただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今、高まりを見せるウェハ加工技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「SiCパワー半導体 」講座を開講いたします。

SiC単結晶成長・ウェハ加工技術の基礎から応用まで、又SiCウェハの材料技術開発動向と市場の要求についても解説！
 本講座は、2024年04月18日開講を予定いたします。
 詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1eeea5db-0297-678a-80c5-064fb9a95405

• Live配信・WEBセミナー講習会　概要

テーマ：パワー半導体用SiC単結晶成長・ウェハ加工技術の開発動向

開催日時：2024年04月18日(木) 13:30-17:30  

参 加 費：45,100円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1eeea5db-0297-678a-80c5-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

• セミナー講習会内容構成

　ープログラム・講師ー

国立研究開発法人　産業技術総合研究所　 つくば西事業所　エネルギー環境領域　先進パワーエレクトロニクス研究センター　ウェハプロセスチーム　チーム長　 加藤　智久　氏

• 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

半導体用SiCウェハ製造技術の基礎知識（結晶成長、加工、評価）

半導体用SiCウェハの開発動向

SiCウェハ製造技術の技術課題とアプローチ

SiCウェハ産業の動向に関する知識

• 本セミナーの受講形式

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

• 株式会社AndTechについて

　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

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• 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

• 下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

【講演主旨】

　本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

【プログラム】

１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発

　1.1 SiCの基礎と物性

　　1.1.1 身近なSiC

　　1.1.2 ワイドギャップ半導体と特徴

　　1.1.3 SiCウェハ

　　1.1.4 他半導体材料とSiCの違い

　1.2 SiCパワー半導体への応用

　　1.2.1 SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術

　　1.2.2 SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例

　1.3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求

　　1.3.1 パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史

　　1.3.2 国内・外でのSiCウェハ開発動向

　　1.3.3 SiCウェハ開発に対する今後の期待

２．SiC単結晶製造技術

　2.1 SiC単結晶の合成・成長方法

　　2.1.1 SiCの合成

　　2.1.2 SiC単結晶の量産技術

　　2.1.3 各種SiC単結晶成長技術の特徴

　　2.1.4 シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待

　2.2 結晶多形と特徴

　　2.2.1 SiCの結晶多形 (ポリタイプ) と物性

　　2.2.2 多形制御技術

　2.3 結晶欠陥と制御

　　2.3.1 SiC単結晶の結晶欠陥と影

　　2.3.2 SiC単結晶の欠陥評価技術

　　2.3.3 SiC単結晶の欠陥抑制技術

　2.4 大口径結晶の成長

　　2.4.1 SiC単結晶の口径拡大成長技術

　　2.4.2 大口径化がもたらす効果と技術課題

　2.5 n/p型の伝導度制御

　　2.5.1 SiC単結晶の伝導度制御

　　2.5.2 SiC単結晶の低抵抗化技術

３．SiCウェハ加工技術

　3.1 SiCのウェハ加工

　3.2 SiCウェハ加工工程と技術課題

　3.3 ウェハ切断工程

　　3.3.1 SiC単結晶の切断技術

　　3.3.2 切断工程の高速化技術

　　3.3.3 切断工程の課題と新しい切断技術

　3.4ウェハ研削工程

　　3.4.1 SiCウェハの研削加工

　　3.4.2 研削加工の高速・鏡面化技術

　　3.4.3 研削工程の課題と新しい研削加工技術

　3.5 ウェハ研磨工程

　　3.5.1 SiCウェハの研磨加工

　　3.5.2 研磨加工と研削加工の特徴や違い

　　3.5.3 研磨工程の課題と新しい研磨加工技術

　3.6 CMP工程

　　3.6.1 SiCウェハのCMP加工

　　3.6.2 CMPの高速化技術

　　3.6.3 CMP工程の課題と新しいCMP加工技術

　3.7 加工変質層と評価

　　3.7.1 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴

　　3.7.2 加工変質層の評価技術

　　3.7.3 加工変質層の抑制技術

　3.8 大口径化対応

　　3.8.1 SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題

　　3.8.2 大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上