07月30日(火) AndTech「次世代のパワーデバイス 酸化ガリウムの基礎と最新開発動向 ～ 課題と展望、解決策、研削加工技術 ～」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定
大阪公立大学 大学院 工学研究科 東脇 正高 氏 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 取締役 佐々木 公平 氏 旭ダイヤモンド工業株式会社 坂田 脩 氏 にご講演をいただきます。
次世代パワーデバイスおよび半極限環境デバイス用途の新半導体材料として世界中から期待されている酸化ガリウム。その基礎と開発動向、将来展望、そしてパワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点まで学べる充実した講座です！
本講座は、2024年07月30日開講を予定いたします。 詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ef23b45-228b-6124-8447-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
テーマ：次世代のパワーデバイス 酸化ガリウムの基礎と最新開発動向
～ 課題と展望、解決策、研削加工技術 ～
開催日時：2024年07月30日(火) 13:30-17:15
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ef23b45-228b-6124-8447-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
ープログラム・講師ー
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第1部 酸化ガリウムの基礎とそのエピタキシャル成長およびデバイス開発動向
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講師 大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 氏
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第2部 β型酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と将来展望
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講師 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 取締役 佐々木 公平 氏
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第3部 パワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点
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講師 旭ダイヤモンド工業株式会社 主任 坂田 脩 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
・ Ga2O3の物性およびその応用領域・Ga2O3材料
・ デバイス研究開発のこれまでの経緯、現在の動向
・酸化ガリウムの魅力
・結晶成長技術や欠陥検査技術、パワーデバイス開発の現状と将来展望
・酸化ガリウムの課題と解決策について
本セミナーの受講形式
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
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弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
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本件に関するお問い合わせ
株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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第1部 酸化ガリウムの基礎とそのエピタキシャル成長およびデバイス開発動向
【講演主旨】
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3の基礎物性を紹介した後、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
【プログラム】
1. Ga2O3の材料的特徴とポテンシャル
2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況
3. Ga2O3トランジスタの研究開発状況
4. Ga2O3ショットキーバリアダイオードの研究開発状況
5. まとめ、実用化への展望
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第2部 β型酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と将来展望
【講演主旨】
β型酸化ガリウムは、その材料物性と品質の高さから、次世代のパワーデバイス半導体材料として世界中から注目されている。我々のチームは2010年から酸化ガリウムの結晶成長技術開発とそのパワーデバイス応用に取り組んできた。これまでは日本初の技術として我々が世界を大きくリードしてきたが、ここ数年は中国と米国での開発の進展が著しい。本講座では、過去十数年の酸化ガリウム開発の歴史と現在の技術レベルを俯瞰し、今後の開発課題についてまとめたいと思う。
【プログラム】
1. 酸化ガリウムの特徴
2. 酸化ガリウムの結晶成長技術
2.1 バルク成長技術
2.2 エピ成長技術
3. 酸化ガリウムウエハの欠陥検査技術
4. 酸化ガリウムパワーデバイス
5. 酸化ガリウムの課題と解決策
6. まとめ
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第3部 パワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点
【講演主旨】
次世代のパワー半導体用基板として開発が進められている酸化ガリウムは、SiCやGaNとは大きく異なる加工の難しさがある。酸化ガリウムは結晶構造に起因した劈開性から、非常に割れやすく、薄厚化にはよりストレスの少ない加工が必要となる。また、特定の結晶面へのウェハ表面研削加工においては、加工面性状が不均一になりやすいといった問題点もある。本講演では酸化ガリウムウェハのSiCウェハとの研削性の違いや、砥石種類、研削条件違いなどの加工事例を紹介し、表面性状の均一化に向けた取り組みを解説する。
【プログラム】
1．半導体基板と加工用工具
1-1 半導体基板の加工工程と工具
2-2 砥石の種類と特徴
２．酸化ガリウムの表面研削加工
2-1 酸化ガリウム表面研削の課題
2-2 SiCと酸化ガリウムの研削性の違い
2-3 各種砥石による研削性の違い
３．酸化ガリウム研削加工表面の均一化
3-1 研削方式、研削条件による違い
3-2 高番手砥石による表面均一化
４．今後の展望
質疑応答
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＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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