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「ワイドバンドギャップ半導体」に関するプレスリリース一覧
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テキストのみ
電力効率と電力密度を高める新しい100Vトレンチ型ショットキー・ダイオード・ファミリを発表
2024年4月4日 17時10分
STマイクロエレクトロニクス
STマイクロエレクトロニクス、「Top 100グローバル・イノベーター2024」に選出
2024年3月13日 17時00分
STマイクロエレクトロニクス
シリコンやGaNコンバータの高効率化に貢献する柔軟性の高い2次側同期整流コントローラを発表
2024年3月12日 17時00分
STマイクロエレクトロニクス
ヴィテスコ・テクノロジーズ、シリコンカーバイドのパワー半導体でインフィニオンと協業
2022年6月6日 10時00分
ヴィテスコ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社
5Gインフラの展開は、短期的には6GHz以下だが、長期的にはmmWaveの設置が大幅に増加すると予想【IDTechEx調査報告】
2022年2月14日 08時40分
株式会社データリソース
Nexperia、新しい高性能シリコン・カーバイド(SiC)ダイオード・ファミリを発表し、ワイドバンドギャップ半導体製品を拡充
2021年11月8日 16時13分
Nexperia
Nexperia、生産能力拡大に向け2021年/2022年に7億米ドルを投資
2021年6月17日 14時13分
Nexperia
もっと見る
電力効率と電力密度を高める新しい100Vトレンチ型ショットキー・ダイオード・ファミリを発表
2024年4月4日 17時10分
STマイクロエレクトロニクス
STマイクロエレクトロニクス、「Top 100グローバル・イノベーター2024」に選出
2024年3月13日 17時00分
STマイクロエレクトロニクス
シリコンやGaNコンバータの高効率化に貢献する柔軟性の高い2次側同期整流コントローラを発表
2024年3月12日 17時00分
STマイクロエレクトロニクス
ヴィテスコ・テクノロジーズ、シリコンカーバイドのパワー半導体でインフィニオンと協業
2022年6月6日 10時00分
ヴィテスコ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社
5Gインフラの展開は、短期的には6GHz以下だが、長期的にはmmWaveの設置が大幅に増加すると予想【IDTechEx調査報告】
2022年2月14日 08時40分
株式会社データリソース
Nexperia、新しい高性能シリコン・カーバイド(SiC)ダイオード・ファミリを発表し、ワイドバンドギャップ半導体製品を拡充
2021年11月8日 16時13分
Nexperia
Nexperia、生産能力拡大に向け2021年/2022年に7億米ドルを投資
2021年6月17日 14時13分
Nexperia
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