STマイクロエレクトロニクス、低電圧システムでの電源設計を簡略化するGaNハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表
産業用機器やコンピュータ周辺機器向けの電力変換アプリケーションに最適

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、GaN(窒化ガリウム)ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ「STDRIVEG210」および「STDRIVEG211」を発表しました。両製品は、産業用または通信用のバス電圧で駆動されるシステムや72Vバッテリのシステム、110V AC電源の装置向けに最適化されています。最大定格レール電圧が220Vのこのドライバは、リニア・レギュレータを集積してハイサイド / ローサイドの6Vゲート信号を生成し、シンク側とソース側にそれぞれ独立したパスを作ることにより、最適な制御を実現します。
STDRIVEG210は、サーバや通信基地局の電源、バッテリ・チャージャ、アダプタ、太陽光発電システム用マイクロ・インバータ / オプティマイザ、LED照明、USB-C電源などの電力変換アプリケーションに適しています。共振およびハードスイッチングの両方の回路構成に適しており、起動時間が300nsと速いため、特に断続動作(バースト・モード)時のウェークアップ時間を最小限に短縮できます。
STDRIVEG211は、過電流検出およびスマート・シャットダウン機能を備えており、電源装置に加えて、電動工具や電動自転車、ポンプ、サーボなどのモータ・ドライブや、D級オーディオ・アンプも対象としています。
両製品とも、ハイサイド・ドライバに容易に給電できるようにブートストラップ・ダイオードを集積しているため、設計を簡略化して部品点数を削減することができます。シンク電流を2.4A、ソース電流を1.0Aとそれぞれの独立したゲート駆動パスにより、高速のスイッチングが可能で、dV/dt調整が容易になります。貫通電流を防止するインターロックなどの保護機能を備えながら、デッドタイムの動作を短縮するためにマッチング時間を10nsに削減することで、短いハイサイド / ローサイド・ドライバの伝搬遅延時間を実現しました。また、低電圧ロックアウト(UVLO)により低効率もしくは危険な状態での動作を防ぎます。モータ・ドライブ・アプリケーション向けのSTDRIVEG211にはハイサイドUVLO保護機能も追加されています。
さらに、両製品とも過熱保護機能を備え、±200V/nsまでの高いdV/dt耐性があります。入力電圧は最大20Vまで対応できるため、コントローラのインタフェース回路を簡略化します。スタンバイ・ピンはパワー・マネージメント用に対応し、別々の電源グランド構成にすると、ケルビン・ソースの最適なゲート駆動や電流シャントの使用を可能にします。
STDRIVEG210およびSTDRIVEG211は現在量産中で、18リードの小型QFNパッケージ(5 x 4mm)で提供されます。単価は、1000個購入時に約1.22ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約50,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出(スコープ1および2)、ならびに製品輸送、従業員の出張・通勤による排出(スコープ3の注力分野)におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100%にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト(http://www.st.com)をご覧ください。
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STマイクロエレクトロニクス(株)
アナログ・MEMS・センサ製品グループ
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
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