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「不揮発メモリ」に関するプレスリリース一覧
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125℃動作のFRAM(強誘電体メモリ)では最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
2019年10月8日 10時42分
富士通セミコンダクターメモリソリューション
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125℃動作のFRAM(強誘電体メモリ)では最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
2019年10月8日 10時42分
富士通セミコンダクターメモリソリューション
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