【新刊案内】酸化物半導体薄膜技術の全て(第2弾) 鵜飼 育弘 著 発行：（株）シーエムシー・リサーチ
Review on Technologies Related to Oxide Semiconductor Thin-Film (NO.2)
材料科学や化学、半導体関連の先端技術やその市場動向に関するレポート発行やセミナー開催を行う（株）シーエムシー・リサーチ（東京都千代田区神田錦町、https://cmcre.com/）では、このたび「酸化物半導体薄膜技術の全て(第2弾)」と題する書籍を2020年4月30日発行予定に発行いたしましたので、お知らせします。
書籍の定価は、60,000円＋消費税（書籍）、2019年10月10日に発行された「酸化物半導体薄膜技術の全て」（本文205頁、カラー）と同時購入で100,000円 + 消費税、にてご購入受付中です。書籍目次の詳細や販売については以下の弊社サイトをご覧ください。
https://cmcre.com/archives/59113/
書籍の定価は、60,000円＋消費税（書籍）、2019年10月10日に発行された「酸化物半導体薄膜技術の全て」（本文205頁、カラー）と同時購入で100,000円 + 消費税、にてご購入受付中です。書籍目次の詳細や販売については以下の弊社サイトをご覧ください。
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【新刊案内】酸化物半導体薄膜技術の全て(第2弾)
Review on Technologies Related to Oxide Semiconductor Thin-Film (NO.2)
◎刊行に当たって
「酸化物半導体薄膜技術の全て第2弾」と題した本書は次の章から構成される。
第1章 酸化物半導体薄膜技術の潮流
第2章 酸化物薄膜トランジスタの信頼性
第3章 LSIへの応用
第4章 酸化物半導体薄膜製造装置
第5章 酸化物半導体関連部材
第6章 グリーンプロセスによる酸化物半導体薄膜の作製
本書の目的は、大きく分けて以下の3点である。
（1）Society 5.0および5Gと酸化物半導体薄膜技術の関係を理解し、応用デバイスの開発及び実用化につなげる。
（2）デバイスがどのような装置と部材で製造されているのか、基盤技術を取得
グリーンプロセスによるデバイス作製技術の動向を把握
（3）ディスプレイ以外への応用としてLSIやセンサの開発動向を取得
本書が読者諸賢にいささかでも役立つなら著者の喜びとするところであり、同時に本書の内容について諸賢各位に御叱責 をお願いする次第である。
鵜飼 育弘
■ 発 刊：2020年4月30日発行予定
■ 著 者：鵜飼 育弘
■ 定 価：本体価格 60,000円 + 消費税
■ 体 裁：A4判・並製・161頁
■ 編集発行：（株）シーエムシー・リサーチ
ISBN 978-4-904482-77-3
★ 酸化物半導体薄膜技術の潮流をわかりやすく紹介！
★ Society 5.0および5Gと酸化物半導体薄膜技術の関係を解説！
★ デバイスがどのような装置と部材で製造されているかの基盤技術を解説！
★ グリーンプロセスによるデバイス作製技術の動向を紹介！
★ 豊富な図と写真（カラー）で最先端動向を紹介！
☆目次の詳細とお申し込みはこちらから↓詳細な目次をご覧ください！
https://cmcre.com/archives/59113/
【著者紹介】
鵜飼 育弘
Ukai Display Device Institute 代表、技術コンサルタント、工学博士
【経 歴】
1968年：大阪大学卒業、同年ホシデン（株）入社
1979年から主にトップゲート型a-Si TFT-LCD のR&Dおよび事業化に従事
1989年：Apple Macintosh potableに世界で初めて10型モノクロ反射型のa-Si TFT-LCDが採用された
1994年：世界で初めて民間航空機（ボーイング777）コックピット用ディスプレイとしてTFT-LCDが採用された。スペースシャトルのコックピット用ディスプレイとしても採用された
1997年：Du Pontとa-Si TFTとSeによる直接変換型X線ディテクタ（FPD：Flat Panel Detectorを 開発実用化
1999年：東京工業大学から工学博士号授与される 同年3月退職
1999年：ソニー（株）入社 STLCD（ソニーと豊田自動織機の合弁）技術部長としてLTPS TFT-LCDの量産立ち上げに従事。世界で初めてガラス基板上にLTPS TFTによるシステム・オン・パネルの量産
2002年～：モバイルディスプレイ事業本部担当部長及びコーポレートR&Dディスプレイデバイス開発本部 Chief Distinguished Engineer として、技術戦略・技術企画坦当。In-Cell化技術を学業界に提唱し事業化を推進
2008年3月：ソニー（株）退職
2008年4月～：現職
Journal of Display Technology (A Joint IEEE/OSA Publication) Co-Editor
九州大学、大阪市立大学 大学院非常勤講師歴任
関西コンバーティングものづくり研究会 幹事
応用物理学会終身会員 Society for Information Display Senior Member
「薄膜トランジスタ技術のすべて」「実践ディスプレイ工学」“High Quality Liquid Crystal Displays and Smart Devices ” Vol.1&Vol.2 Edited by S. Ishihara, S. Kobayashi and Y. Ukai IET (2019) など著書多数
