STとMACOM、RFアプリケーション向けGaN-on-Siの試作品で技術・性能のマイルストーンを達成
・デバイスのコストおよび性能面の目標を達成し、認定段階に移行
・量産および供給体制の強化で大きく進捗
・量産および供給体制の強化で大きく進捗
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）と通信、産業機器、防衛産業、およびデータ･センター向け半導体製品の主要サプライヤであるMACOM Technology Solutions Holdings（NASDAQ：MTSI、以下MACOM）は、RFアプリケーション向けGaN-on-Si（ガン･オン･シリコン : シリコン・ウェハ上に形成した窒化ガリウム）の試作品の製造に成功したことを発表しました。両社は、この実績に基づき、引き続き協力関係を強化していく予定です。
RFアプリケーション向けGaN-on-Siは、5Gおよび6Gインフラに大きな可能性をもたらします。従来のRFパワー･アンプ（PA）では、長期にわたり、LDMOS（横方向拡散型MOS）が主要なRFパワー･テクノロジーとして採用されてきました。GaNは、LDMOSと比べて優れたRF特性および極めて高い出力を提供できるとともに、シリコンだけでなく、SiC（シリコン･カーバイド）ウェハ上にも形成することができます。GaN-on-SiC（SiCウェハ上に形成した窒素ガリウム）は、高出力アプリケーションとのSiCウェハ獲得競争の影響や、特殊な製造プロセスを要することから、高コストになる可能性があります。一方、STとMACOMが開発中のGaN-on-Si技術は、標準的な製造プロセスに統合できるため、大規模なスケール･メリットによる低コスト化や、優れた性能の実現が期待されています。
今回STが製造した試作ウェハおよびデバイスは、既存のLDMOSおよびGaN-on-SiC技術に対し、高い競争力を発揮するためのコストならびに性能目標を達成しています。これらの試作品は現在、次の重要なマイルストーンである認定および製品化へと移行しています。STは、2022年内にこれらのマイルストーン達成を目指しています。また、このような進捗状況に伴い、STとMACOMは、先進的なGaN-on-Si製品の市場投入を加速させる取り組みの拡大に向けた協議を開始しました。
STのエグゼクティブ･バイスプレジデント 兼 パワー･トランジスタ･サブグループ ジェネラル･マネージャであるEdoardo Merliは、次のようにコメントしています。「私たちは、GaN-on-Si技術の性能とプロセス成熟度が、既存のLDMOSやGaN-on-SiCに対して効果的に競合できるレベルに達していると考えています。また、通信インフラをはじめとする量産アプリケーションにおいて、コストやサプライ･チェーンにおける高い優位性を提供することができるでしょう。MACOMとの協力における次の重要なマイルストーンであるRFアプリケーション向けGaN-on-Si技術の製品化に向けて前進し続けることで、GaN-on-Si技術が持つ大きな可能性を実現できることを楽しみにしています。」
MACOMの社長 兼 最高経営責任者（CEO）であるStephen G. Dalyは、次のようにコメントしています。「MACOMとSTは、GaN-on-Si技術の製品化と量産に向けて、順調に前進し続けています。STとの協力関係は、当社のRFパワー事業の戦略の中でも重要な要素です。私は、GaN-on-Si技術が技術要件を満たすターゲット･アプリケーションにおいて、市場シェアを獲得できると確信しています。」
MACOMについて
MACOMは、通信、産業機器、防衛産業、およびデータ･センター業界向けの高性能半導体製品の設計と製造を行っています。RFおよびマイクロ波、ミリ波、光波の半導体製品の幅広いポートフォリオを通じて、年間6,000社以上の顧客にサービスを提供しています。MACOMは、IATF16949車載規格、ISO9001国際品質規格、およびISO14001環境管理規格の認証を取得しています。MACOMは、マサチューセッツ州ローウェル（米国）に本社を置き、ヨーロッパ、アジアに拠点を展開しています。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約48,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･コネクティビティの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラルの実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。
将来予測に関する記述についての特記事項
本プレスリリースには、STおよびMACOMの両社またはいずれかの経営陣の考えや想定、および各社の経営陣が現時点で入手している情報に基づく将来予測に関する記述が含まれています。これらの将来予測に関する記述には、特に商用化および量産化に向けてGaN-on-Si製品を改良する両社の能力、およびGaN-on-Si製品で市場シェアを獲得する両社の能力に関する記述が含まれています。また、これらの将来予測に関する記述は、将来の事象に関するSTとMACOM社の両社またはいずれかの現時点における見解を示すものであり、リスク、不確実性、前提、および環境の変化に左右され、そのため、それらの将来の事象、実際の活動、または結果が、将来予測に関する記述で示されたものと大幅に異なる可能性があります。STとMACOMは、将来予測に関する記述で示した予想が妥当であると考えていますが、STおよびMACOMのいずれも、将来の事象、結果、活動、その他の活動水準、成果、および実績について一切保証することはできません。これらの将来予測に関する記述を過度に信頼しないよう、ご注意ください。STの最新のForm 20-FまたはMACOMのForm 10-Kの年間報告書の「Risk Factors」、Form 10-Qの四半期報告書、およびその他の米国証券取引委員会への申告書類に記載された要因を含む（ただし、これらに限定されません）、多数の重要な要因により、実際の結果は将来予測に関する記述の内容と大幅に異なる可能性があります。MACOMおよびSTのいずれも、新たな情報、将来の事象またはその他に伴うものか否かを問わず、将来予測に関する記述を公に更新または改訂を行う義務を一切負いません。
◆MACOMへのお問い合わせ先
MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
Stephen Ferranti
Vice President, Strategic Initiatives and Investor Relations
