遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～ 2026年9月7日 10時00分 東京理科大学
遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～ 2026年9月7日 10時00分 東京理科大学