【本書の構成および目次概要】
第1章 酸化物半導体薄膜技術の潮流
1. はじめに
2. Society 5.0と第5世代移動通信システム（5G）
3. 酸化物半導体デバイスへの期待と展望
3.1 シャープ第5世代IGZO開発
3.2 30V型4KフレキシブルOLEDディスプレイ開発
3.3 Human Machine Interface
3.4 インテリジェントセンサ
3.5 グリーンプロセス
4. おわりに
参考文献
第2章 酸化物薄膜トランジスタの信頼性
1. はじめに
2. 金属酸化物薄膜トランジスタの信頼性劣化現象
2.1 ACストレステスト
2.2 発光
2.3 発熱
2.4 まとめ
3. 高移動度酸化物薄膜トランジスタにおける信頼性劣化現象
3.1 はじめに
3.2 実験方法
3.3 実験結果
3.4 劣化メカニズムの考察
4. センサ応用を目指した酸化物薄膜トランジスタの信頼性評価
4.1 はじめに
4.2 実験
4.3 結果
(1) IWZO-TFTの安定性
(2) SAMとその評価
(3) センサの試験結果
4.4 まとめ
参考文献
第3章 LSIへの応用
1. はじめに
2. 半導体エネルギー研究所
2.1 はじめに
2.2 酸化物半導体の特徴
2.3 酸化物半導体LSI
2.4 DOSRAM極低消費電力メモリ
2.5 N off CPU®（Normally-Off Central Processing Unit）センサネットワークへ スタンバイ電力“0(Zero)”の低消費電力CPU
2.6 NOSRAM®（Nonvolatile Oxide Semiconductor Random Access Memory）
2.7 Foldableディスプレイ
2.8 おわりに
3. IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバイス
3.1 背景と経緯
3.2 研究内容
3.3 今後の展開
第4章 酸化物半導体薄膜製造装置
1. はじめに
2. Applied Materials
2.1 市場動向
2.2 Applied MaterialsのGen.10＋対応装置
2.3 G10+歩留まりへの挑戦
2.4 酸化物半導体TFT
(1) Gen.10＋装置の歩留まり管理
(2) 酸化物半導体TFTによる8K OLED TVの実現
2.5 まとめ
3. ULVAC
3.1 はじめに
3.2 従来カソードの課題
3.3 ムービングカソード
(1) 成膜方式
(2) プレスパッタポジション
(3) 入射成分制御
3.4 ムービングカソード成膜IGZO膜評価
(1) 膜厚面内均一性について
(2) TFT特性
3.5 第10.5世代（G10.5）対応スパッタリング装置
3.6 おわりに
4. 日本セミラボ
4.1 はじめに
4.2 フラットパネル分野向けµ-PCD/µ-PCR
4.3 メトロジーの概要
(1) UVレーザーによる励起
(2) 過渡挙動のマイクロ波検出
(3) マイクロ波応答の評価
4.4 ディスプレイ（FPD）用検査装置
参考文献
第5章 酸化物半導体関連部材
1. はじめに
2. AGC
2.1 はじめに
2.2 キャリアガラス基板を用いた製造プロセス
(1) フレキシブルOLEDディスプレイ
(2) その他の電子デバイス
2.3 キャリア基板の典型的な要件
(1) 剛性
(2) 寸法安定性
(3) 光透過率
(4) 化学的耐久性
2.4 製造プロセス中の寸法変化の評価
(1) 熱収縮
(2) 残留歪による変形
2.5 結論
2.6 AN RezostaTM
3. Corning
3.1 酸化物TFTプロセスで使用されるガラス基板の課題
(1) ELASTIC DISTORTION
(2) STRESS RELAXATION
(3) COMPACTION
(4) SAG
(5) TOTAL THICKNESS VARIATION
(6) ENABLING LARGE GEN SIZES
(7) BALANCING FAST ETCHING AND SLUDGE GENERAT
3.2 まとめ
3.3 Corning®Astra™Glass
4. ターゲット
4.1 JX 金属
4.2 ULVAC
4.3 三井金属
(1) MMF法とは
(2) 平板（プレーナー）ターゲット
(3) 円筒型（ロータリー）ターゲット
参考文献
第6章 グリーンプロセスによる酸化物半導体薄膜の作製
1. はじめに
2. グリーンプロセスとは
2.1 電子デバイス製造の限界
2.2 現行生産方式の課題とグリーンプロセス
(1）投資生産性とは
(2）グリーンプロセスとは
2.3 ダイレクト・デジタル・ファブリケ ーション
2.4 グリーンプロセス技術を実現するための装置・部材メーカーの役割
2.5 グリーンプロセスを用いたデバイスが目指す市場
2.6 装置・部材メーカーの役割
(1) 装置メーカーの役割
(2) 部材メーカーの役割
3. All-Solution Approach to Oxide ThinFilm Transistor Fabrication using Photo-assisted Method 3)
3.1 はじめに
3.2 全溶液プロセスによるIZO-TFTの作製
3.3 TFTの特性
(1) UV及びELA処理条件とTFT特性
(2) TFT特性の安定性
(3) 解析