TEL： +1 978-656-2977Email：stephen.ferranti@macom.com
◆STへのお問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
オートモーティブ & ディスクリート製品グループ
TEL : 03-5783-8260 FAX : 03-5783-8216
RFアプリケーション向けGaN-on-Siは、5Gおよび6Gインフラに大きな可能性をもたらします。従来のRFパワー･アンプ（PA）では、長期にわたり、LDMOS（横方向拡散型MOS）が主要なRFパワー･テクノロジーとして採用されてきました。GaNは、LDMOSと比べて優れたRF特性および極めて高い出力を提供できるとともに、シリコンだけでなく、SiC（シリコン･カーバイド）ウェハ上にも形成することができます。GaN-on-SiC（SiCウェハ上に形成した窒素ガリウム）は、高出力アプリケーションとのSiCウェハ獲得競争の影響や、特殊な製造プロセスを要することから、高コストになる可能性があります。一方、STとMACOMが開発中のGaN-on-Si技術は、標準的な製造プロセスに統合できるため、大規模なスケール･メリットによる低コスト化や、優れた性能の実現が期待されています。
今回STが製造した試作ウェハおよびデバイスは、既存のLDMOSおよびGaN-on-SiC技術に対し、高い競争力を発揮するためのコストならびに性能目標を達成しています。これらの試作品は現在、次の重要なマイルストーンである認定および製品化へと移行しています。STは、2022年内にこれらのマイルストーン達成を目指しています。また、このような進捗状況に伴い、STとMACOMは、先進的なGaN-on-Si製品の市場投入を加速させる取り組みの拡大に向けた協議を開始しました。
STのエグゼクティブ･バイスプレジデント 兼 パワー･トランジスタ･サブグループ ジェネラル･マネージャであるEdoardo Merliは、次のようにコメントしています。「私たちは、GaN-on-Si技術の性能とプロセス成熟度が、既存のLDMOSやGaN-on-SiCに対して効果的に競合できるレベルに達していると考えています。また、通信インフラをはじめとする量産アプリケーションにおいて、コストやサプライ･チェーンにおける高い優位性を提供することができるでしょう。MACOMとの協力における次の重要なマイルストーンであるRFアプリケーション向けGaN-on-Si技術の製品化に向けて前進し続けることで、GaN-on-Si技術が持つ大きな可能性を実現できることを楽しみにしています。」
MACOMの社長 兼 最高経営責任者（CEO）であるStephen G. Dalyは、次のようにコメントしています。「MACOMとSTは、GaN-on-Si技術の製品化と量産に向けて、順調に前進し続けています。STとの協力関係は、当社のRFパワー事業の戦略の中でも重要な要素です。私は、GaN-on-Si技術が技術要件を満たすターゲット･アプリケーションにおいて、市場シェアを獲得できると確信しています。」
MACOMについて
MACOMは、通信、産業機器、防衛産業、およびデータ･センター業界向けの高性能半導体製品の設計と製造を行っています。RFおよびマイクロ波、ミリ波、光波の半導体製品の幅広いポートフォリオを通じて、年間6,000社以上の顧客にサービスを提供しています。MACOMは、IATF16949車載規格、ISO9001国際品質規格、およびISO14001環境管理規格の認証を取得しています。MACOMは、マサチューセッツ州ローウェル（米国）に本社を置き、ヨーロッパ、アジアに拠点を展開しています。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約48,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･コネクティビティの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラルの実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。
将来予測に関する記述についての特記事項
本プレスリリースには、STおよびMACOMの両社またはいずれかの経営陣の考えや想定、および各社の経営陣が現時点で入手している情報に基づく将来予測に関する記述が含まれています。これらの将来予測に関する記述には、特に商用化および量産化に向けてGaN-on-Si製品を改良する両社の能力、およびGaN-on-Si製品で市場シェアを獲得する両社の能力に関する記述が含まれています。また、これらの将来予測に関する記述は、将来の事象に関するSTとMACOM社の両社またはいずれかの現時点における見解を示すものであり、リスク、不確実性、前提、および環境の変化に左右され、そのため、それらの将来の事象、実際の活動、または結果が、将来予測に関する記述で示されたものと大幅に異なる可能性があります。STとMACOMは、将来予測に関する記述で示した予想が妥当であると考えていますが、STおよびMACOMのいずれも、将来の事象、結果、活動、その他の活動水準、成果、および実績について一切保証することはできません。これらの将来予測に関する記述を過度に信頼しないよう、ご注意ください。STの最新のForm 20-FまたはMACOMのForm 10-Kの年間報告書の「Risk Factors」、Form 10-Qの四半期報告書、およびその他の米国証券取引委員会への申告書類に記載された要因を含む（ただし、これらに限定されません）、多数の重要な要因により、実際の結果は将来予測に関する記述の内容と大幅に異なる可能性があります。MACOMおよびSTのいずれも、新たな情報、将来の事象またはその他に伴うものか否かを問わず、将来予測に関する記述を公に更新または改訂を行う義務を一切負いません。
◆MACOMへのお問い合わせ先
MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
Stephen Ferranti
Vice President, Strategic Initiatives and Investor Relations
TEL： +1 978-656-2977Email：stephen.ferranti@macom.com
◆STへのお問い合わせ先
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品川インターシティA棟
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