3.4 まとめ
4. Effect of Solution Processed High-k Hybrid Gate Insulator Film Curing Temperature on Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Performance 5)
4.1 はじめに
4.2 TFT作製方法とTFT特性
4.3 High-k Hybrid Film
4.4 まとめ
5. Stability Improvement of Solution Processed Amorphous In-Zn-O ThinFilm Transistors via Low Temperature Solution Processed Passivation
5.1 はじめに
5.2 光緩効性 Polysilsesquioxane(PSQ)とTFT作製
5.3 TFT特性と信頼性
5.4 解析
5.5 まとめ
参考文献
おわりに
謝辞
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https://cmcre.com/archives/59113/
◎関連書籍のご案内
（1）酸化物半導体薄膜技術の全て
■ 発 刊：2019年10月10日
■ 定 価：書籍（白黒） 70,000円 + 消費税
■ 体 裁：A4判・並製・205頁
■ 編集発行：（株）シーエムシー・リサーチ
ISBN 978-4-904482-66-7
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（2）「酸化物半導体薄膜技術の全て」 「酸化物半導体薄膜技術の全て(第2弾)」2冊セット
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◎関連セミナーのご案内
☆開催予定のセミナー一覧はこちらから！↓
https://cmcre.com/archives/category/seminar/seminar_cmc_f/
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鵜飼 育弘
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【著者紹介】
鵜飼 育弘
Ukai Display Device Institute 代表、技術コンサルタント、工学博士
【経 歴】
1968年：大阪大学卒業、同年ホシデン（株）入社
1979年から主にトップゲート型a-Si TFT-LCD のR&Dおよび事業化に従事
1989年：Apple Macintosh potableに世界で初めて10型モノクロ反射型のa-Si TFT-LCDが採用された
1994年：世界で初めて民間航空機（ボーイング777）コックピット用ディスプレイとしてTFT-LCDが採用された。スペースシャトルのコックピット用ディスプレイとしても採用された
1997年：Du Pontとa-Si TFTとSeによる直接変換型X線ディテクタ（FPD：Flat Panel Detectorを 開発実用化
1999年：東京工業大学から工学博士号授与される 同年3月退職
1999年：ソニー（株）入社 STLCD（ソニーと豊田自動織機の合弁）技術部長としてLTPS TFT-LCDの量産立ち上げに従事。世界で初めてガラス基板上にLTPS TFTによるシステム・オン・パネルの量産
2002年～：モバイルディスプレイ事業本部担当部長及びコーポレートR&Dディスプレイデバイス開発本部 Chief Distinguished Engineer として、技術戦略・技術企画坦当。In-Cell化技術を学業界に提唱し事業化を推進
2008年3月：ソニー（株）退職
2008年4月～：現職
Journal of Display Technology (A Joint IEEE/OSA Publication) Co-Editor
九州大学、大阪市立大学 大学院非常勤講師歴任
関西コンバーティングものづくり研究会 幹事
応用物理学会終身会員 Society for Information Display Senior Member
「薄膜トランジスタ技術のすべて」「実践ディスプレイ工学」“High Quality Liquid Crystal Displays and Smart Devices ” Vol.1&Vol.2 Edited by S. Ishihara, S. Kobayashi and Y. Ukai IET (2019) など著書多数
【本書の構成および目次概要】
第1章 酸化物半導体薄膜技術の潮流
1. はじめに
2. Society 5.0と第5世代移動通信システム（5G）
3. 酸化物半導体デバイスへの期待と展望
3.1 シャープ第5世代IGZO開発
3.2 30V型4KフレキシブルOLEDディスプレイ開発
3.3 Human Machine Interface
3.4 インテリジェントセンサ
3.5 グリーンプロセス
4. おわりに
参考文献
第2章 酸化物薄膜トランジスタの信頼性
1. はじめに
2. 金属酸化物薄膜トランジスタの信頼性劣化現象
2.1 ACストレステスト
2.2 発光
2.3 発熱
2.4 まとめ
3. 高移動度酸化物薄膜トランジスタにおける信頼性劣化現象
3.1 はじめに
3.2 実験方法
3.3 実験結果
3.4 劣化メカニズムの考察
4. センサ応用を目指した酸化物薄膜トランジスタの信頼性評価
4.1 はじめに
4.2 実験
4.3 結果
(1) IWZO-TFTの安定性
(2) SAMとその評価
(3) センサの試験結果
4.4 まとめ
参考文献
第3章 LSIへの応用
1. はじめに
2. 半導体エネルギー研究所
2.1 はじめに
2.2 酸化物半導体の特徴
2.3 酸化物半導体LSI
2.4 DOSRAM極低消費電力メモリ
2.5 N off CPU®（Normally-Off Central Processing Unit）センサネットワークへ スタンバイ電力“0(Zero)”の低消費電力CPU
2.6 NOSRAM®（Nonvolatile Oxide Semiconductor Random Access Memory）
2.7 Foldableディスプレイ
2.8 おわりに
3. IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバイス
3.1 背景と経緯
3.2 研究内容
3.3 今後の展開
第4章 酸化物半導体薄膜製造装置
1. はじめに
2. Applied Materials
2.1 市場動向
2.2 Applied MaterialsのGen.10＋対応装置
2.3 G10+歩留まりへの挑戦
2.4 酸化物半導体TFT
(1) Gen.10＋装置の歩留まり管理
(2) 酸化物半導体TFTによる8K OLED TVの実現
2.5 まとめ
3. ULVAC
3.1 はじめに
3.2 従来カソードの課題
3.3 ムービングカソード
(1) 成膜方式
(2) プレスパッタポジション
(3) 入射成分制御
3.4 ムービングカソード成膜IGZO膜評価
(1) 膜厚面内均一性について
(2) TFT特性
3.5 第10.5世代（G10.5）対応スパッタリング装置
3.6 おわりに
4. 日本セミラボ
4.1 はじめに
4.2 フラットパネル分野向けµ-PCD/µ-PCR
4.3 メトロジーの概要
(1) UVレーザーによる励起
(2) 過渡挙動のマイクロ波検出
(3) マイクロ波応答の評価
4.4 ディスプレイ（FPD）用検査装置
参考文献
第5章 酸化物半導体関連部材
1. はじめに
2. AGC
2.1 はじめに
2.2 キャリアガラス基板を用いた製造プロセス
(1) フレキシブルOLEDディスプレイ
(2) その他の電子デバイス
2.3 キャリア基板の典型的な要件
(1) 剛性
(2) 寸法安定性
(3) 光透過率
(4) 化学的耐久性
2.4 製造プロセス中の寸法変化の評価
(1) 熱収縮
(2) 残留歪による変形
2.5 結論
2.6 AN RezostaTM
3. Corning
3.1 酸化物TFTプロセスで使用されるガラス基板の課題
(1) ELASTIC DISTORTION
(2) STRESS RELAXATION
(3) COMPACTION
(4) SAG
(5) TOTAL THICKNESS VARIATION
(6) ENABLING LARGE GEN SIZES
(7) BALANCING FAST ETCHING AND SLUDGE GENERAT
3.2 まとめ
3.3 Corning®Astra™Glass
4. ターゲット
4.1 JX 金属
4.2 ULVAC
4.3 三井金属
(1) MMF法とは
(2) 平板（プレーナー）ターゲット
(3) 円筒型（ロータリー）ターゲット
参考文献
第6章 グリーンプロセスによる酸化物半導体薄膜の作製
1. はじめに
2. グリーンプロセスとは
2.1 電子デバイス製造の限界
2.2 現行生産方式の課題とグリーンプロセス
(1）投資生産性とは
(2）グリーンプロセスとは
2.3 ダイレクト・デジタル・ファブリケ ーション
2.4 グリーンプロセス技術を実現するための装置・部材メーカーの役割
2.5 グリーンプロセスを用いたデバイスが目指す市場
2.6 装置・部材メーカーの役割
(1) 装置メーカーの役割
(2) 部材メーカーの役割
3. All-Solution Approach to Oxide ThinFilm Transistor Fabrication using Photo-assisted Method 3)
3.1 はじめに
3.2 全溶液プロセスによるIZO-TFTの作製
3.3 TFTの特性
(1) UV及びELA処理条件とTFT特性
(2) TFT特性の安定性
(3) 解析
3.4 まとめ
4. Effect of Solution Processed High-k Hybrid Gate Insulator Film Curing Temperature on Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Performance 5)
4.1 はじめに
4.2 TFT作製方法とTFT特性
4.3 High-k Hybrid Film
4.4 まとめ
5. Stability Improvement of Solution Processed Amorphous In-Zn-O ThinFilm Transistors via Low Temperature Solution Processed Passivation
5.1 はじめに
5.2 光緩効性 Polysilsesquioxane(PSQ)とTFT作製
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